【技术实现步骤摘要】
一种非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料及制备方法和磁芯
本专利技术属于材料
，特别地涉及一种非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料及其制备方法和应用其的磁芯。
技术介绍
随着电子产品使用频率的提高，电子线路中的干扰信号频率也随之提高。目前市场上的抗电磁干扰磁环主要由铁氧体材料组成。铁氧体材料不同，抑制频率范围也不同。其中锰锌铁氧体主要适用于30MHz以下的低频。而镍锌铁氧体可以适用于更高的频率，如25MHz-200MHz。然而，随着器件与系统使用频率的提高，目前的锰锌铁氧体和镍锌铁氧体已经不能满足频率的要求。因此，需要开发能抑制200MHz以上干扰信号的磁芯材料。提高材料的使用频率，一方面是改造材料的结构，另一方面是减小磁性材料的颗粒尺寸、采用复合材料等方法改变内部结构。复合材料中加入二氧化硅等绝缘性材料可以提高电阻率，从而可有效地减少涡流损耗、提高磁性材料的使用频率。然而，目前的制备方法都是通过在软磁材料中添加纳米二氧硅粉，然后进行球磨，使二氧化硅和磁性材料混合均匀，最后通过高温加热后得到复合材料。然而这种制备方法过...
【技术保护点】
1.一种非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料，其特征在于，该复合材料由纳米晶Fe
【技术特征摘要】
1.一种非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料，其特征在于，该复合材料由纳米晶Fe3O4和非晶SiO2纳米颗粒相互均匀分散组成，且两者的颗粒直径均小于5nm。
2.根据权利要求1所述的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料，其特征在于，该复合材料采用低温水浴法一步制备得到。
3.一种非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，量取体积比为8:2的二甲基甲酰胺DMF和蒸馏水，混合后作为混合溶剂；
步骤S2，加入FeCl2·4H2O、正硅酸乙酯和醋酸钠，常温搅拌10分钟至其充分溶解、混合均匀得到混合液，其中，FeCl2·4H2O相对于混合溶剂的浓度为10～15mg/mL，正硅酸乙酯与混合溶剂的体积比为0.001:1～0.005:1，醋酸钠相对于混合溶剂的浓度15～30mg/mL；
步骤S3，将混合液在恒温水浴中搅拌2～4小时充分反应；
步骤S4，取出反应物后，进行分离清洗，经干燥后得到非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料。
4.根据权利要求3所述的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的制备方法，其特征在于，正硅酸乙酯在溶液中发生缩聚反应产生二氧化硅，调节混合溶剂及其比例使反应速度与四氧化三铁的生成速度相一致。
5.根据权利要求3所述的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐军明，唐梦霞，刘树岭，冯斌，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。