一种阵列基板及其制作方法技术

本申请公开了一种阵列基板及其制造方法。阵列基板包括：第一金属层，包括至少一沿第一方向设置的第一金属走线和至少一沿第二方向设置的第一金属走线，其中，沿第一方向设置的第一金属走线被沿第二方向设置的第一金属走线分为相互不连通的多个部分；第一绝缘层；第二金属层，通过多个第一过孔连通沿第一方向设置的第一金属走线的相互不连通的多个部分；第二绝缘层；第三金属层，通过多个第二过孔使沿第一方向设置的第一金属走线与沿第二方向设置的第一金属走线连通。本申请将驱动电压引线网络变更为用第三金属层通过第二过孔实现，阵列检测从第三金属层制程完成后提前到第二绝缘层制程完成后，以提升良率。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本申请涉及液晶显示器
，具体涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
主动矩阵式(Activematrix，AM)miniLED技术中，以薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)作为驱动电路。请参阅图1，miniLED驱动电路如图1所示，电路通过VDD与VSS的压差驱动LED灯。因LED灯亮度受电压影响波动很大，为保证背光源组件(BackLightUnit，BLU)的LED亮度均一性，VDD和VSS采用大线宽、双层金属以降低内阻压降(RCloading)及电源压降(IRdrop)影响，且采用网状结构(mesh)保证整个面内电压均一性。请参阅图2和图2A，现有的VSS&VDD的结构如图2所示，图2A为图2中沿A-A’的剖面图。其中，现有的阵列基板包括第一金属层101、绝缘层102以及第二金属层103。可见，在形成第一金属层101时，纵向和横向的各条金属走线间没有任何隔断，mesh网状结构已然成形。由于面内大面积的VSS和VDD线路交叉，异物、静电放电(Electro-Staticdischarge，ESD)导致VSS&VDD短路比率高达到约10％。且因为mesh结构，使得自动量测系统(automatictestsystem，ATS)检测后无法定位异常线路及位置，而现有的热成像检测只能在定位到确定的线路后才能线扫描查找发热短路点。这10％的短路无法通过检测定位后修补挽回，导致良率损失10％。因此，有必要提供一种阵列基板及其制作方法，以克服上述缺陷。
技术实现思路
本申请目的在于提供一种阵列基板及其制作方法，将驱动电压引线VSS横向和纵向网络结构从用第一金属层M1实现变更到用第三金属层(多为ITO，氧化铟锡)通过过孔实现，阵列检测(ArrayTEST)从第三金属层制程完成后提前到第二绝缘层制程完成后，并可以使用热成像技术检测，以提升良率。作为本申请的第一方面，提供一种阵列基板，具有一衬底基板，所述阵列基板包括：第一金属层，设置于所述衬底基板上并包括至少一沿第一方向设置的第一金属走线和至少一沿第二方向设置的第一金属走线；其中，所述沿第一方向设置的第一金属走线被所述沿第二方向设置的第一金属走线分为相互不连通的多个部分；第一绝缘层，设置于所述第一金属层上并设有多个第一过孔；第二金属层，设置于所述第一绝缘层上并包括至少一第一连接线，所述第一连接线通过所述多个第一过孔连通所述沿第一方向设置的第一金属走线的相互不连通的多个部分；第二绝缘层，设置于所述第二金属层上并设有多个第二过孔；以及，第三金属层，设置于所述第二绝缘层上并通过所述多个第二过孔使所述沿第一方向设置的第一金属走线与所述沿第二方向设置的第一金属走线连通。进一步，所述第一金属层还包括至少一沿第一方向设置的第二金属走线和至少一沿第二方向设置的第二金属走线；其中，所述沿第一方向设置的第二金属走线和所述沿第二方向设置的第二金属走线连通，并且，所述沿第一方向设置的第二金属走线被所述沿第二方向设置的第一金属走线分为相互不连通的多个部分。进一步，所述第二金属层还包括至少一第二连接线，所述第二连接线通过所述多个第一过孔连通所述沿第一方向设置的第二金属走线的相互不连通的多个部分。进一步，所述沿第一方向设置的第一金属走线还被所述沿第二方向设置的第二金属走线分为相互不连通的多个部分，所述第一连接线通过所述多个第一过孔连通所述沿第一方向设置的第一金属走线的相互不连通的多个部分。进一步，所述第二连接线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述沿第一方向设置的第二金属走线。进一步，所述第一连接线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述沿第一方向设置的第一金属走线。进一步，所述第一金属走线和所述第二金属走线均为驱动电压引线。作为本申请的另一方面，提供一种阵列基板的制作方法，具体包括以下步骤：S1,提供一衬底基板，在所述衬底基板上依次形成第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层；S2,对当前阵列基板进行阵列检测和修补；S3,在所述第二绝缘层上形成第三金属层。在所述步骤S2中，通过阵列检测，以确定所述第一金属层上短路点所在的异常线；通过热成像检测沿所述异常线扫描，获取所述短路点的位置；对所述短路点的位置进行检测修补。进一步，在所述步骤S1中，所述第一金属层包括至少一沿第一方向设置的第一金属走线、至少一沿第二方向设置的第一金属走线、至少一沿第一方向设置的第二金属走线和至少一沿第二方向设置的第二金属走线；其中，所述沿第一方向设置的第一金属走线被所述沿第二方向设置的第一金属走线分为相互不连通的多个部分；所述沿第一方向设置的第一金属走线还被所述沿第二方向设置的第二金属走线分为相互不连通的多个部分；所述沿第一方向设置的第二金属走线被所述沿第二方向设置的第一金属走线分为相互不连通的多个部分；所述沿第一方向设置的第二金属走线和所述沿第二方向设置的第二金属走线连通。进一步，在所述步骤S1中，所述第二金属层包括至少一第一连接线以及至少一第二连接线；所述第一绝缘层上设有多个第一过孔；其中，所述第一连接线通过所述多个第一过孔连通所述沿第一方向设置的第一金属走线的相互不连通的多个部分；所述第二连接线通过所述多个第一过孔连通所述沿第一方向设置的第二金属走线的相互不连通的多个部分。与现有技术相比，本申请的积极效果在于：本申请通过对于第一金属层在横向和纵向交叉处断开设计，使得横向和纵向的VSS引线在第三金属层成形前互不连通，从而将VSS引线横向和纵向网络结构从用第一金属层实现变更到用第三金属层通过过孔实现，将阵列检测从第三金属层制程完成后提前到ITO层制成之前，并实现通过热成像技术对短路点进行检测，提前检出VSS和VDD的短路位置并进行修补，以提升良率。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为现有miniLED驱动电路示意图。图2为现有VSS&VDD的结构示意图。图2A为图2中沿A-A’的剖面图。图3为本申请实施例的一种阵列基板的局部俯视图。图4为图3中带圈部分的沿B-B’的剖面图。图5位本申请实施例的一种阵列基板的制作方法的流程图附图标记：101-第一金属层，102绝缘层，103第二金属层；1-第一金属层，2-第一绝缘层，3-第二金属层，4-第二绝缘层，5-第三金属层，6-衬底基板，11-沿第一方向设置的第一金属走线，12-沿第二方向设置的第一金属走线，13-沿第一方向设置的第二金属走线，14-沿第二方向设置的第二金属走线，31-第一连接线，32-第二连接线，41第二过孔。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，具有一衬底基板，其特征在于，所述阵列基板包括：/n第一金属层，设置于所述衬底基板上并包括至少一沿第一方向设置的第一金属走线和至少一沿第二方向设置的第一金属走线；其中，所述沿第一方向设置的第一金属走线被所述沿第二方向设置的第一金属走线分为相互不连通的多个部分；/n第一绝缘层，设置于所述第一金属层上并设有多个第一过孔；/n第二金属层，设置于所述第一绝缘层上并包括至少一第一连接线，所述第一连接线通过所述多个第一过孔连通所述沿第一方向设置的第一金属走线的相互不连通的多个部分；/n第二绝缘层，设置于所述第二金属层上并设有多个第二过孔；以及，/n第三金属层，设置于所述第二绝缘层上并通过所述多个第二过孔使所述沿第一方向设置的第一金属走线与所述沿第二方向设置的第一金属走线连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，具有一衬底基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
第一金属层，设置于所述衬底基板上并包括至少一沿第一方向设置的第一金属走线和至少一沿第二方向设置的第一金属走线；其中，所述沿第一方向设置的第一金属走线被所述沿第二方向设置的第一金属走线分为相互不连通的多个部分；
第一绝缘层，设置于所述第一金属层上并设有多个第一过孔；
第二金属层，设置于所述第一绝缘层上并包括至少一第一连接线，所述第一连接线通过所述多个第一过孔连通所述沿第一方向设置的第一金属走线的相互不连通的多个部分；
第二绝缘层，设置于所述第二金属层上并设有多个第二过孔；以及，
第三金属层，设置于所述第二绝缘层上并通过所述多个第二过孔使所述沿第一方向设置的第一金属走线与所述沿第二方向设置的第一金属走线连通。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括至少一沿第一方向设置的第二金属走线和至少一沿第二方向设置的第二金属走线；其中，所述沿第一方向设置的第二金属走线和所述沿第二方向设置的第二金属走线连通，并且，所述沿第一方向设置的第二金属走线被所述沿第二方向设置的第一金属走线分为相互不连通的多个部分。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括至少一第二连接线，所述第二连接线通过所述多个第一过孔连通所述沿第一方向设置的第二金属走线的相互不连通的多个部分。


4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述沿第一方向设置的第一金属走线还被所述沿第二方向设置的第二金属走线分为相互不连通的多个部分，所述第一连接线通过所述多个第一过孔连通所述沿第一方向设置的第一金属走线的相互不连通的多个部分。


5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二连接线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述沿第一方向设置的第二金属走线。


6....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙正娟，张骢泷，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44