一种三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体及其制备方法，三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体，包括以下结构通式：

【技术实现步骤摘要】
一种三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体及其制备方法
本专利技术涉及光刻胶
，特别涉及一种三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体及其制备方法。
技术介绍
光刻技术(Lithography)是指利用光刻材料(特指光刻胶)在可见光、紫外线、电子束等作用下的化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版(Mask)上的图形转移到衬底上的图形微细加工技术。光刻技术的发展离不开光刻材料的发展，光刻材料的发展在一定程度上决定了光刻技术的发展与应用。光刻技术经历了从G线(436nm)、I线(365nm)近紫外光学光刻，到深紫外(248nm和193nm)、真空紫外(157nm)光学光刻，再到极紫外(13.5nm)、电子束、纳米压印、嵌段共聚物自组装、扫描探针等下一代光刻技术的发展历程，现已成为制作大规模集成电路和超大规模集成电路不可或缺的重要工艺。在193nm浸没式(193i)光刻中，光刻胶是浸没在水中曝光的。这对193i光刻胶提出了一些特殊要求。第一，光刻胶的有效成分必须不溶于水；在与水接触后，光刻胶的化学性质不变；第二，光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体，其特征在于，所述树脂单体包括以下结构通式：/n

【技术特征摘要】
1.一种三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体，其特征在于，所述树脂单体包括以下结构通式：



其中，R1和R2分别包括C1～C12烷基、杂烷基或连接键；R3包括氢、卤素、C1～C12烷基或杂烷基。


2.根据权利要求1所述的三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体，其特征在于，所述R1和R2分别包括C1～C6烷基或连接键，所述R3包括氢或C1～C6烷基。


3.根据权利要求2所述的三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体，其特征在于，所述树脂单体包括以下结构：

其中所述R3包括氢或C1～C6烷基。


4.一种根据权利要求1-3任一所述的三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，将三氟磺酰类化合物加入到氨基环庚烷醇类化合物和碱混合液中，反应得到三氟磺酰胺环庚烷醇类化合物；
S2，将所述三氟磺酰胺环庚烷醇类化合物与丙烯酸类化合物混合，经过酯化反应，纯化得到三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体。


5.根据权利要求4所述的三氟磺酰胺环庚烷类光刻胶树脂单体的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺宝元，傅志伟，邵严亮，刘司飞，李迟，
申请(专利权)人：徐州博康信息化学品有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32