一种电池组充电限流电路制造技术

本实用新型专利技术涉及充电电源技术领域，具体为一种电池组充电限流电路，包括电源、第一电源滤波器、限流电路、充电开关、放电开关、第二电源滤波器和电池组，限流电路的第一输入端连接在电源的高电位端，限流电路的第二输入端连接在电源的低电位端，充电开关的一端连接在电源的高电位端，充电开关的另一端连接在放电开关的一端，放电开关的另一端连接在电池组的正极，限流电路的第一输出端连接在充电开关和放电开关的公共端，限流电路的第二输出端连接在电池组的负极。该电池组充电限流电路保证电池组恒流充满，且防止电流倒灌烧坏产品。

【技术实现步骤摘要】
一种电池组充电限流电路
本技术涉及充电电源
，具体为一种电池组充电限流电路。
技术介绍
充电电源供蓄电池充电用的整流装置。早期采用交流电动机-直流发电机组作充电电源，20世纪60年代以后，由电力电子器件组成的充电电源取代。充电电源常采用单相(或三相)半控整流电路或不控整流电路加接交流调压器的整流电路，在直流电路中，需用平波电抗器抑制直流电流脉动，防止电流断续。目前，现有的充电电源的电池组在充电和放电的过程中，不便于对电路中的电流进行检测，从而出现电池组在充电的过程中电流倒灌的现象，极易造成产品的烧毁。鉴于此，我们提出一种电池组充电限流电路。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电池组充电限流电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种电池组充电限流电路，包括电源、第一电源滤波器、限流电路、充电开关、放电开关、第二电源滤波器和电池组，所述限流电路的第一输入端连接在所述电源的高电位端，所述限流电路的第二输入端连接在所述电源的低电位端，所述充电开关的一端连接在所述电源的高电位端，所述充电开关的另一端连接在放电开关的一端，所述放电开关的另一端连接在电池组的正极，所述限流电路的第一输出端连接在充电开关和放电开关的公共端，所述限流电路的第二输出端连接在电池组的负极，所述第一电源滤波器的信号输入端和所述第一电源滤波器的信号输出端分别连接在电源的高电位端和低电位端，所述第二电源滤波器的信号输入端连接在充电开关和放电开关的公共端，所述第二电源滤波器的信号输出端连接在电池组的负极。优选的，所述限流电路由控制芯片、高边MOS管、低边MOS管和运算放大器组成，所述控制芯片用于控制高边MOS管和低边MOS管的开合，所述高边MOS管的D极连接在电源的高电位端，所述高边MOS管的S极与低边MOS管的D极相连接，所述高边MOS管的G极与控制芯片相连接，所述低边MOS管的S极连接在电源的低电位端，所述低边MOS管的G极与控制芯片相连接，所述运算放大器的信号输入端连接有检流电阻，且所述检流电阻的一端连接在低边MOS管的S极，所述检流电阻的另一端连接在第二电源滤波器的信号输出端，所述运算放大器的信号输出端与所述控制芯片相连接。优选的，所述控制芯片上安装有隔离变换器，所述隔离变换器连接在高边MOS管的G极和控制芯片的公共端，用以将固定的直流电压变换成可变的直流电压。优选的，所述控制芯片上还安装有过零比较器，所述过零比较器的信号输入端连接在高边MOS管和低边MOS管的公共端，所述过零比较器的信号输出端与控制芯片相连接。优选的，所述高边MOS管的S极和所述第二滤波器的信号输入端之间连接有检测电感，所述检测电感用以滤波和稳定电流。优选的，所述高边MOS管的G极与控制芯片上的高边驱动HO接口连接，所述低边MOS管的G极与控制芯片上的低边驱动LO接口连接。优选的，所述高边MOS管和低边MOS管均为N型MOS管。优选的，所述检流电阻的阻值不大于2毫欧。优选的，所述电源为AC/DC模块电源，用以交流输入直流输出进行供电。优选的，所述电池组由多个大电流电池串联组成。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该电池组充电限流电路，电源在给电池组充电的过程中，电池组的容量不断增加，当电池组的电压到充满的临界状态时，隔离变换器开启，使得同步整流占空比百分之百开启，保证恒流充满，电池组充满电后，电池组电压和电源的直流输入电压一致，流过检流电感中的电流为零，过零比较器一旦检测到检流电感中电流为零时，立刻关闭高边MOS管和低边MOS管，防止电流倒灌烧坏产品。附图说明图1为本技术的整体结构框图；图2为本技术的整体结构示意图。图中：100、电源；101、充电开关；102、放电开关；200、第一电源滤波器；300、隔离变换器；400、控制芯片；401、高边MOS管；402、低边MOS管；500、过零比较器；501、检测电感；600、第二电源滤波器；700、运算放大器；701、检流电阻；800、电池组；801、大电流电池。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。为了使公众对本技术有彻底的了解，在以下本技术优选实施例中详细说明了具体的细节，而对本领域技术人员来说没有这些细节的描述也可以完全理解本技术。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。需说明的是，附图均采用较为简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参阅图1-图2所示，本技术提供的一种技术方案：一种电池组充电限流电路，包括电源100、第一电源滤波器200、限流电路、充电开关101、放电开关102、第二电源滤波器600和电池组800，限流电路的第一输入端连接在电源100的高电位端，限流电路的第二输入端连接在电源100的低电位端，充电开关101的一端连接在电源100的高电位端，充电开关101的另一端连接在放电开关102的一端，放电开关102的另一端连接在电池组800的正极，限流电路的第一输出端连接在充电开关101和放电开关102的公共端，限流电路的第二输出端连接在电池组800的负极，第一电源滤波器200的信号输入端和第一电源滤波器200的信号输出端分别连接在电源100的高电位端和低电位端，第二电源滤波器200的信号输入端连接在充电开关101和放电开关102的公共端，第二电源滤波器200的信号输出端连接在电池组800的负极，且电池组800由多个大电流电池801串联组成。本实施例中，限流电路由控制芯片400、高边MOS管401、低边MOS管402和运算放大器700组成，控制芯片400用于控制高边MOS管401和低边MOS管402的开合，高边MOS管401的D极连接在电源100的高电位端，高边MOS管401的S极与低边MOS管402的D极相连接，高边MOS管401的G极与控制芯片400相连接，低边MOS管402的S极连接在电源100的低电位端，低边MOS管402的G极与控制芯片400相连接，运算放大器700的信号输入端连接有检流电阻701，且检流电阻701的一端连接在低边MOS管402的S极，检流电阻701的另一端连接在第二电源滤波器600的信号输出端，运算放大器700的信号输出端与控制芯片400相连接，运算放大器700对检流电阻701所在的电流采样电路中的电流信号放大，和设定的基准信号源做比较，输出到控制芯片400内。具体的，控制芯片400上安装有隔离变换器300，隔离变换器300连接在高边MOS管401的G极和控制芯片400的公共端，用以将固定的直流电压变换本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电池组充电限流电路，其特征在于：包括电源、第一电源滤波器、限流电路、充电开关、放电开关、第二电源滤波器和电池组，所述限流电路的第一输入端连接在所述电源的高电位端，所述限流电路的第二输入端连接在所述电源的低电位端，所述充电开关的一端连接在所述电源的高电位端，所述充电开关的另一端连接在放电开关的一端，所述放电开关的另一端连接在电池组的正极，所述限流电路的第一输出端连接在充电开关和放电开关的公共端，所述限流电路的第二输出端连接在电池组的负极，所述第一电源滤波器的信号输入端和所述第一电源滤波器的信号输出端分别连接在电源的高电位端和低电位端，所述第二电源滤波器的信号输入端连接在充电开关和放电开关的公共端，所述第二电源滤波器的信号输出端连接在电池组的负极。/n

【技术特征摘要】
1.一种电池组充电限流电路，其特征在于：包括电源、第一电源滤波器、限流电路、充电开关、放电开关、第二电源滤波器和电池组，所述限流电路的第一输入端连接在所述电源的高电位端，所述限流电路的第二输入端连接在所述电源的低电位端，所述充电开关的一端连接在所述电源的高电位端，所述充电开关的另一端连接在放电开关的一端，所述放电开关的另一端连接在电池组的正极，所述限流电路的第一输出端连接在充电开关和放电开关的公共端，所述限流电路的第二输出端连接在电池组的负极，所述第一电源滤波器的信号输入端和所述第一电源滤波器的信号输出端分别连接在电源的高电位端和低电位端，所述第二电源滤波器的信号输入端连接在充电开关和放电开关的公共端，所述第二电源滤波器的信号输出端连接在电池组的负极。


2.根据权利要求1所述的电池组充电限流电路，其特征在于：所述限流电路由控制芯片、高边MOS管、低边MOS管和运算放大器组成，所述控制芯片用于控制高边MOS管和低边MOS管的开合，所述高边MOS管的D极连接在电源的高电位端，所述高边MOS管的S极与低边MOS管的D极相连接，所述高边MOS管的G极与控制芯片相连接，所述低边MOS管的S极连接在电源的低电位端，所述低边MOS管的G极与控制芯片相连接，所述运算放大器的信号输入端连接有检流电阻，且所述检流电阻的一端连接在低边MOS管的S极，所述检流电阻的另一端连接在第二电源滤波器的信号输出端，所述运算放大器的信号输出端与所述控制芯片相连接。


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【专利技术属性】
技术研发人员：黄斌，郅海兵，
申请(专利权)人：上海恩阶电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31