半导体工序的反应副产物捕集装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体工序的反应副产物捕集装置，其目的在于提供一种半导体工序的反应副产物捕集装置，具备加热套筒和内部捕集塔，其中，所述加热套筒以可拆卸结构安装于外壳部，控制捕集区域，以便将半导体制造工序中使用后排出的含WF

【技术实现步骤摘要】
半导体工序的反应副产物捕集装置
本专利技术涉及半导体工序的反应副产物捕集装置，详细而言，涉及一种捕集装置，为了高效捕集经过在工艺腔室中在晶片上沉积薄膜并进行蚀刻的物理/化学工序后排出到洗涤器的废气成分中含有六氟化钨的反应副产物，构成得将捕集装置内反应温度均匀地保持高温并具有充分的捕集路径，同时还具备清洗作业的便利性。
技术介绍
一般而言，半导体制造工序大致由前工序(制造工序)和后工序(装配工序)构成。所述前工序是指在各种工艺腔室(Chamber)内，反复执行在晶片(Wafer)上沉积薄膜、对沉积的薄膜选择性蚀刻的过程而加工特定图案的制造半导体芯片(Chip)的工序。另外，所述后工序是指将在所述前工序中在晶片上制造的芯片个别地截断、分离后，与引线框架结合而组装成制成品的封装(package)工序。更具体而言，所述前工序是指在晶片上沉积薄膜或对在晶片上沉积的薄膜进行蚀刻的工序，为此，向工艺腔室内注入SiH4(硅烷，Silane)、砷化氢(Arsine)、氯化硼、氢、WF6(六氟化钨，Tungstenhexafluoride)等反应气体，在高温下执行工序。此时，在工艺腔室内部，大量产生各种易燃气体和含有腐蚀性异物质及有毒成分的有害气体等。为了净化并释放这种有害气体，在半导体制造装备中，安装有将工艺腔室形成真空状态的真空泵，在真空泵后端安装有使工艺腔室排出的废气净化后释放到大气中的洗涤器(Scrubber)。不过，洗涤器只净化处理气体形态的反应副产物，因而如果反应副产物排出到工艺腔室外部后固化，则存在固着于排气管线而导致排气压力上升、流入真空泵而诱发泵故障、有害气体逆流到工艺腔室而污染晶片等其他问题。因此，在半导体制造装备中，在工艺腔室与真空泵之间安装有使所述工艺腔室排出的废气凝聚成粉状的反应副产物捕集装置。另一方面，在注入所述前工序的工艺腔室的反应气体中，有WF6(六氟化钨，Tungstenhexafluoride)和SiH4(硅烷，Silane)，WF6用作在晶片上形成金属接触(MetalContact)及栅极(Gate)的用途，SiH4用作形成Si绝缘膜等的用途。所述含WF6的反应气体在工艺腔室中反应后排出到外部，然后在通过排气管移动到副产物捕集装置的同时温度下降，为了高效捕集WF6气体，应升温至200℃以上高温并保持均匀。但是，以往反应物捕集装置一般主要存在如下倾向，即，只在供反应气体在工艺腔室中使用后排出的废气流入的上部构成加热器，WF6(六氟化钨)反应副产物主要只在捕集装置上部空间捕集，因而捕集空间利用率下降，发生全部WF6(六氟化钨)气体的反应副产物捕集效率低下的问题。为了克服这种问题，有一种捕集装置，为了使含WF6废气高效凝聚、捕集，在捕集装置内部追加配备另外的加热装置，均匀地提供高温的温度，这种捕集装置为了配备专用加热装置而设计，因而存在捕集装置内部结构复杂的问题。另外，以往含WF6的废气捕集装置在保持高温的内部温度的状态下，在限定空间内，反应空间狭小，无法确保气体移动距离，存在WF6会以未充分反应、捕集的状态排出的结构性缺点。另外，由于加热装置安装于捕集装置内部的结构性特性，加热结构持续暴露于废气，从而因腐蚀或劣化而导致耐久性低下，存在修理或更换周期短、难以连续运转、维护费用增加的问题。另一方面，捕集WF6(六氟化钨)气体的副产物捕集装置为了去除在捕集过程中固着于内壁面的反应副产物，去除在捕集装置的外壳内部空间安装的内部捕集塔后，经过进行喷砂处理的清洗过程，而当反复这种清洗过程时，与高压喷射的砂子碰撞，捕集装置的外壳内壁面损伤增加而需要更换，存在清洗结构方面的结构性缺点。【先行技术文献】【专利文献】(专利文献0001)韩国授权专利公报授权号10-0595010(2006.06.22.)(专利文献0002)韩国授权专利公报授权号10-0717837(2007.05.07.)(专利文献0003)韩国授权专利公报授权号10-0862684(2008.10.02.)(专利文献0004)韩国授权专利公报授权号10-1447629(2014.09.29.)
技术实现思路
为了解决如上所述的问题，本专利技术目的在于提供一种半导体工序的反应副产物捕集装置，具备加热套筒和内部捕集塔，其中，所述加热套筒以可拆卸结构安装于外壳部，控制捕集区域，以便将半导体制造工序中使用后排出的含WF6(六氟化钨)的废气所流入的捕集空间的温度均匀地升温为高温，所述内部捕集塔分离成上部和下部，构成得在狭小捕集空间拥有充分的移动路径和时间，以便发生高效率的捕集反应。本专利技术另一目的在于提供一种半导体工序的反应副产物捕集装置，具备的外壳部结构可以使得在反应副产物捕集工序后，以喷砂方式清洗外壳部内部反应空间时，外壳本体的内壁面不受损伤，同时，当难以清洗时，可以迅速更换并运转。为了达成如上所述目的，执行用于消除以往缺陷的课题，本专利技术提供一种半导体工序的反应副产物捕集装置，所述半导体工序的反应副产物捕集装置包括外壳部、加热器、内部捕集塔构成，其中，所述外壳部安装于工艺腔室与真空泵之间的管线上，容纳废气，提供发生捕集反应的空间部，在上部和下部分别被形成有流入口的上板部及形成有排出口的下板部堵塞，以便捕集从所述处理器腔室排出的含WF6(六氟化钨)的废气内的反应副产物，所述加热器使流入外壳部的废气加热，所述内部捕集塔使废气凝聚，捕集反应副产物，其特征在于，还包括：加热套筒，其沿所述外壳部的外周以可拆卸方式安装，提供热源；上部内部捕集塔，其将多个具有互不相同形状的第一捕集板和第二捕集板上下按既定间隔交替配置，使废气根据第一捕集板和第二捕集板的形状，向外径方向或中心方向反复变更并下降而被捕集；下部内部捕集塔，其将多个在平面上形成互不相同模样的相同形状的第三捕集板上下按既定间隔以彼此交错的方式交替配置，使废气根据第三捕集板各区域的形状反复变更并下降而被捕集。作为优选实施例，所述上部内部捕集塔和下部内部捕集塔可以上下隔开既定间隔地安装。作为优选实施例，所述加热套筒可以构成为使配备得用于产生热源的加热线位于任意区域。作为优选实施例，所述加热套筒可以形成为使加热线的区域能够只向外壳部的上段和中段传递。作为优选实施例，所述第一捕集板可以具备在中央部形成的主排气孔及在中央部四周形成的辅助排气孔，以便使流入的废气向下部排出，可以在上部面形成有按既定角度引导废气流动或使废气流动迟滞的引导架及交叉组装于该引导架的妨碍架。作为优选实施例，所述第二捕集板可以以堵塞的结构构成，以便使废气向外径方向排出，可以在上部面形成有按既定角度引导废气流动或使废气流动迟滞的引导架及交叉组装于该引导架的妨碍架。作为优选实施例，所述第三捕集板的一个区域可以以网部状构成，其他区域可以以由打孔的多个圆形孔排列形成的打孔部状构成。作为优选实施例，所述网部可以借助位于上下的引导件，固定于根据网本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工序的反应副产物捕集装置，所述半导体工序的反应副产物捕集装置包括外壳部、加热器、内部捕集塔构成，其中，所述外壳部安装于工艺腔室与真空泵之间的管线上，容纳废气，提供发生捕集反应的空间部，在上部和下部分别被形成有流入口的上板部及形成有排出口的下板部堵塞，以便捕集从所述处理器腔室排出的含WF

【技术特征摘要】
20190402 KR 10-2019-00384161.一种半导体工序的反应副产物捕集装置，所述半导体工序的反应副产物捕集装置包括外壳部、加热器、内部捕集塔构成，其中，所述外壳部安装于工艺腔室与真空泵之间的管线上，容纳废气，提供发生捕集反应的空间部，在上部和下部分别被形成有流入口的上板部及形成有排出口的下板部堵塞，以便捕集从所述处理器腔室排出的含WF6(六氟化钨)的废气内的反应副产物，所述加热器使流入外壳部的废气加热，所述内部捕集塔使废气凝聚，捕集反应副产物，其特征在于，还包括：
加热套筒，其沿所述外壳部的外周以可拆卸方式安装，提供热源；
上部内部捕集塔，其将多个具有互不相同形状的第一捕集板和第二捕集板上下按既定间隔交替配置，使废气根据第一捕集板和第二捕集板的形状，向外径方向或中心方向反复变更并下降而被捕集；
下部内部捕集塔，其将多个在平面上形成互不相同模样的相同形状的第三捕集板上下按既定间隔以彼此交错的方式交替配置，使废气根据第三捕集板各区域的形状反复变更并下降而被捕集。


2.根据权利要求1所述的半导体工序的反应副产物捕集装置，其特征在于，
所述上部内部捕集塔和下部内部捕集塔上下隔开既定间隔地安装。


3.根据权利要求1所述的半导体工序的反应副产物捕集装置，其特征在于，
所述加热套筒构成为使配备得用于产生热源的加热线位于任意区域。


4.根据权利要求3所述的半导体工序的反应副产物捕集装置，其特征在于，
所述加热套筒形成为使加热线的区域能够只向外壳部的上段和中段传递。


5.根据权利要求1所述的半导体工序的反应副产物捕集装置，其特征在于，
所述第一捕集板具备在中央部形成的主排气孔及在中央部四周形成的辅助排气孔，以便使流入的废气向下部排出，在上部面形成有按既定角度引导废气流动或使废气流动迟滞的引导架及交叉组装于该引导架的妨碍架。


6.根据权利要求1所述的半导体工序的反应副产物捕集装置，其特征在于，
所述第二捕集板以堵塞结构构成，以便使得废气向外径方向排出，在上部面形成有按既定角度引导废气流动或使废气流动迟滞的引导架及交叉组装于该引导架的妨碍架。


7.根据权利要求1所述的半导体工序的反应副产物捕集装置，其特征在于，
所述第三捕集板的一个区域以网部状构成，另一区域以由打孔的多个圆形孔排列形成的打孔部状构成。


8.根据权利要求7所述的半导体工序的反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宰孝，李娟周，金智洙，
申请(专利权)人：未来宝株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR