图像传感器像素结构制造技术

一种图像传感器像素结构。所述像素结构包括：光电转换电路、传输电路、开关电路、复位电路、第一电容及电荷泄放电路；其中：所述电荷泄放电路，耦接于所述第一电容及所述电源电压输出端之间，适于至少两个第二开关控制信号的控制下，将所述第一电容溢出的电荷泄放至所述电源电压输出端；所述至少两个第二开关控制信号具有不同的控制电压。应用上述方案，可以提高CMOS图像传感器的性能。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器像素结构
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器像素结构。
技术介绍
图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。图像传感器分为互补金属氧化物(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(ChargeCoupledDevice，CCD)图像传感器。其中CMOS图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，CMOS图像传感器越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。目前，CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。然而，现有CMOS图像传感器的性能仍有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是：如何提高CMOS图像传感器的性能。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种图像传感器的像素结构，包括：光电转换电路、传输电路、开关电路、复位电路、第一电容及电荷泄放电路；其中：所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器像素结构，其特征在于，包括：光电转换电路、传输电路、开关电路、复位电路、第一电容及电荷泄放电路；其中：/n所述光电转换电路，适于将光信号转换为曝光信号；/n所述传输电路，与所述光电转换电路耦接，适于将所述曝光信号传输至浮动扩散节点；/n所述开关电路，第一端与所述浮动扩散节点耦接，第二端与所述第一电容耦接，适于控制所述浮动扩散节点与所述第一电容之间连接的通断；所述第一电容的另一端接地；/n所述复位电路，第一端与电源电压输出端耦接，第二端与所述浮动扩散节点耦接，适于对所述浮动扩散节点、所述第一电容及所述光电转换电路进行复位；/n所述电荷泄放电路，耦接于所述第一电容及所述电源电压输...

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器像素结构，其特征在于，包括：光电转换电路、传输电路、开关电路、复位电路、第一电容及电荷泄放电路；其中：
所述光电转换电路，适于将光信号转换为曝光信号；
所述传输电路，与所述光电转换电路耦接，适于将所述曝光信号传输至浮动扩散节点；
所述开关电路，第一端与所述浮动扩散节点耦接，第二端与所述第一电容耦接，适于控制所述浮动扩散节点与所述第一电容之间连接的通断；所述第一电容的另一端接地；
所述复位电路，第一端与电源电压输出端耦接，第二端与所述浮动扩散节点耦接，适于对所述浮动扩散节点、所述第一电容及所述光电转换电路进行复位；
所述电荷泄放电路，耦接于所述第一电容及所述电源电压输出端之间，适于至少两个第二开关控制信号的控制下，将所述第一电容溢出的电荷泄放至所述电源电压输出端；所述至少两个第二开关控制信号具有不同的控制电压。


2.如权利要求1所述的图像传感器像素结构，其特征在于，所述开关电路包括：
第一晶体管；
所述第一晶体管的栅极适于接入第一开关控制信号，所述第一晶体管的第一端与所述浮动扩散节点连接，所述第一晶体管的第二端与所述第一电容连接。


3.如权利要求1所述的图像传感器像素结构，其特征在于，所述开关电路包括：
第二晶体管；
所述第二晶体管的栅极适于接入第一开关控制信号，所述第二晶体管的第一端与所述浮动扩散节点连接，所述第二晶体管的第二端与所述复位电路连接。


4.如权利要求2或3所述的图像传感器像素结构，其特征在于，所述电荷泄放电路，包括：
第三晶体管；
所述第三晶体管的栅极适于接入所述第二开关控制信号，所述第三晶体管的第一端与所述第一电容连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金德，王林，胡万景，
申请(专利权)人：锐芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32