发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装制造技术

一种发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装，发光二极管载具包含基板、导电层、粘着层以及反射元件。导电层设置于基板上，并具有接合部，接合部具有顶面高于导电层的延伸部的顶面。粘着层覆盖导电层的延伸部，并暴露导电层的接合部。反射元件设置于粘着层上。粘着层具有卡勾部，卡勾部接触反射元件的底角。本揭示的发光二极管载具是以具有卡勾部的粘着层为特征，粘着层的卡勾部与反射元件的底角相卡合，以牢固地将反射元件固定于粘着层上。此外，导电层具有隆起的接合部，保护粘着层不受发光二极管晶片所发出的光直接照射。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装
本揭示是关于一种发光二极管载具。
技术介绍
发光二极管封装通常包含发光二极管晶片以及反射元件(例如：反射杯)，反射元件配置以导引发光二极管晶片所发出的光。在已知的发光二极管封装中，反射元件是运用粘着剂固定于发光二极管封装的基板上。由于反射元件可能在粘着剂固化前不经意的移位，有时会出现反射元件位置不正确的情形。此外，粘着剂在没有受到任何保护下直接暴露于发光二极管晶片所发出的光可能造成粘着剂劣化，进而导致反射元件从基板脱落。
技术实现思路
有鉴于此，本揭示的一目的是在于提出一种使反射元件能牢固地接附并精准定位的发光二极管载具。为达成上述目的，依据本揭示的一些实施方式，一种发光二极管载具包含基板、导电层、粘着层以及反射元件。导电层设置于基板上，并具有接合部，接合部具有顶面高于导电层的延伸部的顶面。粘着层覆盖导电层的延伸部，并暴露导电层的接合部。反射元件设置于粘着层上。粘着层具有卡勾部，卡勾部接触反射元件的底角。于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件的底角定义一开口，接合部通过所述开口。于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件具有环绕所述开口的一底面，卡勾部接触所述底面。于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件具有环绕所述开口且倾斜的一内表面，卡勾部延伸通过所述开口并接触所述内表面。于本揭示的一或多个实施方式中，卡勾部包覆反射元件的底角。于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件具有一凸块位于底角。于本揭示的一或多个实施方式中，底角具有垂直于反射元件的底面的一侧面。于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件的底角具有圆弧轮廓。于本揭示的一或多个实施方式中，卡勾部的弯折角度与底角的角度相配。于本揭示的一或多个实施方式中，卡勾部填入接合部与反射元件之间的一间隙。于本揭示的一或多个实施方式中，导电层还具有定位槽，反射元件具有突起部，突起部面向基板，并延伸进入定位槽。于本揭示的一或多个实施方式中，粘着层填入导电层的定位槽，并包覆反射元件的突起部。于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件具有定位槽，导电层还具有突起部延伸进入定位槽。于本揭示的一或多个实施方式中，粘着层填入反射元件的定位槽，并包覆导电层的突起部。依据本揭示的一些实施方式，一种发光二极管封装包含上述的发光二极管载具以及发光二极管晶片。发光二极管晶片设置于接合部上，并电性耦接接合部。于本揭示的一或多个实施方式中，接合部与发光二极管晶片几何相似。于本揭示的一或多个实施方式中，发光二极管封装进一步包含接合引线，发光二极管晶片经由接合引线电性耦接接合部。于本揭示的一或多个实施方式中，在俯视视角下，接合部的面积大于发光二极管晶片的面积。于本揭示的一或多个实施方式中，基板包含陶瓷材料。于本揭示的一或多个实施方式中，发光二极管封装进一步包含透镜，其固定至反射元件。综上所述，本揭示的发光二极管载具是以具有卡勾部的粘着层为特征，粘着层的卡勾部与反射元件的底角相卡合，以牢固地将反射元件固定于粘着层上。此外，导电层具有隆起的接合部，保护粘着层不受发光二极管晶片所发出的光直接照射。附图说明参照下列附图阅读下文中详述的实施方式，可更透彻地理解本揭示：图1为绘示依据本揭示一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；图2为图1所示的发光二极管封装的俯视示意图；图3为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；图4为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；图5为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；图6为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；图7为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；图8为图7所示的发光二极管封装的部分元件的俯视示意图；图9为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；以及图10为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图。【符号说明】100、200、300、400、500、600、700、900...发光二极管封装110、210、310、410、510、710、910...发光二极管载具120...基板130、230、730、930...导电层131...接合部131a...顶面132...延伸部132a...顶面140、240、340、440、540、740、940...粘着层141、341、441、541...卡勾部150、250、350、450、550、750...反射元件151...内表面152...底面153...内部空间154...上开口155...下开口156、456、556...底角160...透镜190...发光二极管晶片233...突起部257...定位槽357...凸块457...侧面670...接合引线757...突起部733、933...定位槽A1...角度G1...沟槽G2...间隙H1、H2、H3...高度具体实施方式以下详细介绍本揭示的实施方式，并且于附图中绘示示例性的实施方式。附图与说明书中尽可能使用相同的元件符号来代表相同或相似的元件。请参照图1以及图2。图1为绘示依据本揭示一实施方式的发光二极管封装100的剖视示意图。图2为图1所示的发光二极管封装100的俯视示意图。如图1所示，发光二极管封装100包含发光二极管晶片190以及发光二极管载具110，发光二极管载具110配置以容纳发光二极管晶片190，并包含基板120、导电层130、粘着层140以及反射元件150。导电层130设置于基板120上，并包含接合部131以及延伸部132，其中延伸部132连接并环绕接合部131。接合部131相较于延伸部132隆起，换言之，接合部131具有顶面131a，其高于延伸部132的顶面132a。于一些实施方式中，基板120包含陶瓷材料。于一些实施方式中，导电层130包含铜、镍、金、银、金锡合金、镍锡合金、锡银铜合金、铁钴镍合金、其他合适的材料或上述材料的任意组合。如图1所示，发光二极管晶片190设置于接合部131的顶面131a，并以覆晶的方式电性耦接接合部131。于一些实施方式中，导电层130具有通过接合部131的沟槽G1，使得导电层130分为两电极分别连接发光二极管晶片190的阴极与阳极(图未示)。于一些实施方式中，接合部131与发光二极管晶片190几何相似，举例而言，如图2所示，接合部131与发光二极管晶片190均为正方形。然而，本揭示并不限于上述几何配置，接合部131可具有其他本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管载具，其特征在于，包含：/n一基板；/n一导电层，设置于该基板上，并具有一接合部，该接合部具有一顶面高于该导电层的一延伸部的一顶面；/n一粘着层，覆盖该导电层的该延伸部，并暴露该导电层的该接合部；以及/n一反射元件，设置于该粘着层上，其中该粘着层具有一卡勾部，该卡勾部接触该反射元件的一底角。/n

【技术特征摘要】
20190327 US 16/367,2321.一种发光二极管载具，其特征在于，包含：
一基板；
一导电层，设置于该基板上，并具有一接合部，该接合部具有一顶面高于该导电层的一延伸部的一顶面；
一粘着层，覆盖该导电层的该延伸部，并暴露该导电层的该接合部；以及
一反射元件，设置于该粘着层上，其中该粘着层具有一卡勾部，该卡勾部接触该反射元件的一底角。


2.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件的该底角定义一开口，该接合部通过该开口。


3.根据权利要求2所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件具有一底面，该底面环绕该开口，该卡勾部接触该底面。


4.根据权利要求2所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件具有倾斜的一内表面，该内表面环绕该开口，该卡勾部延伸通过该开口并接触该内表面。


5.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该卡勾部包覆该反射元件的该底角。


6.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件具有一凸块位于该底角。


7.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该底角具有一侧面，该侧面垂直于该反射元件的一底面。


8.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件的该底角具有一圆弧轮廓。


9.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该卡勾部的一弯折角度与该底角的一角度相配。


10.根据权利要求1所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志豪，林浚朋，陈长翰，杨光能，郭政达，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71