【技术实现步骤摘要】
一种SiHfOC陶瓷材料及其制备方法
本专利技术属于耐高温陶瓷材料
,具体涉及一种SiHfOC陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
SiOC陶瓷是一种具有高性价比的轻质耐高温结构材料,具有低密度(<2.2g/cm3)、较好的高温稳定性、化学稳定性等优点。在航空航天领域具有很好的应用价值。SiOC陶瓷材料的力学性能、高温稳定性、化学稳定性等都要明显优于传统的SiO2材料;同时,SiOC陶瓷材料还可以有多样化的分子结构或者成分,使其具有发光、介电等功能特性,可用作轻质高温结构材料、光学材料、电子封装陶瓷基片材料、锂离子电池电极材料等,因此SiOC陶瓷材料得到了广泛的关注和研究。SiOC陶瓷材料主要由聚硅氧烷(polysiloxane,PSO)在高温条件下裂解转化而成。聚硅氧烷种类多,价格低,陶瓷产率高,理化性能优良,在空气中稳定性高,操作安全性好,被认为是制备高性价比陶瓷材料的理想原料。然而,由于SiOC陶瓷具有亚稳的三元结构,在高温下会发生重排分相及碳热还原反应导致其性能下降,限制了SiOC陶瓷的耐高温性能及高 ...
【技术保护点】
1.一种SiHfOC陶瓷材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:/n1)制备铪溶胶:将HfOCl
【技术特征摘要】
1.一种SiHfOC陶瓷材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)制备铪溶胶:将HfOCl2·8H2O溶于乙醇,HfOCl2·8H2O与乙醇的质量比为1-4:4,加入螯合剂,螯合剂与HfOCl2·8H2O的物质的量比为1-4:1,搅拌得到铪溶胶;
2)制备凝胶:用硅树脂乙醇溶液与上步骤得到的铪溶胶按照5:2-3的质量比混合,干燥静置后形成凝胶;所述的硅树脂乙醇溶液的质量浓度为30-60%;
3)制备先驱体:将上步骤得到的凝胶加热到150-250℃,充分干燥后得到铪改性聚硅氧烷先驱体;
4)制备SiHfOC陶瓷材料:利用先驱体转化法将上步骤得到的先驱体在惰性气氛下进行高温裂解,高温裂解的温度为1000-1200℃,高温裂解的时间为30-120min,裂解完成后得到SiHfOC陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的一种SiHfOC陶瓷材料的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭蕾,马青松,
申请(专利权)人:中国人民解放军国防科技大学,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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