黑色标记组合物和使用其的电子部件制造技术

本发明专利技术提供一种黑色标记组合物，其无论电子部件素体的组成如何，标记和素体的密合性或标记的对比度均优异，通用性更高。该黑色标记组合物含有硼硅酸玻璃和黑色氧化物，其中，所述硼硅酸玻璃的结晶化温度低于910℃，相对于黑色标记组合物中包含的无机固体成分100质量％(氧化物换算)，Zn含量以ZnO换算为0.05质量％以下。

【技术实现步骤摘要】
黑色标记组合物和使用其的电子部件
本专利技术涉及黑色标记组合物和具有由该黑色标记组合物构成的标记的电子部件、以及具有该电子部件的通信设备。
技术介绍
在电子部件中，为了指定贴装时的方向而避免贴装出错或制造出错等目的，有时在部件的表面上设置标记。作为电子部件的标记，广泛使用由金属材料构成的标记材料(专利文献1和2)。但是，这样的由金属材料构成的标记需要考虑与设置于电子部件上的端子电极的短路，标记形状或位置受到限制。特别是近年来，强烈要求产品的小型化和高特性化，这样的问题变得更加显著。即，在标记由金属材料构成的情况下，因为越将产品小型化，电极和标记之间的距离越窄，所以其间容易接触，容易短路。为了解决这样的问题，提出了由金属以外的材料形成标记的技术(专利文献3)。在专利文献3中公开了一种电子部件，该电子部件具有由黑色标记组合物构成的标记，该黑色标记组合物具有：硼硅酸玻璃；黑色氧化物，其包括Cr和Mn，且包括选自Fe、Ni、Cu和Co中的一种以上的元素；和选自Al2O3、TiO2、ZrO、Mg2SiO4和锶长石中的一种以上；所述黑色标记组合物中的硼硅酸玻璃的含量为45～85质量％，所述黑色标记组合物中的选自Al2O3、TiO2、ZrO2、Mg2SiO4和锶长石中的一种以上的含量为5～20质量％，所述电子部件是电子部件素体以Ba－Nd－Ti系陶瓷组合物为主成分的电子部件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005－64267号公报专利文献2：日本特开2008－21752号公报专利文献3：专利第5888277号
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题上述专利文献3所记载的黑色标记组合物特别适用于对电子部件素体以Ba－Nd－Ti系陶瓷组合物为主成分的电子部件做标记，实现标记和素体之间的优异的密合性和对比度。但是，由本专利技术的专利技术人发现，有的电子部件素体的组成，会损害标记与素体的密合性或标记的对比度。因此，本专利技术的目的在于提供一种黑色标记组合物，其无论电子部件素体的组成如何，标记与素体的密合性、标记的对比度优异，通用性更高。用于解决技术问题的技术方案实现该目的的本专利技术包括以下的主旨。(1)一种黑色标记组合物，其含有硼硅酸玻璃和黑色氧化物，其中，上述硼硅酸玻璃的结晶化温度低于910℃，相对于黑色标记组合物中包含的无机固体成分100质量％(氧化物换算)，Zn含量以ZnO换算为0.05质量％以下。(2)根据(1)所述的黑色标记组合物，其中，上述硼硅酸玻璃的结晶化温度为850℃以上。(3)根据(1)或(2)所述的黑色标记组合物，其中，上述硼硅酸玻璃的软化点为结晶化温度以下，处于700℃～850℃的范围。(4)根据(1)～(3)中任一项所述的黑色标记组合物，其中，上述硼硅酸玻璃的含量为50～90质量％。(5)根据(1)～(4)中任一项所述的黑色标记组合物，其中，上述黑色氧化物的含量为5～30质量％。(6)根据(1)～(5)中任一项所述的黑色标记组合物，其中，含有选自ZrO2、Al2O3、TiO2和Mg2SiO4中的一种以上的添加氧化物。(7)根据(6)所述的黑色标记组合物，其中，上述添加氧化物包含ZrO2。(8)根据(6)或(7)所述的黑色标记组合物，其中，上述添加氧化物的含量为2.5～30质量％。(9)根据(1)～(8)中任一项所述的黑色标记组合物，其中，上述黑色氧化物为包含Fe和Mn、且包含选自Cr、Ni、Cu和Co中的一种以上的元素的黑色氧化物。(10)一种电子部件，其中，在素体表面具有由上述(1)～(9)中任一项所述的黑色标记组合物构成的标记。(11)根据(10)所述的电子部件，其中，上述素体是将介电层和内部电极层层叠的构造，内部电极层包含Ag，介电层由能够与Ag同时烧制、且能够在910℃以下烧结的介电陶瓷组合物构成。(12)根据(11)所述的电子部件，其中，上述介电陶瓷组合物含有选自Mg2SiO4、(CaxBaySr1－x－y)TiO3(x、y为1.0～0.0)和BaO－Nd2O3－TiO2系陶瓷中的一种以上。(13)一种通信设备，其具有上述(10)～(12)中任一项所述的电子部件。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的电子部件。具体实施方式以下基于附图所示的实施方式对本专利技术进行说明。(电子部件11)如图1所示，作为本专利技术一个实施方式的电子部件的高频滤波器11将素体1作为主要部分，具有形成于素体1的端子电极6～9。端子电极6～9与素体1的内部电极电连接，除了如图1那样形成于端部以外，也能形成于素体1的背面。而且，在素体1的表面形成有用于表示方向性的标记10。(标记10)标记10的形状没有特别限制，能够适当地选择长方形、三角形、球形等。标记的面积也没有特别限制，根据用途设为适当的大小即可。另外，其厚度也没有特别限定。标记10是将本专利技术的黑色标记组合物进行烧制而构成。(黑色标记组合物)本实施方式的黑色标记组合物含有硼硅酸玻璃和黑色氧化物。(硼硅酸玻璃)硼硅酸玻璃的结晶化温度低于910℃，优选处于850℃以上且低于910℃的范围。如果黑色标记组合物中包含的硼硅酸玻璃的结晶化温度处于上述范围，则大致与介电陶瓷组合物的烧结同时，硼硅酸玻璃结晶化。其结果，标记的坚韧性变高，不易产生标记的裂纹等。硼硅酸玻璃的软化点为结晶化温度以下，优选处于700℃～850℃的范围，更优选处于800℃～830℃的范围。通过将软化点处于上述范围的硼硅酸玻璃用于标记组合物，标记形状追随素体烧制时的素体的收缩，因此，素体与标记的密合性变高，能够防止标记的脱落或裂纹。在本实施方式中，硼硅酸玻璃是包含硼和硅的氧化物，还可以含有铝、钡、钙、镁等。硼硅酸玻璃中的硼的含量以B2O3换算优选处于0.5～50质量％的范围。硼硅酸玻璃中的硅的含量以SiO2换算优选处于10～80质量％的范围。在硼硅酸玻璃包含铝、钡、钙、镁的情况下，它们的含量的合计以氧化物换算优选处于10～80质量％的范围。硼硅酸玻璃的结晶化温度和软化点能够由玻璃组成控制，但能够从市场上出售的商品中取得具有适当的结晶化温度和软化点的玻璃。在本实施方式的黑色标记组合物中，硼硅酸玻璃的含量优选为50～90质量％，更优选为60～80质量％。通过将硼硅酸玻璃的含量设为上述范围，可以形成能够充分地确保固着强度和与素体材料的对比度的非金属标记。(黑色氧化物)在本实施方式的黑色标记组合物中所使用的黑色氧化物没有特别限定，适当地使用用作标记材料的各种黑色氧化物。例如日本特开平6－340447号公报、日本特开平6－144871号公报、日本特开2000－264639号公报、日本特开2007－217544号公报本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种黑色标记组合物，其含有硼硅酸玻璃和黑色氧化物，其特征在于：/n所述硼硅酸玻璃的结晶化温度低于910℃，/n相对于黑色标记组合物中包含的无机固体成分以氧化物换算100质量％，Zn含量以ZnO换算为0.05质量％以下。/n

【技术特征摘要】
20190329 JP 2019-0686521.一种黑色标记组合物，其含有硼硅酸玻璃和黑色氧化物，其特征在于：
所述硼硅酸玻璃的结晶化温度低于910℃，
相对于黑色标记组合物中包含的无机固体成分以氧化物换算100质量％，Zn含量以ZnO换算为0.05质量％以下。


2.根据权利要求1所述的黑色标记组合物，其特征在于：
所述硼硅酸玻璃的结晶化温度为850℃以上。


3.根据权利要求1所述的黑色标记组合物，其特征在于：
所述硼硅酸玻璃的软化点为结晶化温度以下、处于700℃～850℃的范围。


4.根据权利要求1所述的黑色标记组合物，其特征在于：
所述硼硅酸玻璃的含量为50～90质量％。


5.根据权利要求1所述的黑色标记组合物，其特征在于：
所述黑色氧化物的含量为5～30质量％。


6.根据权利要求1所述的黑色标记组合物，其特征在于：
含有选自ZrO2、Al2O3、TiO2和Mg2SiO4中的一种以上的添加氧化物。


7.根据权利要求6所述的黑色...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井隆史，广瀬修，阿部将典，木村一成，小更恒，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP