一种可控硅驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电源电路技术领域，具体涉及一种可控硅驱动电路，包括整流电路、开关电源控制器、功率开关、隔离型变压器T、普通型光耦U、整流二极管D和电容C，隔离型变压器T包括主绕组、第一副绕组和第二副绕组，主绕组接整流电路、开关电源控制器和功率开关，第一副绕组的输出端接普通型光耦U的引脚，普通型光耦的引脚输入控制信号，普通型光耦U的引脚接整流二极管D的负极，整流二极管D的正极接第二副绕组的一端，整流二极管D的负极同时接电容C，电容C的另一端与第二副绕组的另一端共同接地，整流电路的输出端接开关电源控制器，开关电源控制器的输出端接功率开关和隔离器变压器T，本实用新型专利技术降低了生产成本，有助于小型化，同时。

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅驱动电路
本技术涉及电源电路
，具体涉及一种可控硅驱动电路。
技术介绍
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成，它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等；可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点，它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。在LED领域，传统的交流供电带功率因数调整功能的LED恒流驱动电路，主要包括隔离型和非隔离型两种结构，在隔离型结构中又有两种控制结构，一种是两级控制，一种是单级控制，相对于两级控制来说，单级控制的电路相对简单，成本也相对较低。但是在隔离型单级控制的LED驱动电路中，一般采用光耦反馈得到恒流控制信号，由于采用光耦反馈，需要在副边增加误差放大器，采样输出电流，所需要的元件较多，电路实现较为复杂，PCB布版空间很大，不利于产品小型化；同时，一般隔离型可控硅的驱动电路，需要用隔离型变压器将强电和光耦芯片的工作电源隔离开，因此，控制隔离型可控硅一般采用专用的隔离型光耦来实现，增加了成本。
技术实现思路
解决的技术问题针对现有技术所存在的上述缺点，本技术提供了一种可控硅驱动电路，解决了隔离型单级控制的LED驱动电路中的光耦反馈扩大了PCB的布版，电路实现较为复杂；同时一般隔离型可控硅的驱动电路由于需用隔离型变压器将强电和光耦芯片的工作电源隔离开而采用专门的隔离型光耦，进一步增加了成本的问题。技术方案为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种可控硅驱动电路，包括整流电路、开关电源控制器、功率开关、隔离型变压器T、普通型光耦U、整流二极管D和电容C，所述隔离型变压器T包括主绕组、第一副绕组和第二副绕组，所述主绕组接整流电路、开关电源控制器和功率开关，所述第一副绕组的输出端接普通型光耦U的引脚，所述普通型光耦的引脚输入控制信号，所述普通型光耦U的引脚接整流二极管D的负极，所述整流二极管D的正极接第二副绕组的一端，所述整流二极管D的负极同时接电容C，所述电容C的另一端与第二副绕组的另一端共同接地，所述整流电路的输出端接开关电源控制器，所述开关电源控制器的输出端接功率开关和隔离器变压器T。更进一步地，所述电容C为电解电容，且电容的正极与整流二极管D的负极连接，电容的负极接地。更进一步地，所述主绕组与第一副绕组隔离，同时主绕组与第二副绕组不隔离。更进一步地，所述开关电源控制器包括乘法器电路、过零检测电路、开通信号控制电路、比较器电路、触发器电路、驱动电路和调光角度检测电路。更进一步地，所述调光角度检测电路还包括调光比较器电路和低通滤波器。更进一步地，所述普通型光耦的引脚与第一副绕组的一端共同接地。有益效果采用本技术提供的技术方案，与已知的公有技术相比，具有如下有益效果：1、本技术通过开关电源控制器实现了可控硅调光、高低压输入情况下输出电流恒定，省去了光耦反馈、副边的误差放大器，直接使用变压器隔离，提高了电路的安全性能，外围电路简单，降低了成本，有利于产品小型化。2、本技术通过增加第二副绕组，利用整流二极管D向电容C存储形成稳定的电压，为普通型光耦U提供电源，从而实现普通型光耦U的驱动以及隔离型可控硅的驱动门极电流，使得驱动更加稳定可靠。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的电路结构示意图；图2为本技术的开关电源控制器电路结构示意图；图中的标号分别代表：101-整流电路；102-开关电源控制器；103-功率开关。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。下面结合实施例对本技术作进一步的描述。实施例本实施例的一种可控硅驱动电路，参照图1-2：包括整流电路101、开关电源控制器102、功率开关103、隔离型变压器T、普通型光耦U、整流二极管D和电容C，隔离型变压器T包括主绕组、第一副绕组和第二副绕组，主绕组接整流电路101、开关电源控制器102和功率开关103，第一副绕组的输出端接普通型光耦U的引脚1，普通型光耦的引脚2输入控制信号，普通型光耦U的引脚3接整流二极管D的负极，整流二极管D的正极接第二副绕组的一端，整流二极管D的负极同时接电容C，电容C的另一端与第二副绕组的另一端共同接地，整流电路101的输出端接开关电源控制器102，开关电源控制器102的输出端接功率开关103和隔离器变压器T。其中，电容C为电解电容，且电容的正极与整流二极管D的负极连接，电容的负极接地，主绕组与第一副绕组隔离，同时主绕组与第二副绕组不隔离，开关电源控制器102包括乘法器电路、过零检测电路、开通信号控制电路、比较器电路、触发器电路、驱动电路和调光角度检测电路，调光角度检测电路还包括调光比较器电路和低通滤波器，普通型光耦的引脚4与第一副绕组的一端共同接地。工作原理：隔离型变压器T设计有第二副绕组，利用整流二极管D向电容C存储形成稳定的电压，为普通型光耦U提供电源，从而实现普通型光耦U的驱动以及隔离型可控硅的驱动门极电流，使得驱动更加稳定可靠。开关电源控制器102的乘法器电路，接收表示输入电压瞬时交流值的信号，输出基准电压信号，基准电压信号与输入电压瞬时交流值的信号成正比；开关电源控制器102的过零检测电路，接收开关电源的辅助绕组信号，检测开关电源的副边输出续流二极管的导通时间，输出过零检测信号；开关电源控制器102的开通信号控制电路，接收过零检测电路输出的过零检测信号和乘法器电路输出的基准电压信号；开关电源控制器102的比较器电路用于采样开关电源的变压器原边峰值电流，并与所述基准电压信号进行比较，当原边峰值电流采样电压与乘法器的输出的基准电压信号相同时，输出功率开关的关断信号；开关电源控制器102触发器电路用于接收开通信号控制电路的输出信号和比较器电路输出信号，输出第一驱动信号到驱动电路；开关电源控制器102驱动电路用于接收触发器电路输出的第一驱动信号，当比较器电路的输出为功率开关的关断信号时，控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅驱动电路，其特征在于：包括整流电路101、开关电源控制器102、功率开关103、隔离型变压器T、普通型光耦U、整流二极管D和电容C，所述隔离型变压器T包括主绕组、第一副绕组和第二副绕组，所述主绕组接整流电路101、开关电源控制器102和功率开关103，所述第一副绕组的输出端接普通型光耦U的引脚1，所述普通型光耦的引脚2输入控制信号，所述普通型光耦U的引脚3接整流二极管D的负极，所述整流二极管D的正极接第二副绕组的一端，所述整流二极管D的负极同时接电容C，所述电容C的另一端与第二副绕组的另一端共同接地，所述整流电路101的输出端接开关电源控制器102，所述开关电源控制器102的输出端接功率开关103和隔离器变压器T。/n

【技术特征摘要】
1.一种可控硅驱动电路，其特征在于：包括整流电路101、开关电源控制器102、功率开关103、隔离型变压器T、普通型光耦U、整流二极管D和电容C，所述隔离型变压器T包括主绕组、第一副绕组和第二副绕组，所述主绕组接整流电路101、开关电源控制器102和功率开关103，所述第一副绕组的输出端接普通型光耦U的引脚1，所述普通型光耦的引脚2输入控制信号，所述普通型光耦U的引脚3接整流二极管D的负极，所述整流二极管D的正极接第二副绕组的一端，所述整流二极管D的负极同时接电容C，所述电容C的另一端与第二副绕组的另一端共同接地，所述整流电路101的输出端接开关电源控制器102，所述开关电源控制器102的输出端接功率开关103和隔离器变压器T。


2.根据权利要求1所述的一种可控硅驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙青春，
申请(专利权)人：深圳市三工驱动技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44