一种毫米波二阶分形天线及硅基三维集成结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种毫米波二阶分形天线及硅基三维集成结构，包括衬底，所述衬底的底部溅射有第一种子层，所述衬底的顶部涂覆并固化设置有BCB介质层，所述BCB介质层溅射有第二种子层，所述BCB介质层的顶部通过第二种子层与导电层相连，所述导电层上设置有Peano曲线。本实用新型专利技术在衬底上实现了含分形曲线的小型化结构，相比于传统基板上天线，结构新颖，面积小，与其他器件、芯片工艺相兼容，从而天线更为轻便紧凑地与模块集成。

【技术实现步骤摘要】
一种毫米波二阶分形天线及硅基三维集成结构
本技术涉及天线
，尤其涉及一种毫米波二阶分形天线及硅基三维集成结构。
技术介绍
天线是一种变换器，它把传输线上传播的导行波，变换成在无界媒介(通常是自由空间)中传播的电磁波，或者进行相反的变换，它也是在无线电设备中用来发射或接收电磁波的部件。随着更高密度的晶圆级系统级封装(WLSiP)技术的发展，急需解决天线在硅基上的集成问题，如何实现硅基毫米波小型化平面天线，对于形成更为完整的微波封装系统具有重要意义。传统的硅基天线通常设有矩形芯片，而使用矩形芯片会导致天线所占面积较大，不利于与其他电路和器件集成。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于一种毫米波二阶分形天线及硅基三维集成结构，以解决天线所占面积较大，不利于与其他电路和器件集成的问题。本技术通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：一种毫米波二阶分形天线，包括衬底，所述衬底的底部溅射有第一种子层，所述衬底的顶部涂覆并固化设置有BCB介质层，所述BCB介质层上溅射有第二种子层，所述BCB介质层的顶部通过第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种毫米波二阶分形天线，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)的底部溅射有第一种子层(2)，所述衬底(1)的顶部涂覆并固化设置有BCB介质层(3)，且所述BCB介质层(3)溅射有第二种子层，所述BCB介质层(3)的顶部通过第二种子层与导电层(4)相连，所述导电层(4)上设置有Peano曲线。/n

【技术特征摘要】
1.一种毫米波二阶分形天线，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)的底部溅射有第一种子层(2)，所述衬底(1)的顶部涂覆并固化设置有BCB介质层(3)，且所述BCB介质层(3)溅射有第二种子层，所述BCB介质层(3)的顶部通过第二种子层与导电层(4)相连，所述导电层(4)上设置有Peano曲线。


2.根据权利要求1所述的毫米波二阶分形天线，其特征在于，所述衬底(1)为双抛高阻硅片，厚度300-450μm。


3.根据权利要求1所述的毫米波二阶分形天线，其特征在于，所述第一种子层(2)、第二种子层均包括TiW层以及Cu层，且在所述Cu层与衬底(1)之...

【专利技术属性】
技术研发人员：周杨，李旺，张根烜，陈奇海，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：新型
国别省市：安徽;34