【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种存储器。
技术介绍
自旋转移力矩磁阻随机访问存储器(SpinTransferTorque-MagneticRandomAccessMemory，STT-MRAM)为具有非易失性、工作速度快、擦写次数无限次等优势的新型存储器。相较于静态随机访问存储器(StaticRandomAccessMemory，SRAM)，STT-MRAM除具有SRAM的高性能外，在静态功耗方面和面积方面都有着巨大的优势。而随着半导体工艺的进步，STT-MRAM面临着越来越高的集成度需求，以及高集成度带来的各种电性问题。
技术实现思路
本申请提供一种存储器，可提升存储器的集成密度。为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：本申请的第一方面，提供一种存储器，包括存储区，存储区包括设置于衬底上的若干存储单元；每个存储单元均包括设置于衬底上的晶体管和与其电连接的MTJ存储元件；MTJ存储元件包括底电极、顶电极和位于二者之间的MTJ，底电极与晶体管的漏电极通过导通结构电连接；存储区在晶体管和MTJ存...
【技术保护点】
一种存储器，其特征在于，包括存储区，所述存储区包括设置于衬底上的若干存储单元；每个所述存储单元均包括设置于所述衬底上的晶体管和与其电连接的磁隧道结MTJ存储元件；/n所述MTJ存储元件包括底电极、顶电极和位于二者之间的MTJ，所述底电极与所述晶体管的漏电极通过导通结构电连接；/n所述存储区在所述晶体管和所述MTJ存储元件之间设置有多层布线层，且相邻的布线层之间填充有介质层；/n所述导通结构包括第一导通部，所述第一导通部包括第一金属布线、第二金属布线以及位于所述第一金属布线和所述第二金属布线之间的第一通孔；所述多层布线层包括第一布线层，第二布线层和第三布线层，所述第三布线层设...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种存储器，其特征在于，包括存储区，所述存储区包括设置于衬底上的若干存储单元；每个所述存储单元均包括设置于所述衬底上的晶体管和与其电连接的磁隧道结MTJ存储元件；
所述MTJ存储元件包括底电极、顶电极和位于二者之间的MTJ，所述底电极与所述晶体管的漏电极通过导通结构电连接；
所述存储区在所述晶体管和所述MTJ存储元件之间设置有多层布线层，且相邻的布线层之间填充有介质层；
所述导通结构包括第一导通部，所述第一导通部包括第一金属布线、第二金属布线以及位于所述第一金属布线和所述第二金属布线之间的第一通孔；所述多层布线层包括第一布线层，第二布线层和第三布线层，所述第三布线层设置于所述第一布线层和所述第二布线层之间；所述第一布线层包括所述第一金属布线，所述第二布线层包括所述第二金属布线，所述第一通孔贯穿处于所述第一布线层和所述第二布线层之间的介质层以及所述第三布线层；所述第一通孔中设置有第一连接通道，所述第一连接通道与所述第一金属布线和所述第二金属布线直接连接，所述第一连接通道不与所述第三布线层上的金属布线直接连接。
根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储区设置有第二通孔，所述第二通孔贯穿所述第三布线层；
所述第一通孔和所述第二通孔相邻，所述第三布线层的处于所述第一通孔和所述第二通孔之间的部分上没有金属布线。
根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储区设置有第三通孔，所述第三通孔的一端起始于所述第三布线层，所述第三通孔中的第三连接通道与所述第三布线层上的金属布线连接，所述第三通孔和所述第一通孔相邻。
根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一导通部为至少两个，且所有所述第一导通部沿所述衬底的厚度方向设置。
根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，任意相邻的两个所述第一导通部共用所述第二金属布线或所述第一金属布线。
根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述导通结构还包括第二导通部，所述第二导通部设置于所述第一导通部与所述MTJ存储元件之间；
所述第二导通部包括第四金属布线和第四通孔；所述多层布线层还包括第四布线层，所述第四布线层包括所述第四金属布线；所述第四通孔贯穿处于所述第四布线层和所述第一导通部之间的所述介质层；
所述第四通孔中设置有第四连接通道，所述第四连接通道与所述第四金属布线、所述第四金属布线相邻的所述第一金属布线或所述第二金属布线直接连接。
根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述导通结构还包括第三导通部，所述第三导通部设置于所述第一导通部与所述晶体管之间；
所述第三导通部包括第五通孔，所述第五通孔贯穿处于所述第一导通部与所述晶体管漏电极之间的介质层；
所述第五通孔中设置有第五连接通道，所述第五连接通道与所述晶体管的漏电极、所述晶体管的漏电极相邻的所述第一金属布线或所述第二金属布线直接连接。
根据权利要求1-7任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一通孔贯穿处于所述第一布线层和所述第二布线层之间的一层或两层所述第三布线层；
其中，在所述导通结构的所述第一导通部为至少两个的情况下，每个所述第一...
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