【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】应变片及传感器模块
本专利技术涉及一种应变片(straingauge)及传感器模块。
技术介绍
已知一种应变片,其粘贴在测定对象物上,以对测定对象物的应变进行检测。应变片具有用于对应变进行检测的电阻体,作为电阻体的材料,例如使用包含Cr(铬)或Ni(镍)的材料。另外,电阻体例如形成在由绝缘树脂构成的基材上(例如参见专利文献1)。<现有技术文献><专利文献>专利文献1:(日本)特开2016-74934号公报
技术实现思路
<本专利技术要解决的问题>近年来,寻求使应变片高电阻化,并且正在对电阻体的材料等进行研究。鉴于上述问题,本专利技术的目的在于,在包括在具有可挠性的基材上所形成的电阻体的应变片中,使电阻体高电阻化。<用于解决问题的手段>本应变片包括:基材,具有可挠性;功能层,在所述基材的一个表面上,由金属、合金、或金属的化合物形成;电阻体,在所述功能层的一个表面上,由Cr混合相膜形成;以及绝缘树脂层,覆盖 ...
【技术保护点】
1.一种应变片,包括:/n基材,具有可挠性;/n功能层,在所述基材的一个表面上,由金属、合金、或金属的化合物形成;/n电阻体,在所述功能层的一个表面上,由Cr混合相膜形成;以及/n绝缘树脂层,覆盖所述电阻体。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 JP 2017-2468711.一种应变片,包括:
基材,具有可挠性;
功能层,在所述基材的一个表面上,由金属、合金、或金属的化合物形成;
电阻体,在所述功能层的一个表面上,由Cr混合相膜形成;以及
绝缘树脂层,覆盖所述电阻体。
2.根据权利要求1所述的应变片,其中,
所述电阻体的膜厚为0.05μm以上且0.5μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的应变片,其中,
所述电阻体的线宽为5μm以上且40μm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片,其中,
所述功能层具有促进所述电阻体的晶体生长的功能。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的应变片,其中,
所述基材的膨胀系数在7ppm/K~20ppm/K的范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的应变片,其中,
所述基材的一个表面的表面凹凸为15nm以下,
所述电阻体的膜厚为0.05μm以上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的应变片,其中,
所述应变片包括电极,所述电极与所述电阻体电连接,
所述电极具有
...
【专利技术属性】
技术研发人员:美齐津英司,汤口昭代,小笠洋介,
申请(专利权)人:美蓓亚三美株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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