光固化性含硅被覆膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术的课题是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其在高低差基板上在不需要将含硅被覆膜在高温下固化烧成的情况下进行光固化，从而不会使存在于下层的进行了光固化的有机下层膜的平坦化恶化，因此在平坦化性高的有机下层膜上形成平坦化性高的含硅被覆膜，在其上层被覆抗蚀剂，从而对抑制层界面的漫反射、抑制蚀刻后的高低差产生是有效的。解决手段是一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)(在式(1)中，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光固化性含硅被覆膜形成用组合物
涉及用于将具有高低差的基板通过光交联而形成平坦化膜的高低差基板被覆组合物、以及使用了该高低差基板被覆组合物的被平坦化了的叠层基板的制造方法。
技术介绍
近年来，半导体集成电路装置以微细的设计规则被加工。为了通过光光刻技术而形成更加微细的抗蚀剂图案，需要将曝光波长进行短波长化。然而，随着曝光波长的短波长化而焦深降低，因此需要使形成于基板上的被膜的平坦化性提高。为了制造具有微细的设计规则的半导体装置，基板上的平坦化技术变得重要。公开了通过光固化而形成平坦化膜例如在抗蚀剂下形成的抗蚀剂下层膜的方法。公开了包含侧链具有环氧基、氧杂环丁烷基的聚合物和光阳离子聚合引发剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物、或包含具有能够自由基聚合的烯属不饱和键的聚合物和光自由基聚合引发剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照专利文献1)。此外，公开了包含具有环氧基、乙烯基等能够阳离子聚合的反应性基的硅系化合物、和光阳离子聚合引发剂、光自由基聚合引发剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照专利文献2)。此外，公开了使用下述抗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，/n该水解性硅烷由式(1)表示，/nR

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171220 JP 2017-2443571.一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，
该水解性硅烷由式(1)表示，
R1aR2bSi(R3)4-(a+b)式(1)
在式(1)中，R1为包含下述有机基(1)、有机基(2)、有机基(3)、有机基(4)、酚醛塑料形成基(5)、或它们的组合的有机基，所述有机基(1)含有碳原子与碳原子、氧原子或氮原子形成的多重键，所述有机基(2)含有环氧结构，所述有机基(3)含有硫，所述有机基(4)含有酰胺基、伯氨基～叔氨基、或伯铵基～叔铵基，所述酚醛塑料形成基(5)包含含有苯酚基的有机基或产生苯酚基的有机基、与含有羟甲基的有机基或产生羟甲基的有机基，并且R1通过Si-C键与硅原子结合；R2为烷基并且通过Si-C键与硅原子结合；R3表示烷氧基、酰氧基或卤基；a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。


2.根据权利要求1所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，所述水解性硅烷包含式(1)所示的水解性硅烷、以及选自式(2)所示的水解性硅烷和式(3)所示的水解性硅烷中的至少1种水解性硅烷，
R4cSi(R5)4-c式(2)
在式(2)中，R4为烷基或芳基，并且通过Si-C键与硅原子结合，R5表示烷氧基、酰氧基或卤基，c表示0～3的整数；
〔R6dSi(R7)3-d〕2Ye式(3)
在式(3)中，R6为烷基或芳基，并且通过Si-C键与硅原子结合，R7表示烷氧基、酰氧基或卤基，Y表示亚烷基或亚芳基，d表示0或1，e为0或1。


3.根据权利要求1或2所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，含有碳原子与碳原子形成的多重键的有机基(1)为乙烯基、炔丙基、烯丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯乙烯基、取代苯基、降冰片烯基、或含有它们的有机基。


4.根据权利要求1或2所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，含有碳原子与氧原子形成的多重键的有机基(1)为羰基、酰基、或含有它们的有机基。


5.根据权利要求1或2所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，含有碳原子与氮原子形成的多重键的有机基(1)为腈基、异氰酸酯基、或含有它们的有机基。


6.根据权利要求1或2所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，含有环氧结构的有机基(2)为环氧基、环氧环己基、缩水甘油基、氧杂环丁烷基、或它们开环而得的二羟基烷基、或含有它们的有机基。


7.根据权利要求1或2所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，含有硫的有机基(3)为硫醇基、硫醚基、二硫醚基、或含有它们的有机基。


8.根据权利要求1或2所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，含有酰胺基的有机基(4)为磺酰胺基、羧酸酰胺基、或含有它们的有机基。


9.根据权利要求1或2所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，含有伯铵基～叔铵基的有机基(4)为通过含有伯氨基～叔氨基的有机基与酸的结合而产生的基团。


10.根据权利要求1或2所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，酚醛塑料形成基(5)为缩醛化苯基与烷氧基苄基形成的基团、或含有它们的有机基。


11.根据权利要求1～10中任一项所述的光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其为在制造半导体装置的光刻工序中，用于在基板上的有机下层膜与抗蚀剂膜的中间层形成含硅抗蚀剂下层膜的光固化性含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述含硅抗蚀剂下层膜通过紫外线照射而固化。

【专利技术属性】
技术研发人员：柴山亘，德永光，石桥谦，桥本圭祐，中岛诚，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP