一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板包括衬底；薄膜晶体管结构层，设于衬底的一侧表面，包括两个以上薄膜晶体管器件；平坦层，设于薄膜晶体管结构层远离衬底的一侧表面；若干第一通孔，贯穿于平坦层，且设置于每一薄膜晶体管器件两侧；以及导电层，设于薄膜晶体管结构层远离衬底的一侧表面；其中，一导电层中部与一薄膜晶体管器件相对设置，其两端分别延伸至第一通孔，且贴附至第一通孔底部的薄膜晶体管结构层。本发明专利技术的有益效果在于：本发明专利技术的阵列基板及其制备方法、显示装置，通过在平坦层上刻蚀通孔，并通过导电层在侧面形成遮挡，从而导电层侧面和正面的光线进入薄膜晶体管结构层内部，提升了阵列基板的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本申请涉及显示面板领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
由于主动区半导体材料的光敏感特性，场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))的特性会受到外界环境光以及AMOLED(英语：Active-matrixorganiclight-emittingdiode，中译：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)自发光等的影响，导致显示性能降低。顶发射的背板结构的阳极具有反射顶部发射的光，但像素电极之间的空白区域的光会透过PLN层照射至FET，从而影响了FET的稳定性。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，用以解决现有技术中由于外界光线照射薄膜晶体管结构层，造成薄膜晶体管结构层性能降低的技术问题。解决上述技术问题的技术方案是：本专利技术提供了一种阵列基板，包括衬底；薄膜晶体管结构层，设于所述衬底的一侧表面，包括两个以上薄膜晶体管器件；平坦层，设于所述薄膜晶体管结构层远离所述衬底的一侧表面；若干第一通孔，贯穿于所述平坦层，且设置于每一薄膜晶体管器件两侧；以及导电层，设于所述薄膜晶体管结构层远离所述衬底的一侧表面；其中，一导电层中部与一薄膜晶体管器件相对设置，其两端分别延伸至一第一通孔，且贴附至该第一通孔底部的薄膜晶体管结构层。进一步的，所述薄膜晶体管结构层还包括遮光层，设于所述衬底的一侧表面；缓冲层，设于所述衬底的所述表面，且所述缓冲层覆盖所述遮光层；有源层，设于所述缓冲层远离所述衬底的一侧表面；栅极绝缘层，设于所述有源层远离所述缓冲层的一侧表面；栅极层，设于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧表面；介电层，设于所述缓冲层远离所述衬底的一侧表面，所述介电层覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层；源漏极层，设于所述介电层远离所述缓冲层的一侧表面，其中，所述源漏极层部分贯穿所述介电层和所述缓冲层，并连接至所述遮光层；以及钝化层，设于所述介电层远离所述缓冲层的一侧表面，其中，所述钝化层覆盖所述源漏极层；其中，所述薄膜晶体管器件由所述遮光层、所述有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极层和所述源漏极层组成。进一步的，所述平坦层对应所述源漏极层处设有第二通孔，所述导电层填充所述第二通孔并连接至所述源漏极层。进一步的，所述导电层为金属材料。进一步的，显示面板还包括挡墙，设于所述平坦层远离所述薄膜晶体管结构层的一侧表面，其中，所述挡墙对应所述导电层处设有第三通孔；发光层，设于所述第三通孔内，且连接至所述导电层；以及阴极，设于所述挡墙远离所述平坦层的一侧表面，其中所述阴极覆盖所述发光层。本专利技术还提供了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制备薄膜晶体管结构层，其中，所述薄膜晶体管结构层包括两个以上的薄膜晶体管器件；在所述薄膜晶体管结构层上制备平坦层；在所述平坦层上刻蚀第一通孔和第一通孔，其中所述第二通孔设于每一薄膜晶体管器件；在所述平坦层上制备一层金属材料，所述金属材料延伸至所述第一通孔内壁，并贴附至该第一通孔底部的薄膜晶体管结构层。进一步的，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤如下：在所述衬底上沉积遮光层；在所述衬底上沉积缓冲层，所述缓冲层的材料包括氮化硅或氧化硅中的至少一种；在所述缓冲层沉积一层半导体材料，对所述半导体材料进行局部导体化后形成有源层；在所述有源层上制备一层栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制备一层栅极层；在所述栅极层、栅极绝缘层、所述有源层和所述缓冲上沉积介电层；在所述介电层上刻蚀通孔，所述通孔贯穿所述介电层、所述缓冲层；在所述介电层上制备源漏极层，其中，所述源漏极层穿过所述通孔连接至所述遮光层；在所述介电层和所述源漏极层上沉积钝化层。进一步的，所述第二通孔对应所述源漏极层，并贯穿所述平坦层和所述钝化层；所述导电层填充所述第二通孔，并连接至所述源漏极层。进一步的，还包括以下步骤：在所述平坦层上制备挡墙，所述挡墙覆盖所述导电层；在所述挡墙对应所述导电层处开设通孔，在所述通孔内制备发光层；在所述挡墙上制备阴极，所述阴极覆盖所述发光层。本专利技术还提供了一种显示装置，包括所述显示面板。本专利技术的有益效果在于：本专利技术的阵列基板及其制备方法、显示装置，通过在平坦层上刻蚀通孔，并通过导电层在侧面形成遮挡，从而导电层侧面和正面的光线进入薄膜晶体管结构层内部，提升了阵列基板的使用寿命。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1是实施例中的阵列基板的结构示意图。图2是实施例中的第一通孔和第二通孔结构示意图。图3是实施例中的导电层结构示意图。图4是实施例中的平坦层结构示意图。图中标号衬底1；薄膜晶体管结构层2；平坦层4；导电层5；挡墙6；发光层7；阴极8；遮光层21；缓冲层22；有源层23；栅极绝缘层24；栅极层25；介电层26；源漏极层27；钝化层28；第一通孔41；第二通孔42；第三通孔61。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。实施例本实施例中，本专利技术的显示装置包括阵列基板和彩膜基板。如图1所示，其中，本专利技术的阵列基板包括衬底1、薄膜晶体管结构层2、平坦层4；导电层5、挡墙6、发光层7以及阴极8。衬底1为硬质基板，一般为玻璃基板，起到支撑作用及衬底作用。薄膜晶体管结构层2包括若干薄膜晶体管器件，其中，每一薄膜晶体管器件包括遮光层21、有源层23、栅极绝缘层24、栅极层25、以及源漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括/n衬底；/n薄膜晶体管结构层，设于所述衬底的一侧表面，包括两个以上薄膜晶体管器件；平坦层，设于所述薄膜晶体管结构层远离所述衬底的一侧表面；/n若干第一通孔，贯穿于所述平坦层，且设置于每一薄膜晶体管器件两侧；以及/n导电层，设于所述薄膜晶体管结构层远离所述衬底的一侧表面；/n其中，一导电层中部与一薄膜晶体管器件相对设置，其两端分别延伸至一第一通孔，且贴附至该第一通孔底部的薄膜晶体管结构层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括
衬底；
薄膜晶体管结构层，设于所述衬底的一侧表面，包括两个以上薄膜晶体管器件；平坦层，设于所述薄膜晶体管结构层远离所述衬底的一侧表面；
若干第一通孔，贯穿于所述平坦层，且设置于每一薄膜晶体管器件两侧；以及
导电层，设于所述薄膜晶体管结构层远离所述衬底的一侧表面；
其中，一导电层中部与一薄膜晶体管器件相对设置，其两端分别延伸至一第一通孔，且贴附至该第一通孔底部的薄膜晶体管结构层。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层还包括
遮光层，设于所述衬底的一侧表面；
缓冲层，设于所述衬底的所述表面，且所述缓冲层覆盖所述遮光层；
有源层，设于所述缓冲层远离所述衬底的一侧表面；
栅极绝缘层，设于所述有源层远离所述缓冲层的一侧表面；
栅极层，设于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧表面；
介电层，设于所述缓冲层远离所述衬底的一侧表面，所述介电层覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层；
源漏极层，设于所述介电层远离所述缓冲层的一侧表面，其中，所述源漏极层部分贯穿所述介电层和所述缓冲层，并连接至所述遮光层；以及
钝化层，设于所述介电层远离所述缓冲层的一侧表面，其中，所述钝化层覆盖所述源漏极层；
其中，所述薄膜晶体管器件由所述遮光层、所述有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极层和所述源漏极层组成。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述平坦层对应所述源漏极层处设有第二通孔，所述导电层填充所述第二通孔并连接至所述源漏极层。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述导电层为金属材料。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括
挡墙，设于所述平坦层远离所述薄膜晶体管结构层的一侧表面，其中，所述挡墙对应所述导电层处设有第三通孔；
发光层，设于所述第三通孔内，且连接至所述导电层；以及
...

【专利技术属性】
技术研发人员：林高波，张晓星，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44