一种大功率轴向双向二极管的生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，包括以下步骤：铜粒预焊：将方铜粒、铜粒通过焊片焊接制成预焊铜粒；芯片预焊：将铜粒、方形芯片通过焊片焊接制成预焊芯片；下模填装：在下模内先填装下引线，再按正序或反序依次填装方形芯片、预焊芯片、预焊铜粒，并用焊片间隔；上模填装：在上模内填装上引线，所述上引线与所述下模内的方形芯片或预焊铜粒之间间隔有焊片；合模焊接：将上模与下模合模后压紧，送入焊接炉内焊接。本发明专利技术通过在传统二极管焊接工艺的基础上、使用现有铜粒双面预焊工艺、芯片双面预焊工艺，按照轴向二极管原件的尺寸做设计调整解决了传统低效率、难操作、难定位、材料短路、本体易错位的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率轴向双向二极管的生产工艺
本专利技术涉及半导体器件的制造
，具体涉及一种大功率轴向双向二极管的生产工艺。
技术介绍
长期以来，在半导体器件制造领域，人们在结构设计、成本降低、可靠性、提高产品的性价比等方面，作出了不懈的努力。GPP芯片采用电泳玻璃、低损伤的激光切割的方式形成具有高度稳定的玻璃钝化结构，具有电压均一性好，反向漏电流低，可靠性高，抗浪涌能力强的优点。用于高压整流二极管、单相整流桥等整流器件。本专利采用GPP芯片，通过芯片叠焊方法，挺高产品性能。为了保护玻璃钝化芯片不受损需要在芯片与芯片之间加入一层与芯片同大的铜粒，且该铜粒两端各需要焊接一个小铜粒，继而保证不被大铜粒及焊锡短路，或在双P面各焊接一个小铜粒（即使用芯片双面预焊技术和铜粒双面预焊技术），当前加工工艺中，需按照所需产品结构，由人工用镊子将各部件依次夹入焊接下模的阶梯状容置槽中，待所有部件摆放完毕后，合焊接模上模，并送入炉内进行焊接。传统的加工工艺过程中各部件的定位不准确，容易导致后续二极管焊接完成后，出现本体错位的情况，严重的会直接导致材料短路。且放置焊片和铜粒操作较为繁琐，效率较低，如果操作不当，将焊片和铜粒放置顺序弄错，需要重新从头开始放置，对于操作者的技术素养要求较高，严重制约了生产效率。
技术实现思路
为了解决现有技术问题，本专利技术提供一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，通过使用现有铜粒双面预焊工艺、芯片双面预焊工艺按照轴向二极管元件的尺寸做改进设计解决了传统低效率、难操作、难定位、材料短路、本体易错位的情况，将原本复杂的二极管装填步骤分开简单化，且本专利工艺具有可调节性，更好适用于各种材料元件的焊接。本专利技术的技术方案：一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，包括以下步骤：（1）铜粒预焊：将方铜粒、铜粒通过焊片焊接制成预焊铜粒；（2）芯片预焊：将铜粒、方形芯片通过焊片焊接制成预焊芯片；（3）下模填装：在下模内先填装下引线，再按正序或反序依次填装方形芯片、预焊芯片、预焊铜粒，并用焊片间隔；（4）上模填装：在上模内填装上引线，所述上引线与所述下模内的方形芯片或预焊铜粒之间间隔有焊片；（5）合模焊接：将上模与下模合模后压紧，送入焊接炉内焊接。进一步地，所述步骤（1）中铜粒预焊为将方铜粒、焊片、铜粒、焊片依次按顺序叠放在铜粒预焊板上，再置入焊接炉中制成预焊铜粒。进一步地，所述步骤（2）中芯片预焊为将铜粒、焊片、方形芯片依次按顺序叠放在芯片预焊板上，再置入焊接炉中制成I型预焊芯片；或者将铜粒、焊片、方形芯片、焊片、铜粒依次按顺序叠放在芯片预焊板上，再置入焊接炉中制成II型预焊芯片；进一步地，所述步骤（3）中下模填装为在下模内先填装下引线，再在下引线上依次按顺序叠放焊片、方形芯片、焊片、I型预焊芯片、焊片、I型预焊芯片、预焊铜粒、焊片；或者在下模内先填装下引线，再在下引线上依次按顺序叠放焊片、预焊铜粒、方形芯片、焊片、II型预焊芯片、焊片、方形芯片、焊片。进一步地，所述步骤（1）为：①将焊片倒入真空吸盘中，摇晃吸盘，使每个焊片能均匀的分布在吸盘的每个坑中，启动真空机抽取空气，再将吸盘倒置，然后倒置的吸盘和铜粒预焊板重合，断开真空机气管，敲击吸盘，焊片自然落在铜粒预焊板上；②重复上面①操作，将装的材料换成铜粒；③重复上面①操作，将装的材料换成焊片；④重复上面①操作，将装的材料换成方铜粒。进一步地，所述步骤（2）I型预焊芯片的制作步骤包含：a.将铜粒倒入真空吸盘中，摇晃吸盘，使每个焊片能均匀的分布在吸盘的每个坑中，启动真空机抽取空气，再将吸盘倒置，然后倒置的吸盘和芯片预焊板重合，断开真空机气管，敲击吸盘，铜粒自然落在芯片预焊板上；b.重复上面a操作；将装的材料换成焊片；c.重复上面a操作，将装的材料换成芯片；所述步骤（2）II型预焊芯片的制作步骤包含：a.将铜粒倒入真空吸盘中，摇晃吸盘，使每个焊片能均匀的分布在吸盘的每个坑中，启动真空机抽取空气，再将吸盘倒置，然后倒置的吸盘和芯片预焊板重合，断开真空机气管，敲击吸盘，铜粒自然落在芯片预焊板上；b.重复上面a操作，将装的材料换成焊片；c.重复上面a操作，将装的材料换成方形芯片；d.重复上面a操作，将装的材料换成焊片；e.重复上面a操作，将装的材料换成铜粒。进一步地，所述步骤（3）中使用I型芯片的制作步骤包含A.将焊片倒入吸盘中，摇晃吸盘，使每个焊片能均匀的分布在吸盘的每个坑中，启动真空机抽取空气，再将吸盘倒置，然后倒置的吸盘和装有引线的下模重合，断开真空机气管，敲击吸盘，焊片自然落在模孔内；B.重复上面A操作，将装的材料换成方形芯片；C.重复上面A操作，将装的材料换成焊片；D.重复上面A操作，将装的材料换成预焊芯片；E.重复上面A操作,将装的材料换成焊片；所述步骤（3）中使用II型芯片的制作步骤包含：A.将焊片倒入吸盘中，摇晃吸盘，使每个焊片能均匀的分布在吸盘的每个坑中，启动真空机抽取空气，再将吸盘倒置，然后倒置的吸盘和装有引线的下模重合，断开真空机气管，敲击吸盘，焊片自然落在模孔内；B.重复上面A操作，将装的材料换成预焊铜粒；C.重复上面A操作，将装的材料换成方形芯片；D.重复上面A操作，将装的材料换成焊片；E.重复上面A操作,将装的材料换成II型预焊芯片；F.重复上面A操作，将装的材料换成焊片；G.重复上面A操作,将装的材料换成方形芯片；H.重复上面A操作，将装的材料换成焊片。进一步地，所述步骤（5）中，将填装完下引线的下模用转换板盖好，再翻转过来，与下模装填好的石墨舟重合。进一步地，所述真空吸盘、铜粒预焊板、芯片预焊板、下模和上模上设有位置一致的定位孔，所述定位孔内设有定位销。进一步地，所述下模和上模分别为下石墨舟和上石墨舟。与现有技术相比，本专利技术本专利通过使用现有铜粒双面预焊工艺、芯片双面预焊工艺，配合二极管元件尺寸，在满足现有二极管预焊工艺的基础上进行调整设计，使用吸盘、定位销、定位板等辅助工具，快速装填；本产品既能适用于GPP全系列大功率焊接产品使用，又大大节约的工人操作时间和提高了材料品质产出率，简单易操作、提高工作效率和产品品质及提高产品产出率。本专利通过在传统二极管焊接工艺的基础上、使用现有铜粒双面预焊工艺、芯片双面预焊工艺，按照轴向二极管原件的尺寸做设计调整解决了传统低效率、难操作、难定位、材料短路、本体易错位的情况；通过本专利技术方法制作的产品具有高效率、高品质、高产出的特点，本体一致，外观良好，电性优良。附图说明图1是本专利技术预焊铜粒流程示意图；图2是本专利技术I型预焊芯片流程示意图；图3是本专利技术I型预焊芯片的下模填装和合模流程示意图；图4是本专利技术预焊铜粒流程和II型预焊芯片流程示意图；图5是本专利技术II型预焊芯片的下模填装和合模示意图；图6是本专利技术铜粒预焊板结构示意图；图7是本专利技术芯片预焊板结构示意图；图8是本专利技术下模结构示意图；图9是本专利技术真空吸盘结构示意图；图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：/n铜粒预焊：将方铜粒、铜粒通过焊片焊接制成预焊铜粒；/n芯片预焊：将铜粒、方形芯片通过焊片焊接制成预焊芯片；/n下模填装：在下模内先填装下引线，再按正序或反序依次填装方形芯片、预焊芯片、预焊铜粒，并用焊片间隔；/n上模填装：在上模内填装上引线，所述上引线与所述下模内的方形芯片或预焊铜粒之间间隔有焊片；/n合模焊接：将上模与下模合模后压紧，送入焊接炉内焊接。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：
铜粒预焊：将方铜粒、铜粒通过焊片焊接制成预焊铜粒；
芯片预焊：将铜粒、方形芯片通过焊片焊接制成预焊芯片；
下模填装：在下模内先填装下引线，再按正序或反序依次填装方形芯片、预焊芯片、预焊铜粒，并用焊片间隔；
上模填装：在上模内填装上引线，所述上引线与所述下模内的方形芯片或预焊铜粒之间间隔有焊片；
合模焊接：将上模与下模合模后压紧，送入焊接炉内焊接。


2.如权利要求1所述的一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，其特征在于：所述步骤（1）中铜粒预焊为将方铜粒、焊片、铜粒、焊片依次按顺序叠放在铜粒预焊板上，再置入焊接炉中制成预焊铜粒。


3.如权利要求2所述的一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，其特征在于：所述步骤（2）中芯片预焊为将铜粒、焊片、方形芯片依次按顺序叠放在芯片预焊板上，再置入焊接炉中制成I型预焊芯片；或者将铜粒、焊片、方形芯片、焊片、铜粒依次按顺序叠放在芯片预焊板上，再置入焊接炉中制成II型预焊芯片。


4.如权利要求3所述的一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，其特征在于：所述步骤（3）中下模填装为在下模内先填装下引线，再在下引线上依次按顺序叠放焊片、方形芯片、焊片、I型预焊芯片、焊片、I型预焊芯片、预焊铜粒、焊片；或者在下模内先填装下引线，再在下引线上依次按顺序叠放焊片、预焊铜粒、方形芯片、焊片、II型预焊芯片、焊片、方形芯片、焊片。


5.如权利要求2或4所述的一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，其特征在于：所述步骤（1）为：①将焊片倒入真空吸盘中，摇晃吸盘，使每个焊片能均匀的分布在吸盘的每个坑中，启动真空机抽取空气，再将吸盘倒置，然后倒置的吸盘和铜粒预焊板重合，断开真空机气管，敲击吸盘，焊片自然落在铜粒预焊板上；②重复上面①操作，将装的材料换成铜粒；③重复上面①操作，将装的材料换成焊片；④重复上面①操作，将装的材料换成方铜粒。


6.如权利要求3和4所述的一种大功率轴向双向二极管的生产工艺，其特征在于：所述步骤（2）I型预焊芯片的制作步骤包含：a.将铜粒倒入真空吸盘中，摇晃吸盘，使每个焊片能均匀的分布在吸盘的每个坑中，启动真空机抽取空气，再将吸盘倒置，然后倒置的吸盘和芯片预焊板重合，断开真空机气管，敲击吸盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪良恩，杨华，朱京江，胡云，
申请(专利权)人：安徽安美半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34