一种纳米多台阶高度样板的制备方法技术

一种纳米多台阶高度样板及其制备方法，将薄膜厚度转换为纳米多台阶高度样板的台阶高度，通过控制薄膜厚度来控制纳米多台阶高度样板的公称台阶高度，并通过干、湿法套刻技术刻蚀出台阶形状，最终形成多台阶的纳米台阶高度样板。由于薄膜制备工艺易于实现１０ｎｍ量级厚度的Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］薄膜和Ｃｒ薄膜的制备，而采用干、湿法套刻技术可以刻蚀出多台阶高度形状，因此该发明专利技术降低了纳米多台阶高度样板的制备难度，而且还具有费用低廉，工艺性好，纳米多台阶高度样板的材料选择多样等优点；最后，该纳米多台阶高度样板不仅适合于扫描电子显微镜等非接触式纳米测量仪器的测量、校准和溯源，也适用于扫描探针显微镜等接触式纳米测量仪器的测量、校准和溯源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳米测试
，特别涉及一种用于纳米台阶高度测量和对纳米计量系统中台阶高度的非实时标定的纳米多台阶高度样板及其制备方法。
技术介绍
纳米多台阶高度样板及其制备方法属于微纳米测量
，广泛应用于半导体、平面显示器、高密度存储器、精密仪器和精密机械、超精密加工等领域。纳米多台阶高度样板可以用于纳米台阶高度测量、微纳米线宽的控制、薄膜厚度的测量，以及相关纳米测量仪器的校准与溯源等。在纳米台阶高度测量中，纳米多台阶高度样板可以提供台阶高度基准，通过该基准可以对不同方法、不同仪器在不同位置上、不同模型和实验中所获得的台阶高度数据进行比对。纳米计量系统中台阶高度标定一般采用非实时标定，非实时标定是用已知台阶高度尺寸的标准多台阶高度样板对所测台阶高度进行测量后的标定，该标定方法的突出优点是成本低，且能保证一定的精度。 纳米台阶高度样板一般用微细加工技术进行制备，或者直接采用相应等级的晶格结构。用微细加工技术制备纳米单台阶高度样板，其水平依赖于制版技术、图形转移技术、刻蚀技术等的发展，这些技术对环境要求严格，加工条件苛刻，成本高昂。例如德国物理技术研究院在Si基底上热生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米多台阶高度样板，包括基底硅片，其特征在于：在硅片上交替沉积有Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］薄膜和Ｃｒ薄膜组成的阶梯形状的矩形凸台。

【技术特征摘要】
1.一种纳米多台阶高度样板，包括基底硅片，其特征在于在硅片上交替沉积有Si3N4薄膜和Cr薄膜组成的阶梯形状的矩形凸台。2.一种纳米多台阶高度样板的制备方法，其特征在于包括下述步骤1)清洗硅片，并采用等离子增强化学气相沉积工艺和射频磁控溅射工艺在硅片上交替沉积多层Si3N4薄膜和Cr薄膜，其中Si3N4薄膜和Cr薄膜的厚度等于所需要的纳米多台阶高度样板的台阶高度；2)在交替沉积的多层S3N4薄膜和Cr薄膜的硅片一侧进行涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶，在光刻胶上形成裸露的Si3N4的矩形窗口；3)采用各向异性干法刻蚀技术对矩形窗口中裸露的Si3N4薄膜进行刻蚀，待窗口内的Si3N4薄膜完全刻蚀掉后，形成了侧壁陡直的第一个Si3N4矩形图形，从而得到第一个Si3N4薄膜台阶高度，并用HF进行漂洗；4)对第一个Si3N4矩形图形进行涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶，在光刻胶上形成第一个裸露Cr的矩形窗口，该矩形窗口与第一个Si3N4矩形窗口中心相同，并嵌套于第一个Si3N4矩形窗口内；5)对第一个裸露Cr薄膜的矩形窗口采用各向异性湿...

【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚萱，蒋庄德，赵凤霞，朱明智，韩国强，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]