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传感器阵列集成电路制造技术

技术编号:2583548 阅读:195 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种装置包括密集阵列寻址器件和光耦合到该密集阵列寻址器件的分光仪。一种方法包括通过表征密集寻址设备上的之后的电解速度来确定目标分子与密集阵列寻址器件的结合和/或欠结合。一种方法包括采用大马士革图案处理来制造密集阵列寻址器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般涉及生物和/或化学检测领域。更特别地,本专利技术的实施例涉及电子存储器与检测设备的集成、使用集成存储器的检测设备来进行检测的过程和制造集成存储器的检测设备的过程。
技术介绍
电阻抗光谱(electrical impedance spectroscopy)法在业内是众所周知的。英特尔在加州伯克利大学资助的一个项目已经证实可以用通过间隙分隔的两个电极通过阻抗变化来检测DNA的杂交。然而,该证实过程是在离散系统中使用非定制的(off-the shelf)阻抗监控仪器进行的。同时,Nanogen公司证实了使用外加电场增强分析物朝位于SRAM顶端的亲和试剂的运动来有选择地提高试剂的捕获率和浓度的做法。然后,可使用荧光检测上述分析物。迄今为止,尚不存在包含许多不同的传感器来执行诊断和危险的化学分析的传感器阵列集成电路。此外,也不存在与电子电路进行集成来完成数据存储、数据分析和/或数据传输/接收的传感器阵列集成电路。因而,需要可以同时满足上述这些需求的解决方案。附图说明引入构成本说明书的一部分的附图来描述本专利技术实施例的某些方面。通过参考附图中示范的而非限制性的实施例,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置,包括:    密集阵列寻址器件,该器件包括多个可寻址单元,所述多个可寻址单元中的各单元包括至少两个电极;和    光耦合到所述密集阵列寻址器件的分光仪。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:V杜宾K戴维A伯林
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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