【技术实现步骤摘要】
一种提高各支路电流匹配度装置
本技术涉及模拟电路
，具体涉及一种提高各支路电流匹配度装置。
技术介绍
作为模拟集成电路中应用最为广泛的电路技术之一，电流镜常被用来构成模拟集成电路中的电流源，可以实现电路中某一支路的参考电流在其他各个支路中的重现，在多路LED背光驱动电路中，要求各个支路LED电流具有很好的一致性，因而对于多路输出的电流镜结构，各支路电流的匹配性有着重要的研究意义。对于多路输出的电流镜，由于在工艺制造过程中，器件之间存在失配，这就直接导致各支路输出电流的一致性差，要提高输出电流一致性，必须将电流镜器件尺寸做大，但这会增大芯片面积，导致芯片成本增加。在一致性要求很高的应用中，单纯增大器件尺寸也不一定能达到要求，还需要增加修调，但对多路输出的电流镜，每一支路都去修调的话，会增加很多修调PAD，同样增加芯片面积，同时也会增加测试成本。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，针对现有技术存在的上述缺陷，提供了一种提高各支路电流匹配度装置，保证了各个支路输出电流的一致性，能很好的解决器...
【技术保护点】
1.一种提高各支路电流匹配度装置，其特征在于，包括第一电流镜、第二电流镜和校准电路，第一电流镜的输入端连接有基准电流源I
【技术特征摘要】
1.一种提高各支路电流匹配度装置，其特征在于，包括第一电流镜、第二电流镜和校准电路，第一电流镜的输入端连接有基准电流源Iref，第一电流镜的输出端与第二电流镜的输入端连接，第二电流镜的输出端与校准电路连接。
2.根据权利要求1所述的提高各支路电流匹配度装置，其特征在于，第一电流镜包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3和PMOS管PM4，PMOS管PM1的源极与PMOS管PM2的源极连接，且与输入电源高电位VDD连接，PMOS管PM1的栅极与PMOS管PM2的栅极连接，且与PMOS管PM3的漏极和基准电流源Iref的一端连接，并作为第一电流镜的输入端，PMOS管PM1的漏极与PMOS管PM3的源极连接，PMOS管PM2的漏极与PMOS管PM4的源极连接，PMOS管PM3的栅极与PMOS管PM4的栅极连接，且与基准电压Vbias1连接，PMOS管PM4的漏极作为第一电流镜的输出端。
3.根据权利要求1所述的提高各支路电流匹配度装置，其特征在于，第一电流镜包括NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3和NMOS管NM4，NMOS管NM1的源极与NMOS管NM2的源极连接，且与输入电源低电位VSS连接，NMOS管NM1的栅极与NMOS管NM2的栅极连接，且与NMOS管NM3的漏极和基准电流源Iref的一端连接，并作为第一电流镜的输入端，NMOS管NM1的漏极与NMOS管NM3的源极连接，NMOS管NM2的漏极与NMOS管NM4的源极连接，NMOS管NM3的栅极与NMOS管NM4的栅极连接，且与基准电压Vbias2连接，NMOS管NM4的漏极作为第一电流镜的输出端，与第二电流镜连接。
4.根据权利要求1所述的提高各支路电流匹配度装置，其特征在于，第二电流镜包括电阻R1、电阻R2、NMOS管NM5和运算放大器，电阻R1的一端与运算放大器的同相输入端连接，且与第一电流镜的输出端连接，并作为第二电流镜的输入端，电阻R1的另一端与电阻R2的一端连接，且与输入电源低电位VSS连接，电阻R2的另一端与运算放大器的反相输入端连接，且与NMOS管NM5的源极连接，NMOS管NM5的栅极与运算放大器的输出端连接，NMOS管NM5的漏极作为第二电流镜的输出端。
5.根据权利要求1所述的提高各支路电流匹配度装置，其特征在于，第二电流镜包括NMOS管NM6、NMOS管NM7、NMOS管NM8和NMOS管NM9，NMOS管NM6的源极与NMOS管NM7的源极连接，且与输入电源低电位VSS连接，NMOS管NM6的栅极与NMOS管NM7的栅极连接，且与NMOS管NM8的漏极连接，并作为第二电流镜的输入端，NMOS管NM6的漏极与NMOS管NM8的源极连接，NMOS管NM7的漏极与NMOS管NM9的源极连接，NMOS管NM8的栅极与NMOS管NM9的栅极连接，且与基准电压Vbias3连接，NMOS管NM9的漏极作为第二电流镜的输出端。
6.根据权利要求1所述的提高各支路电流匹配度装置，其特征在于，第二电流镜包括电阻R1、电阻R2、PMOS管PM5和运算放大器，电阻R1的一端与运算放大器的同相输入端连接，且与第一电流镜的输出端连接，并作为第二电流镜的输入端，电阻R1的另一端与电阻R2的一端连接，且与输入电源高电位VDD连接，电阻R2的另一端与运算放大器的反相输入端连接，且与PMOS管PM5的源极连接，PMOS管PM5的栅极与运算放大器的输出端连接，PMOS管PM5的漏极作为第二电流镜的输出端。
7.根据权利要求1所述的提高各支路电流匹配度装置，其特征在于，第二电流镜包括PMOS管PM6、PMOS管PM7、PMOS管PM8和PMOS管PM9，PMOS管PM6的源极与PMOS管PM7的源极连接，且与输入电源高电位VDD连接，PMOS管PM6的栅极与PMOS管PM7的栅极连接，且与PMOS管PM8的漏极连接，并作为第二电流镜的输入端，PMOS管PM6的漏极与PMOS管PM8的源极连接，PMOS管PM7的漏极与PMOS管PM9的源极连接，PMOS管PM8的栅极与PMOS管PM9的栅极连接，且与基准电压Vbias4连接，PMOS管PM9的漏极作为第二电流镜...
【专利技术属性】
技术研发人员：李高林，陈壮梁，
申请(专利权)人：武汉韦尔半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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