一种基于多管分立IGBT APF结构制造技术

本申请提供一种基于多管分立IGBT APF结构，在本申请中功率从50A\75A\100A\150A\200A的APF都是采用相同PCB功率板，只是IGBT模块型号和PCB功率板的数量不同，从而使得整个系列机型只需要同一规格PCB功率板，减少了PCB功率板的种类，PCB功率板加工一致性更高，加工容易。结构宽度也相同，不同机型的结构可以相互兼容，方便产品扩容和维护。方便PCB功率板加工和制造，保证了不同机型结构的统一，方便APF不同机型的兼容和替代，备件种类也减少。而且充分利用额定电流50A IGBT和75A IGBT封装相同的这一特点，将产品PCB设计称统一封装。

【技术实现步骤摘要】
一种基于多管分立IGBTAPF结构
本技术涉及APF/SVG领域，尤指一种基于多管分立IGBTAPF结构。
技术介绍
模块化APF现今主要功率分为50A、75A、100A、150A和200A五种机型，传统设计方案中每种机型的功率板都单独设计，最终导致产品的单板种类很多，不利于产品的备料、生产和加工，同时增加产品的整体成本。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供一种基于多管分立IGBTAPF结构，本专利技术采用以50AIGBT和75AIGBT为最小单元，IGBT采用多管并联，PCB功率板采用上下对扣方案，实现从50A-200A功率单板的共用，降低产品单板种类和成本。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种基于多管分立IGBTAPF结构，包括PCB功率板，其中所述PCB功率板上均匀设置有3个结构相同的相位模块，且每个相位模块包括4个IGBT模块，4个IGBT模块分别为第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4，其中所述第一三极管Q1的发射极分别与第四三极管Q4的集电极以及第二三极管Q2的发射极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于多管分立IGBT APF结构，其特征在于：包括PCB功率板，其中所述PCB功率板上均匀设置有3个结构相同的相位模块，且每个相位模块包括4个IGBT模块，4个IGBT模块分别为第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4，其中所述第一三极管Q1的发射极分别与第四三极管Q4的集电极以及第二三极管Q2的发射极电性连接，且第一三极管Q1的发射极的集电极与控制总线正极端BUS+连接，所述第四三极管Q4的发射极与控制总线负极端BUS-连接，第二三极管Q3的集电极与第二三极管Q2的集电极连接，所述第二三极管Q3的发射极与控制零线端N连接；且第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三...

【技术特征摘要】
1.一种基于多管分立IGBTAPF结构，其特征在于：包括PCB功率板，其中所述PCB功率板上均匀设置有3个结构相同的相位模块，且每个相位模块包括4个IGBT模块，4个IGBT模块分别为第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4，其中所述第一三极管Q1的发射极分别与第四三极管Q4的集电极以及第二三极管Q2的发射极电性连接，且第一三极管Q1的发射极的集电极与控制总线正极端BUS+连接，所述第四三极管Q4的发射极与控制总线负极端BUS-连接，第二三极管Q3的集电极与第二三极管Q2的集电极连接，所述第二三极管Q3的发射极与控制零线端N连接；且第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4均为单个额定电流为75A的IGBT或两个相互并联且额定电流为50A的IGBT或两个相互并联且额定电流为75A的IGBT。


2.根据权利要求1所述的一种基于多管分立IGBTAPF结构，其特征在于：每个相位模块还包括对称放置的两个散热片组，且第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4沿直线分布，且第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4均设置在两个散热片组之间。


3.根据权利要求2所述的一种基于多管分立IGBTAPF结构，其特征在于：PCB功率板还设置有四组沿电解电容组，且四组电解电容组与3个相位模块交错分布在PCB功率板上。


4.一种基于多管分立IGBTAPF结构，其特征在于：包括PCB功率板组，所述PCB功率板组上设置有3个结构相同的相位模块，且每个相位模块包括4个IGBT模块，4个IGBT模块分别为第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4，其中所述第一三极管Q1的发射极分别与第四三极管Q4的集电极以及第二三极管Q2的发射极电性连接，且第一三极管Q1的发射极的集电极与控制总线正极端BUS+连接，所述第四三极管Q4的发射极与控制总线负极端BUS-连接，第二三极管Q3的集电极与第二三极管Q2的集电极连接，所述第二三极管Q3的发射极与控制零线端N连接；且第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4均为四个相互并联且额定电流为75A的IGBT或四个相互并联且额定电流为50A的IGBT。


5.根据权利要求4所述的一种基于多管分立IGBTAPF结构，其特征在于：所述PCB功率板组包括两块结构相同且相互扣接PCB功率板，第一连接铜柱、第二连接铜柱、第三连接铜柱、第四连接铜柱，其中每块PCB功率板上均设置有第一BUS+端口、第二BUS+端口、第一BUS-端口、第二BUS-端口，其中第一连接铜柱的两端分别与两块PCB功率板的第一BUS+端口连接，且第二连接铜柱的两端分别与两块PCB功率板的第二BUS+端口连接，第三连接铜柱的两端分别与两块PCB功率板的第一BUS-端口连接，第四连接铜柱的两端分别与两块PCB功率板的第二BUS-端口连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀明，
申请(专利权)人：深圳贝耳新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44