滤波结构和滤波器件制造技术

本申请提供的滤波结构和滤波器件，涉及电子器件技术领域。其中，滤波结构包括：屏蔽部件，该屏蔽部件包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，该第一屏蔽层和该第二屏蔽层相对且间隔设置；谐振部件，该谐振部件至少为两个，各谐振部件间隔设置，每个谐振部件包括谐振柱和与该谐振柱连接的谐振盘，该谐振柱位于第一屏蔽层和第二屏蔽层之间，且与该第一屏蔽层连接；耦合增强部件，该耦合增强部件分别与第一屏蔽层和第二屏蔽层间隔设置，且与至少两个谐振柱分别连接，用于提高该至少两个谐振柱之间的耦合系数。通过上述设置，可以改善现有的滤波器件中基于集成化的需求使得器件的通频带的带宽难以有效扩宽的问题。

【技术实现步骤摘要】
滤波结构和滤波器件
本申请涉及电子器件
，具体而言，涉及一种滤波结构和滤波器件。
技术介绍
在电子器件
中，在器件的集成化过程中，进行小型化处理尤为重要。其中，滤波器件一般由滤波结构构成，使得滤波结构的体积决定了滤波器件的体积。经专利技术人研究发现，基于现有的滤波结构的制作工艺，在将滤波器件的集成化过程中，如果要满足小型化的需求，会使得器件的通频带的带宽得到限制，难以被有效地扩宽。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种滤波结构和滤波器件，以改善现有的滤波器件中基于集成化的需求使得器件的通频带的带宽难以有效扩宽的问题。为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：一种滤波结构，包括：屏蔽部件，该屏蔽部件包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，该第一屏蔽层和该第二屏蔽层相对且间隔设置；谐振部件，该谐振部件至少为两个，各所述谐振部件间隔设置，每个所述谐振部件包括谐振柱和与该谐振柱连接的谐振盘，该谐振柱位于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间，且与该第一屏蔽层连接；耦合增强部件，该耦合增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波结构，其特征在于，包括：/n屏蔽部件，该屏蔽部件包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，该第一屏蔽层和该第二屏蔽层相对且间隔设置；/n谐振部件，该谐振部件至少为两个，各所述谐振部件间隔设置，每个所述谐振部件包括谐振柱和与该谐振柱连接的谐振盘，该谐振柱位于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间，且与该第一屏蔽层连接；/n耦合增强部件，该耦合增强部件分别与所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层间隔设置，且与至少两个所述谐振柱分别连接，用于提高该至少两个谐振柱之间的耦合系数。/n

【技术特征摘要】
1.一种滤波结构，其特征在于，包括：
屏蔽部件，该屏蔽部件包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，该第一屏蔽层和该第二屏蔽层相对且间隔设置；
谐振部件，该谐振部件至少为两个，各所述谐振部件间隔设置，每个所述谐振部件包括谐振柱和与该谐振柱连接的谐振盘，该谐振柱位于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间，且与该第一屏蔽层连接；
耦合增强部件，该耦合增强部件分别与所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层间隔设置，且与至少两个所述谐振柱分别连接，用于提高该至少两个谐振柱之间的耦合系数。


2.根据权利要求1所述的滤波结构，其特征在于，所述耦合增强部件包括至少一个耦合连接件；
其中，每一个所述耦合连接件与两个不同的谐振柱分别连接，用于提高该两个不同的谐振柱之间的电磁耦合系数。


3.根据权利要求2所述的滤波结构，其特征在于，沿待处理信号在各所述谐振部件之间的传播方向，每一个所述耦合连接件与相邻的两个谐振柱分别连接，用于提高该相邻的两个谐振柱之间的电磁耦合系数。


4.根据权利要求2所述的滤波结构，其特征在于，沿待处理信号在各所述谐振部件之间的传播方向，在所述至少一个耦合连接件中，至少有一个耦合连接件与不相邻的两个谐振柱分别连接，用于提高该不相邻的两个谐振柱之间的电磁耦合系数，且在所述滤波结构的通频带之外、靠近上限截止频率的位置形成传输零点。


5.根据权利要求1所述的滤波结构，其特征在于，所述耦合增强部件包括至少一组耦合连接件，每组耦合连接件包括两个耦合连接件；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛建，左成杰，何军，
申请(专利权)人：安徽安努奇科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34