【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热成形具有表面曲率的电子装置的技术
和
技术介绍
本公开涉及通过一热成形程序的一种制造一弯曲电子装置的方法及由其所得的产品。本案专利技术人发现目前印刷模内(inmold)电子构件结构可能因基体于模制程序期间的不稳定而有可靠性问题。例如,难以可靠地将复杂(沉重)的组件接合到将被内模制之结构上。一种解决方法可包括避免将复杂的组件(QFN、LED)封装体接合到可热成形的基体上,或可找寻拉伸性更好的电气组件及互连材料。其他解决方法可能涉及使用诸如PET/PEN之让含有组件之电子构件集积上去的箔片、将该等箔片切成正确图样、及将箔体施敷在一基体上,以便让整个堆迭热成形。然而,自一箔片切出小图样可能非常困难。US2016/316570A1描述一种用以制造一非平坦印刷电路板总成的方法,其中电路迹线的损坏系藉由仅在热成形后固化图样来避免。然而,这对于未成形PCB的处理有所限制,且限制材料使用及工艺条件。作为进一步的背景知识,US2005/206047A1描述轮廓式(contoured)电路板,JP2004356144A则描述一组件安装可挠电路板。r>为人所欲的是,改本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种制造弯曲电子装置(100)的方法,所述方法包含:/n-提供一基体(11),所述基体包含一热塑性材料(11m);/n-印刷由非传导支撑材料(12m)构成的一图案化层,以形成一支撑图样(12)到所述基体(11)上,其中,所述支撑图样(12)包含多个支撑岛体(12a),所述多个支撑岛体通过桥接所述基体(11)的开放区域(11a)的多个支撑线(12b)互连,而所述多个支撑岛体(12a)之间没有所述支撑材料(12m);/n-施加一电路(13、14)到所述支撑图样(12)上,其中,所述电路(13、14)包含多条电路线(13)、及施加到所述多个支撑岛体(12a)上的电气组件(14 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180219 EP 18157378.31.一种制造弯曲电子装置(100)的方法,所述方法包含:
-提供一基体(11),所述基体包含一热塑性材料(11m);
-印刷由非传导支撑材料(12m)构成的一图案化层,以形成一支撑图样(12)到所述基体(11)上,其中,所述支撑图样(12)包含多个支撑岛体(12a),所述多个支撑岛体通过桥接所述基体(11)的开放区域(11a)的多个支撑线(12b)互连,而所述多个支撑岛体(12a)之间没有所述支撑材料(12m);
-施加一电路(13、14)到所述支撑图样(12)上,其中,所述电路(13、14)包含多条电路线(13)、及施加到所述多个支撑岛体(12a)上的电气组件(14),所述多条电路线包含施加到所述多个支撑线(12b)上的一传导材料(13m),所述电气组件(14)由所述多条电路线(13)电气互连;以及
-以一升高的处理温度(T)使用一热成形程序(P),用以使具有所述支撑图样(12)及所述电路(13、14)的所述基体(11)的一形状依据一预定表面曲率(C)而变形(S),其中,所说支撑材料(12m)于所述处理温度(T)下相较于所述基体(11)的所述热塑性材料(11m)具有一较高抗变形(S)性,其中,变形(S)集中在所述支撑岛体(12a)之间的所述开放区域(11a),同时所述支撑材料(12m)的较高抗变形性于所述热成形程序(P)期间维持施加于其上的所述电路(13、14)的一结构完整性。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述支撑材料(12m)具有比所述基体(11)的所述热塑性材料(11m)高的一玻璃转化温度(Tg)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所说热成形程序(P)包含将至少所述基体(11)加热到高于所述基体(11)的一玻璃转化温度(Tg,11)的一处理温度(T),其中,所述处理温度保持低于所述支撑图样(12)的一玻璃转化温度(Tg,12)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述支撑材料(12m)至少在所述热成形程序(P)期间于所述处理温度(T)下具有比所述基体(11)的所述热塑性材料(11m)高的韧性。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,变形步骤包含依据所述预定表面曲率(C)弯折、拉伸及/或压缩所述基体(11),其中,所述支撑图样(12)至少部分地防止所述基体(11)在所述电路(13、14)的多个位置的变形(S),其中,一数量的拉伸、压缩及/或弯折集中在所述基体(11)的未被所述支撑图样(12)覆盖的所述开放区域(11a)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,在所述基体(11)的所述开放区域(11a)的一第一曲率半径(R1)小于由所述支撑图样(12)覆盖的基体区域的一第二曲率半径(R2),所述基体区域特别是由所述支撑岛体(12a)覆盖的区域,其中,所述第二曲率半径(R2)保持高于防止对所述电路(13、14)的结构破坏的一临界半径。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,在由所述支撑图样(12)覆盖的区域处的拉伸或压缩,保持低于用以防止对所述电路(13...
【专利技术属性】
技术研发人员:艾德斯格尔·康斯坦·彼得·斯米茨,简埃里克·杰克·马丁·鲁宾厄,马尔科·鲍林,
申请(专利权)人:荷兰应用科学研究会TNO,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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