一种低待机能效控制电路及美发产品制造技术

本申请公开了一种低待机能效控制电路及美发产品，该电路包括第一晶体管、第二晶体管以及开关键。第一晶体管的第一工作端和第二工作端分别与电源电路的电源端和MCU的电源引脚连接，控制端分别与电源端、开关键的第一端以及第二晶体管的第一工作端连接。第二晶体管的控制端与MCU连接，第二工作端和开关键的第二端接地。开关键处于按下状态时，第一晶体管导通以使电源端的电信号输出至MCU的电源引脚，第二晶体管的控制端在MCU的电源引脚接收到电信号后接收MCU输出的控制信号以保持第一晶体管持续导通。由此可见，通过以上器件就可以使得MCU处于待机状态，降低待机功耗，而以上器件的成本较低，故可以克服现有技术的缺点。

【技术实现步骤摘要】
一种低待机能效控制电路及美发产品
本申请涉及电子
，特别是涉及一种低待机能效控制电路及美发产品。
技术介绍
目前，美发产品，例如电夹板，为了节约能耗，一般要求待机功率ERP≤0.3W。现有技术中，美发工具通常包括电源电路、主控MCU以及根据不同产品配套的其它应用电路。其中，MCU是控制部件，在待机状态下，消耗功率。为了实现待机功率的要求，通常采用性能更好的开关电源，但是开关电源的成本较高。由此可见，在满足待机功耗的要求下，如何降低成本是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种低待机能效控制电路及美发产品，用于在满足待机功耗的要求下，实现较低的成本。为解决上述技术问题，本申请提供一种低待机能效控制电路，包括第一晶体管、第二晶体管以及开关键；其中，所述第一晶体管的第一工作端和第二工作端分别与电源电路的电源端和MCU的电源引脚连接，所述第一晶体管的控制端分别与所述电源端、所述开关键的第一端以及所述第二晶体管的第一工作端连接，所述第二晶体管的控制端与所述MCU连接，所述第二晶体管的第二工作端和所述开关键的第二端接地，所述开关键处于按下状态时，所述第一晶体管导通以使所述电源端的电信号输出至所述MCU的电源引脚，所述第二晶体管的控制端在所述MCU的电源引脚接收到所述电信号后接收所述MCU输出的控制信号以保持所述第一晶体管持续导通。优选地，还包括电压转换电路，所述电压转换电路的输入端与所述第一晶体管的第二端连接，所述电压转换电路的输出端与所述MCU的电源引脚连接。优选地，还包括第一电阻、第二电阻、第一二极管和第二二极管；所述第一电阻的第一端与所述第一晶体管的第一工作端和所述电源端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端和所述第一晶体管的控制端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二晶体管的第一工作端和所述第一二极管的阳极连接，所述第一二极管的阴极与所述开关键的第一端和所述第二二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极与所述MCU的关机引脚连接。优选地，还包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的第一端与所述MCU的电源引脚连接，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端和所述第二晶体管的控制端连接，所述第四电阻的第二端与所述第二晶体管的发射极连接并接地。优选地，所述第一晶体管为MOS，所述MOS的栅极作为所述第一晶体管的控制端，所述MOS的源极作为所述第一晶体管的第一工作端，所述MOS的漏极作为所述第一晶体管的第二工作端。优选地，所述第二晶体管为三极管，所述三极管的基极作为所述第二晶体管的控制端，所述三极管的集电极作为所述第二晶体管的第一工作端，所述三极管的发射极作为所述第二晶体管的第二工作端。优选地，所述电压转换电路具体为降压电路。优选地，还包括设置在所述降压电路的输出端和所述MCU的电源引脚之间的滤波电路。优选地，还包括电容，所述电容的第一端与所述第一晶体管的第二工作端和所述降压电路的输入端连接，所述电容的第二端接地。为解决上述技术问题，本申请还提供一种美发产品，包括电源电路和MCU，还包括所述的低待机能效控制电路。本申请所提供的低待机能效控制电路，包括第一晶体管、第二晶体管以及开关键。第一晶体管的第一工作端和第二工作端分别与电源电路的电源端和MCU的电源引脚连接，第一晶体管的控制端分别与电源端、开关键的第一端以及第二晶体管的第一工作端连接，第二晶体管的控制端与MCU连接，第二晶体管的第二工作端和开关键的第二端接地，开关键处于按下状态时，第一晶体管导通以使电源端的电信号输出至MCU的电源引脚，第二晶体管的控制端在MCU的电源引脚接收到电信号后接收MCU输出的控制信号以保持第一晶体管持续导通。由此可见，通过以上器件就可以使得MCU处于待机状态，降低待机功耗，而以上器件的成本较低，故可以克服现有技术的缺点。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种低待机能效控制电路的电路图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护范围。本申请的核心是提供一种低待机能效控制电路及美发产品，用于在满足待机功耗的要求下，实现较低的成本。为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。图1为本申请实施例提供的一种低待机能效控制电路的电路图。如图1所示，该电路包括第一晶体管M1、第二晶体管Q1以及开关键K1。需要说明的是，图1中只是示出了低待机能效控制电路，并未示出与其连接的电源电路和其它应用电路，电源电路以及其它应用电路均与现有技术相同，可参见现有技术，本申请不再赘述。具体的连接方式为：第一晶体管M1的第一工作端和第二工作端分别与电源电路的电源端和MCU的电源引脚连接，第一晶体管M1的控制端分别与电源端、开关键K1的第一端以及第二晶体管Q1的第一工作端连接，第二晶体管Q2的控制端与MCU连接，第二晶体管Q1的第二工作端和开关键K1的第二端接地，开关键K1处于按下状态时，第一晶体管M1导通以使电源端的电信号输出至MCU的电源引脚，第二晶体管Q1的控制端在MCU的电源引脚接收到电信号后接收MCU输出的控制信号以保持第一晶体管M1持续导通。开关键K1的作用是供用户按下实现，正常使用，在待机状态时，开关键K1未被按下，使得电源电路的电源端和地之间是断路，所以第一晶体管M1的控制端为低电平，故第一晶体管M1处于截止状态，那么电源电路的电源端与MCU的电源引脚就是断开的，所以此时MCU无电源输入，故不会产生功耗。当开关键K1被按下时，使得电源电路的电源端和地之间形成通路，所以第一晶体管M1的控制端为高电平，故第一晶体管M1处于导通状态，那么电源电路的电源端与MCU的电源引脚就是接通的，所以此时MCU有电源输入，故能够正常工作。当MCU正常工作后，其控制引脚输出的控制信号，此时第二晶体管Q1的控制端相当于接收到高电平，使得第二晶体管Q1导通，那么即使开关键被松开，电源端与地之间依然是通路，所以第一晶体管M1的控制端依然保持高电平，依然处于导通状态，使得MCU能够正常工作。作为优选地实施方式，第一晶体管M1为MOS，MOS的栅极作为第一晶体管M1的控制端，MOS的源极作为第一晶体管M1的第一工作端，MOS的漏极作为第一晶体管M1的第二工作端。可以理解的是，除了MOS外，第一晶体管M1还可以是IGBT等，甚至也可以为三极管，只要能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低待机能效控制电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管以及开关键；/n其中，所述第一晶体管的第一工作端和第二工作端分别与电源电路的电源端和MCU的电源引脚连接，所述第一晶体管的控制端分别与所述电源端、所述开关键的第一端以及所述第二晶体管的第一工作端连接，所述第二晶体管的控制端与所述MCU连接，所述第二晶体管的第二工作端和所述开关键的第二端接地，所述开关键处于按下状态时，所述第一晶体管导通以使所述电源端的电信号输出至所述MCU的电源引脚，所述第二晶体管的控制端在所述MCU的电源引脚接收到所述电信号后接收所述MCU输出的控制信号以保持所述第一晶体管持续导通。/n

【技术特征摘要】
1.一种低待机能效控制电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管以及开关键；
其中，所述第一晶体管的第一工作端和第二工作端分别与电源电路的电源端和MCU的电源引脚连接，所述第一晶体管的控制端分别与所述电源端、所述开关键的第一端以及所述第二晶体管的第一工作端连接，所述第二晶体管的控制端与所述MCU连接，所述第二晶体管的第二工作端和所述开关键的第二端接地，所述开关键处于按下状态时，所述第一晶体管导通以使所述电源端的电信号输出至所述MCU的电源引脚，所述第二晶体管的控制端在所述MCU的电源引脚接收到所述电信号后接收所述MCU输出的控制信号以保持所述第一晶体管持续导通。


2.根据权利要求1所述的低待机能效控制电路，其特征在于，还包括电压转换电路，所述电压转换电路的输入端与所述第一晶体管的第二端连接，所述电压转换电路的输出端与所述MCU的电源引脚连接。


3.根据权利要求1所述的低待机能效控制电路，其特征在于，还包括第一电阻、第二电阻、第一二极管和第二二极管；
所述第一电阻的第一端与所述第一晶体管的第一工作端和所述电源端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端和所述第一晶体管的控制端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二晶体管的第一工作端和所述第一二极管的阳极连接，所述第一二极管的阴极与所述开关键的第一端和所述第二二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极与所述MCU的关机引脚连接。


4.根据权利要求1所述的低待机能效控制电...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖勇，蔡晓欢，刘进，
申请(专利权)人：深圳市奋达科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44