【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】产生含金属膜的方法本专利技术属于在基材上产生无机含金属膜的方法，特别是原子层沉积方法的领域。随着例如在半导体工业中正在进行的小型化的发展，对基材上的无机薄膜的需求增加，同时对该类膜的质量的要求变得更加严格。金属薄膜用于不同的目的，例如阻隔层、传导结构或罩盖层。已知若干产生金属膜的方法。其中之一是将成膜化合物由气态沉积在基材上。为了使金属原子在适中温度下变为气态，必须例如通过使金属与合适的配体络合以提供挥发性前体。这些前体需要对于蒸发足够稳定，但另一方面其必须具有足够的反应性以便与沉积表面反应。EP3121309A1公开了一种用于由三(二烷基胺基)铝前体沉积氮化铝膜的方法。然而，该前体对于需要高质量膜的应用而言不够稳定。为了将沉积的金属络合物转化成金属膜，通常必须使沉积的金属络合物暴露于还原剂。通常，使用氢气来将沉积的金属络合物转化成金属膜。尽管对于较贵金属如铜或银而言，氢气相当好地起到了还原剂的作用，但其对于更电正性的金属如钛或铝而言产生的结果不尽如人意。WO2013/070702A1公开了一种采用通过二胺配位的氢化铝作为还原...
【技术保护点】
1.一种制备无机含金属膜的方法，其包括使固体基材与呈气态的通式(I)、(II)、(III)或(IV)化合物接触：/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171220 US 62/763,125;20180307 US 62/763,1361.一种制备无机含金属膜的方法，其包括使固体基材与呈气态的通式(I)、(II)、(III)或(IV)化合物接触：
其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，
E为NR或O，
n为0、1或2，m为0、1或2，且
R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
2.如权利要求1所述的方法，其中R为甲基、乙基、叔丁基、三甲基甲硅烷基，或两个R一起形成五元环，且R'为氢。
3.如权利要求1或所述的方法，其中如果E为NR或A为OR，则NR或OR中的R在1位不带有氢原子。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中在使固体基材与通式(I)、(II)、(III)或(IV)化合物接触之前，使含金属化合物由气态沉积至固体基材上。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述含金属化合物含有Ti、Ta、Mn、Mo、W、Al、Co、Ga、Ge、Sb或Te。
6.如权利要求4或5所述的方法，其中所述含金属化合物为金属卤化物。
7.如权利要求1-3中任一项所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·D·施魏因富特，L·迈尔，S·V·克伦克，S·魏戈尼，C·H·温特，K·布莱克尼，N·韦拉滕加西里卡图格，T·M·A·N·卡鲁纳拉特，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，韦恩州立大学，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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