磁传感器、检测装置及检测系统制造方法及图纸

用于检测试样中的检测对象物质的磁传感器具备：基板，其具有第一面及与第一面相对的第二面；磁阻效应元件，其设置于基板的第一面上，并且根据输入磁场而电阻值变化；及保护层，其覆盖磁阻效应元件上，磁阻效应元件构成为沿基板的第一面上的第一方向延伸的线状，并且具有俯视时位于外周缘的第一区域和被第一区域包围的第二区域，磁阻效应元件的第一区域上的保护层的上表面的高度比磁阻效应元件的第二区域上的保护层的上表面的高度高。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器、检测装置及检测系统
本专利技术涉及一种磁传感器、检测装置及检测系统。
技术介绍
作为定量的免疫测定(免疫测定法)，已知有放射免疫测定法(RIA(radioimmunoassay)、IRMA(immunoradiometricassay))。在该方法中，能够通过放射性核素标记竞争抗原或抗体，根据比放射性的测定结果定量地测定抗原。免疫测定是标记抗原等目标物体并间接地进行测定的方法。该方法由于灵敏度高，所以在临床诊断中做出了很大贡献，但存在需要确保放射性核素的安全性，需要专用的设施及装置的缺点。因此，作为更容易操作的方法，例如，提出了使用利用磁珠等作为标记的生物传感器的方法(参照专利文献1～4)。现有的生物传感器具备：基板、设置于基板上的GMR元件等磁阻效应元件和覆盖磁阻效应元件的保护膜。如果对试样中的生物分子具有亲和性的磁珠经由生物分子被捕获到保护层上后施加磁场，则从磁珠产生杂散磁场。通过将该杂散磁场输入到磁阻效应元件，磁阻效应元件的电阻值发生变化，能够基于该电阻值变化而间接地检测生物分子。现有技术文献专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感器，其特征在于，/n所述磁传感器用于检测试样中的检测对象物质，并且具备：/n基板，其具有第一面及与所述第一面相对的第二面；/n磁阻效应元件，其设置于所述基板的所述第一面上，并且根据输入磁场而电阻值变化；及/n保护层，其覆盖所述磁阻效应元件上，/n所述磁阻效应元件构成为沿所述基板的所述第一面上的第一方向延伸的线状，并且具有俯视时位于外周缘的第一区域和被所述第一区域包围的第二区域，/n所述磁阻效应元件的所述第一区域上的所述保护层的上表面的高度比所述磁阻效应元件的所述第二区域上的所述保护层的上表面的高度高。/n

【技术特征摘要】
20190320 JP 2019-052347;20191223 JP 2019-2310511.一种磁传感器，其特征在于，
所述磁传感器用于检测试样中的检测对象物质，并且具备：
基板，其具有第一面及与所述第一面相对的第二面；
磁阻效应元件，其设置于所述基板的所述第一面上，并且根据输入磁场而电阻值变化；及
保护层，其覆盖所述磁阻效应元件上，
所述磁阻效应元件构成为沿所述基板的所述第一面上的第一方向延伸的线状，并且具有俯视时位于外周缘的第一区域和被所述第一区域包围的第二区域，
所述磁阻效应元件的所述第一区域上的所述保护层的上表面的高度比所述磁阻效应元件的所述第二区域上的所述保护层的上表面的高度高。


2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁阻效应元件的所述第一区域中的从所述磁阻效应元件的上表面到所述保护层的上表面的高度为40nm以上。


3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁阻效应元件的所述第一区域是从所述磁阻效应元件的上表面的端边朝向与该端边正交的内部40nm以上的区域。


4.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
在所述磁阻效应元件的所述第一区域，在所述磁阻效应元件和所述保护层之间设置有高度调节层。


5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，
还具备分别与所述磁阻效应元件的长边方向的两端部电连接的引线电极，
所述高度调节层包含位于所述磁阻效应元件的长边方向的两端部的所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：高杉圭祐，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP