β-Ga*O*纳米线及其气体传感器的制备和实现快速响应的气体传感方法技术

一种β－Ｇａ↓［２］Ｏ↓［３］纳米线及其气体传感器的制备和实现快速响应的气体传感方法。纳米线制备是：在硅衬底上沉积金膜；将镓颗粒放入舟中，衬底放在距舟适当处，加热、保温；加热炉内通氮气；炉冷却到室温后，产物在衬底上生成；传感器制备是：一定厚度金电极沉积到有ＳｉＯ↓［２］层的硅衬底上，两电极距离约１μｍ；将单根纳米线放到电极上；引线连接，再经老化处理。传感器的快速氧气响应：开始时，纳米线中自由载流子浓度很低，通过氧调节其电导非常弱，在紫外光光照下，通过纳米线的电流增加到一定值，短时间反映了氧气浓度；光照关闭后，光生载流子迅速再结合，光驱动氧气传感特性消失。传感器响应时间快、灵敏度高，适合于规模化的工业生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种β－Ｇａ↓［２］Ｏ↓［３］纳米线的制备方法，其特征是，该方法为：　　　　（１）将１纳米－１微米厚的金膜沉积在基片衬底上；　　　　（２）将镓金属颗粒放入矾土舟中，衬底放在距离舟０．８厘米－１．２厘米处，使之按下述条件一同加热、保温；　　　　（３）将矾土舟放入石英管中，再将石英管放入管式炉中，然后将管式炉加热到９７０℃－９９０℃，保持０．９－１．１小时；　　　　（４）加热炉内通入３８０ｓｃｃｍ－４２０ｓｃｃｍ（毫升／分钟）的氮气；　　　　（５）在管式炉冷却到室温后，产物－β－Ｇａ↓［２］Ｏ↓［３］纳米线在基片衬底上生成；。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王太宏，丰平，张杰，万青，许春梅，薛欣宇，刘永刚，虞红春，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：43[]