传感器芯片的制造方法及传感器芯片技术

本发明专利技术涉及一种传感器芯片的制造方法及使用该方法制造的传感器芯片。其具有基板、覆盖层、设于该基板和覆盖层间的间隔层，及设于该间隔层中的中空反应部，其特征在于，具有如下工序：在形成多个基板的薄层或者多个基板上，粘贴两条以上的粘附或粘接胶带，形成间隔层，且由该胶带间的一条或多条间隙，形成中空反应部，其能够减小该中空反应部的体积不一致或位置偏离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种传感器芯片的制造方法，具有基板、覆盖层、设于该基板和覆盖层间的间隔层，及设于该间隔层中的中空反应部，其特征在于，具有如下工序：在形成多个基板的薄层或者多个基板上，粘贴两条以上的粘附或粘接胶带，形成间隔层，且由该胶带间的一条或多条间隙，形成中空反应部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：改森信吾，细谷俊史，市野守保，中村秀明，后藤正男，来栖史代，石川智子，轻部征夫，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，独立行政法人产业技术总合研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]