【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：将粒径为３－１０ｎｍ的贵金属量子点在一定的介质中超声分散１０－５０ｍｉｎ后，均匀滴加到金属氧化物半导体材料中，而后烘干。其中贵金属量子点的用量为金属氧化物半导体材料质量的０．１％－１％。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张源，向群，徐甲强，许鹏程，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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