【技术实现步骤摘要】
一种Z型光催化剂制备方法
本专利技术涉及一种Z型光催化剂制备方法,Z型光催化剂组成为g-C3N4/WO3-xQDs。
技术介绍
随着化石燃料和化工产品的大量使用,环境污染问题越来越严重,已经严重影响了人类的生存和发展。传统的污染物处理方法都存在处理不彻底、能耗大、可能造成二次污染等问题。半导体光催化技术作为一种新兴的处理方法,在治理水体污染物和空气污染物方面都取得了很好的效果。但传统的光催化剂依然存在禁带宽度大和光生载流子复合率高等问题,使得其光催化效率较低。石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种非金属半导体催化剂,具有禁带宽度窄、可调控性和稳定性高等优点,且在可见光下存在催化活性位点,成为光催化领域研究的热点。但是g-C3N4的缺陷限制了其光催化性能,如禁带宽度为2.7eV,只能吸收利用太阳光中的蓝紫光,光生电子-空穴对易发生复合,导致光量子效率较低,影响其光催化活性;g-C3N4比表面积较小,发生氧化还原反应的位点较少,这些问题都会降低g-C3N4的光催化活性。为了解决上述问题,半导体复合材料受到了人们的广泛关注。 ...
【技术保护点】
1.一种Z型光催化剂制备方法,Z型光催化剂组成为g-C
【技术特征摘要】
1.一种Z型光催化剂制备方法,Z型光催化剂组成为g-C3N4/WO3-xQDs,其特征在于该方法按以下步骤进行:
(1)g-C3N4纳米片制备:在坩埚中550℃对5g尿素进行热处理3小时,自然冷却至环境温度,得到块状g-C3N4,200ml烧杯中加入0.1g块状g-C3N4,接着加入50mL乙醇,超声分散6h获得混合溶液,放入烘箱中60℃烘干6~8h得到g-C3N4纳米片;
(2)WO3-xQDs制备:将0.2g的WCl6在40ml乙醇中溶解后,将溶液转移到不锈钢高压反应釜中,恒温180℃加热12小时,得到的反应液用有机滤膜过滤后得到WO3-xQDs溶液,将WO3-xQDs溶液放入烘箱中,60℃烘干6~8h得到WO3-xQDs固体;
(3)Z型g-C3N4/WO3-xQDs光催化剂制备方法:采用原位沉积法制备Z型g-C3N4/WO3-xQDs光催化剂,将0.1~0.5g的WO3-xQDs和9.5~9.9g的g-C3N4纳米片加入到90%乙醇水溶...
【专利技术属性】
技术研发人员:王滨松,黄菊,张杰,
申请(专利权)人:黑龙江大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江;23
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