【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光学性质测试和磁性材料磁学性质测试
, 尤其涉及一种增强磁圆偏振二向色性信号和提高信噪比的测量系统。
技术介绍
现代信息技术利用电子的电荷自由度来进行信息处理,而用磁性材料 的自旋自由度来存储信息。自旋电子学这个新兴的领域同时利用电子的这 两个自由度来产生新的功能,这可能引起未来的信息技术的革新。由于同时具有磁性和半导体的性质,稀磁半导体成为自旋电子学的应 用材料基础。外磁场会通过赛曼效应引起半导体能带发生分裂,分裂后的 能带的自旋简并被解除,即加外磁场后每一个能带有不同的能量,角动量 和自旋,这时半导体对光的吸收不仅依赖于光的能量而且依赖于光的偏振 态。磁圆偏振二向色性(Magnetic Circular Dichroism)就是测量磁场引起 的材料对左旋和右旋两种圆偏振光吸收系数的差,它的频谱分布反映材料 的能带结构,它在特定光波长处的磁场强度依赖性能反映材料的磁化过程。通常的非磁半导体由于有效g因子很小,它的磁圆偏振二向色性信号 很弱,而稀磁半导体由于很强的sp-d交换相互作用引起巨赛曼分裂,这减 小了我们探测到它的磁圆偏振二向色 ...
【技术保护点】
一种增强磁圆偏振二向色性信号和提高信噪比的测量系统,其特征在于,该系统包括:用于提供入射光的光源;用于将光源发出的光变成单色光的单色仪;用于将单色仪出射的光聚焦到渥拉斯顿棱镜上的第一凸透镜;用于将第一凸透镜聚焦的光分成偏振方向相互垂直的线偏振光O光和E光的渥拉斯顿棱镜;用于调制渥拉斯顿棱镜分成的O光和E光,产生左旋和右旋圆偏振光强度相等的光弹调制器;用于控制光弹调制器,并向锁相放大器输出参考信号的光弹调制器控制器;用于将光弹调制器出射的左旋和右旋圆偏振光强度相等的O光和E光聚焦到固定在变温磁体系统中心的样品上的第二凸透镜;用于固定样品,实现样品的温度和磁场在较大范围内连续可 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:甘华东,郑厚植,孙宝权,谭平恒,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。