融合式冷缩终端制造技术

技术编号:25773313 阅读:16 留言:0更新日期:2020-09-25 21:24
本实用新型专利技术公开了一种融合式冷缩终端,涉及电缆附件领域,其技术方案要点是,包括依次设置的外护套、钢铠、内护套;内护套内部具有分体设置的第一线芯结构、第二线芯结构和第三线芯结构,还包括冷缩终端,所述的主绝缘层由交联聚乙烯材料制成,冷缩终端由硅橡胶材料制成,在主绝缘层和硅橡胶层之间设有自制胶黏层,使得主绝缘层和冷缩终端形成一体融合式界面。技术效果是,胶黏层将交联聚乙烯材料和硅橡胶材料利用化学的方式将两者融合成一体结构,从根本上消除气隙的存在和产生的可能性,从而提高耐电压性能,避免空气放电;由于胶黏层的存在,可以修补在施工时对主绝缘产生的刀痕、凹坑,避免微小气隙和尖端的产生,又能防止水气从线芯及外部沿压紧界面渗透,导致的击穿事故。

【技术实现步骤摘要】
融合式冷缩终端
本技术涉及电缆附件领域,特别涉及一种融合式冷缩终端。
技术介绍
电缆附件作为电缆对接时的重要环节,任何绝缘缺陷都会产生局部放电,导致绝缘劣化甚至击穿。每年都会发生很多电缆附件击穿事故,95%以上都是安装人员在安装时的质量不达标造成的,比如压接管尖角未打磨:接头安装中,电缆导体线芯压接部位表面未处理光滑,会存在金属毛、尖端、棱角。电缆运行时,这些不规则部位由于电场集中而产生尖端放电。制作过程中,电缆导体线芯压接部位不进行打磨处理,将压接面刻意留出棱角。比如主绝缘纵向划痕:在剥离外半导电层时,常会因为用刀过深而在主绝缘表面留下潜在的气隙,因为绝缘上留下的刀痕在微观上有很大的间隙,会在绝缘中发生空隙放电,形成电树枝将绝缘击穿。现有的主绝缘和冷缩接头之间都会涂覆有一层硅脂,填补气隙。比如,瓦克硅脂,瓦克硅脂电绝缘性好,介电强度高,电容率高,介电常数小,不会固化。但是时间久了之后,硅脂会被吸收,转化为剩余的白炭黑粉末,主绝缘和冷缩接头之间相抵接的界面本质上是相互抵接的空气压紧界面,硅脂被吸收后又会留出气隙,水气从线芯及外部沿压紧界面渗透,导致主绝缘被击穿。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种融合式冷缩终端,其具有产品与电缆附件的界面完美复合,改变了原来的界面特性,不仅大幅度提高界面的耐雷电冲击强度,同时具有不易产生气隙、尖端,避免局部放电以及防止水气从两端及线芯处渗透至压紧界面的优点。一种融合式冷缩终端,包括依次设置的外护套、钢铠、内护套;内护套内部具有线芯结构,线芯结构包括分体设置的第一线芯结构、第二线芯结构和第三线芯结构;线芯结构均包括依次自外向内设置的铜屏蔽层、半导电层、主绝缘层、线芯,在线芯的露出部分分别设有导电的接线端子;还包括冷缩终端,冷缩终端收缩包覆在线芯结构的外侧,并在冷缩终端的轴端设有密封结构;所述的主绝缘层由交联聚乙烯材料制成,冷缩终端由硅橡胶材料制成,在主绝缘层和冷缩终端之间设有自制胶黏层,胶黏层于主绝缘层和冷缩终端的内壁上复合,使得主绝缘层和冷缩终端形成一体融合式界面。通过采用上述技术方案,将三个线芯结构的主绝缘和冷缩终端部分的硅脂层,改为自制的胶黏层,从原有的压紧式抵接,改为相互通过胶黏层渗透至主绝缘层和冷缩接头的连接,胶黏层将交联聚乙烯材料和硅橡胶材料利用化学的方式将两者融合成一体结构,从根本上消除气隙的存在和产生的可能性,从而提高耐电压性能,避免空气放电;由于胶黏层的存在,具有一定的修补能力,可以消除施工过程中产生的施工缺陷,胶黏层在固化后具有一定的厚度,并利用该厚度,修补在施工时对主绝缘产生的刀痕、凹坑,避免微小气隙和尖端的产生,又能防止水气从线芯及外部沿压紧界面渗透,导致的击穿事故。进一步设置:所述冷缩终端包括套管状的硅橡胶本体,硅橡胶本体的内侧的应力锥,应力锥包覆至半导电层和主绝缘层之间的相接处。通过采用上述技术方案,安装好之后,保证有足够的弹性压紧力,从而保证良好的界面特性。进一步设置:所述应力锥包覆至半导电层和主绝缘层之间的相接处,应力锥位于主绝缘层的外圈。通过采用上述技术方案,改善半导电末端电场分布、降低半导电末端边缘处电场强度。进一步设置:所述第一线芯结构、第二线芯结构和第三线芯结构的根部套设有三指套,三指套自线芯结构延伸至外护套一侧,第一线芯结构、第二线芯结构和第三线芯结构上均套设有与三指套相接的冷缩护套管。通过采用上述技术方案,三指套完成对外护套、钢铠和内护套以及线芯结构的密封。进一步设置:所述三指套内设有接地线恢复结构,接地线恢复结构包括安装在钢铠上的第一接地结构和安装在各个线芯结构的铜屏蔽层上的第二接地结构,第一接地结构和第二接地结构相互绝缘隔离;第一接地结构包括连接在钢铠上的钢铠编织线和将钢铠编织线固定在钢铠上的钢铠恒力弹簧;第二接地结构包括连接在各个线芯结构的铜屏蔽层上的铜屏蔽编织线和将铜屏蔽编织线固定在钢铠上的铜屏蔽恒力弹簧。通过采用上述技术方案,恢复各个线芯结构的铜屏蔽层接地和钢铠接地。进一步设置:所述密封结构包括设于接线端子压接处的密封胶和套设冷缩终端后包覆在该端部上相位带。通过采用上述技术方案,完成冷缩终端的轴端处的接线端子的密封。进一步设置:任一线芯结构均的半导电层的边沿设有使得自身与主绝缘层平滑过渡的倒角。通过采用上述技术方案,半导电层倒角与主绝缘层平滑过渡,通过应力锥将绝缘屏蔽层的切断处进行延伸,使零电位形成喇叭状,改善了绝缘屏蔽层的电场分布,降低了电晕产生的可能性,减少了绝缘的破坏,保证了电缆的运行寿命。附图说明图1是融合式冷缩终端的结构示意图;图2是融合式冷缩终端的截面示意图;图3是冷缩终端的结构示意图。图中,1、外护套;2、钢铠;3、内护套;4、线芯结构;41、第一线芯结构;42、第二线芯结构;43、第三线芯结构;5、冷缩终端;6、铜屏蔽层;7、半导电层;8、主绝缘层;9、线芯;10、接线端子;11、冷缩护套管;12、三指套;13、钢铠编织线;14、钢铠恒力弹簧;15、第一接地结构;16、铜屏蔽编织线;17、铜屏蔽恒力弹簧;18、第二接地结构;21、密封胶;22、硅橡胶本体;23、导电管;24、应力锥;241、环形套;242、环形锥。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。第一种优选实施方式:一种融合式冷缩终端,如图1所示,包括依次设置的外护套1、钢铠2、内护套3。如图1和图2所示,内护套3内部具有线芯结构4,任一线芯结构4均由端部的外层并逐渐向内层剥离形成逐级分层露出结构,线芯结构4包括的第一线芯结构41、第二线芯结构42和第三线芯结构43,任一线芯结构4均包括依次设置的铜屏蔽层6、半导电层7、主绝缘层8、线芯9,在线芯9的露出部分分别设有导电的接线端子10。该融合式冷缩终端还包括冷缩终端5,冷缩终端5收缩包覆在线芯结构4的外侧,在接线端子10结合在线芯9上后,冷缩终端5包覆在接线端子10和主绝缘层8的外侧。在冷缩终端5包覆前,第一线芯结构41、第二线芯结构42和第三线芯结构43的根部套设有三指套12,三指套12自线芯结构4延伸至外护套1一侧,第一线芯结构41、第二线芯结构42和第三线芯结构43上均套设有与三指套12相接的冷缩护套管11。三指套12内设有接地线恢复结构,接地线恢复结构包括安装在钢铠2上的第一接地结构15和安装在各个线芯结构4的铜屏蔽层6上的第二接地结构18,第一接地结构15和第二接地结构18相互绝缘隔离;第一接地结构15包括连接在钢铠2上的钢铠编织线13和将钢铠编织线13固定在钢铠上的钢铠恒力弹簧14;第二接地结构18包括连接在各个线芯结构4的铜屏蔽层6上的铜屏蔽编织线16和将铜屏蔽编织线16固定在钢铠2上的铜屏蔽恒力弹簧17。冷缩终端5包覆在主绝缘层8的外侧。主绝缘层8由交联聚乙烯材料制成,冷缩终端5由硅橡胶材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种融合式冷缩终端,包括依次设置的外护套(1)、钢铠(2)、内护套(3);内护套(3)内部具有线芯结构(4),线芯结构(4)包括分体设置的第一线芯结构(41)、第二线芯结构(42)和第三线芯结构(43);/n线芯结构(4)均包括依次自外向内设置的铜屏蔽层(6)、半导电层(7)、主绝缘层(8)、线芯(9),在线芯(9)的露出部分分别设有导电的接线端子(10);/n还包括冷缩终端(5),冷缩终端(5)收缩包覆在线芯结构(4)的外侧,并在冷缩终端(5)的轴端设有密封结构;/n其特征在于:所述的主绝缘层(8)由交联聚乙烯材料制成,冷缩终端(5)由硅橡胶材料制成,在主绝缘层(8)和冷缩终端(5)之间设有自制胶黏层,胶黏层于主绝缘层(8)和冷缩终端(5)的内壁上复合,使得主绝缘层(8)和冷缩终端(5)形成一体融合式界面。/n

【技术特征摘要】
1.一种融合式冷缩终端,包括依次设置的外护套(1)、钢铠(2)、内护套(3);内护套(3)内部具有线芯结构(4),线芯结构(4)包括分体设置的第一线芯结构(41)、第二线芯结构(42)和第三线芯结构(43);
线芯结构(4)均包括依次自外向内设置的铜屏蔽层(6)、半导电层(7)、主绝缘层(8)、线芯(9),在线芯(9)的露出部分分别设有导电的接线端子(10);
还包括冷缩终端(5),冷缩终端(5)收缩包覆在线芯结构(4)的外侧,并在冷缩终端(5)的轴端设有密封结构;
其特征在于:所述的主绝缘层(8)由交联聚乙烯材料制成,冷缩终端(5)由硅橡胶材料制成,在主绝缘层(8)和冷缩终端(5)之间设有自制胶黏层,胶黏层于主绝缘层(8)和冷缩终端(5)的内壁上复合,使得主绝缘层(8)和冷缩终端(5)形成一体融合式界面。


2.根据权利要求1所述的融合式冷缩终端,其特征在于:所述冷缩终端(5)包括套管状的硅橡胶本体(22),硅橡胶本体(22)的内侧的应力锥(24),应力锥(24)包覆至半导电层(7)和主绝缘层(8)之间的相接处。


3.根据权利要求2所述的融合式冷缩终端,其特征在于:所述应力锥(24)包覆至半导电层(7)和主绝缘层(8)之间的相接处,应力锥(24)位于主绝缘层(8)的外圈。


4.根据权利要求1所述的融合...

【专利技术属性】
技术研发人员:佘晓峰胡克勍刘文斌
申请(专利权)人:杭州矽能电力技术有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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