多圈传感器布置制造技术

本公开涉及多圈传感器布置。系统包括多圈计数器，该多圈计数器可以存储与磁场的累积圈数关联的磁状态。多圈计数器包括多个彼此串联电耦合的磁阻元件和参考元件。所述多个磁阻元件形成在磁条中。参考元件与磁条分开。磁条的条宽和参考元件的条宽类似。所述多个磁阻元件和参考元件可耦合到电连接的矩阵。

【技术实现步骤摘要】
多圈传感器布置相关申请的交叉引用本申请要求2019年3月18日提交的标题为“具有参考元件的多圈传感器布置”的美国临时申请No.62/819,858的权益，出于所有目的将其全部公开内容通过引用合并于此。此外，本申请与2016年3月8日提交的题为“多圈传感器布置和读数”的美国专利申请No.15/064,544(现在的美国公开No.2017/0261345)相关，出于所有目的将其全部公开内容通过引用合并于此。
本申请涉及传感器，更具体地，涉及诸如巨磁阻多圈传感器的多圈传感器。
技术介绍
多圈计数器可以跟踪设备或其元件已转动多少次。这可以使用电磁系统来实现。电磁多圈传感器可以包括电多圈传感器、磁多圈传感器和使用电和磁原理的多圈传感器。电磁多圈传感器的示例包括巨磁阻(GMR)传感器。多圈计数器具有多种用途。多圈计数器的电子实现可以将物理位置或运动转换为适合处理的电磁表示。例如，电传驾驶汽车可以使用多圈计数器来跟踪方向盘已转过多少次。例如，这允许车辆控制系统在方向盘处于45度或405度时进行区分，尽管方向盘在两个角度处都处于相同位置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.磁阻传感器，包括：/n磁条，包括彼此串联电耦合的多个磁阻元件，所述磁条具有螺旋形布局，并且所述磁条的多个磁阻元件中的每一个具有至少两个与不同电阻相关联的状态；和/n具有至少一个开关元件的感测电路，所述感测电路电耦合至所述磁条，所述感测电路被配置为确定所述多个磁阻元件中的所选磁阻元件的状态，/n其中所述感测电路被配置为提供单个读数。/n

【技术特征摘要】
20190318 US 62/819,858;20200117 US 16/746,6101.磁阻传感器，包括：
磁条，包括彼此串联电耦合的多个磁阻元件，所述磁条具有螺旋形布局，并且所述磁条的多个磁阻元件中的每一个具有至少两个与不同电阻相关联的状态；和
具有至少一个开关元件的感测电路，所述感测电路电耦合至所述磁条，所述感测电路被配置为确定所述多个磁阻元件中的所选磁阻元件的状态，
其中所述感测电路被配置为提供单个读数。


2.权利要求1所述的磁阻传感器，是巨磁阻(GMR)传感器、隧道磁阻(TMR)传感器或各向异性磁阻(AMR)传感器之一。


3.权利要求1所述的磁阻传感器，还包括参考元件，该参考元件的元件宽度通常类似于所述磁条的条宽，使得由外部磁场引起的参考元件中的寄生效应通常类似于所述多个磁阻元件中元件的寄生效应。


4.权利要求3所述的磁阻传感器，其中所述参考元件是参考电阻器。


5.权利要求3所述的巨磁阻传感器，其中所述参考元件形成大体上圆形的螺旋形电阻器。


6.权利要求3所述的巨磁阻传感器，其中所述参考元件包括水平参考电阻器和垂直参考电阻器。


7.巨磁阻(GMR)传感器，包括：
包括彼此串联电耦合的多个磁阻元件的磁条，所述磁条具有螺旋形布局，并且所述磁条的多个磁阻元件中的每一个具有至少两个与不同电阻相关联的状态；
构件，用于使用参考元件减少所述多个磁阻元件的磁阻元件中的寄生效应；和
具有至少一个开关元件的感测电路，所述感测电路电耦合至所述磁条，所述感测电路被配置为确定所述多个磁阻元件中的所选磁阻元件的状态。


8.权利要求7所述的巨磁阻传感器，其中所述用于减少寄生效应的构件包括比较器，该比较器被配置为确定所述多个磁阻元件的磁阻元件中的寄生效应和所述参考元件的寄生效应。


9.权利要求7所述的巨磁阻传感器，其中所述参考元件包括通常类似于所述磁条的条宽的元件宽度，使得由外部磁场引起的所述参考元件中的寄生...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·施密特，P·J·汤吉，C·麦金托什，W·王，M·杜特，
申请(专利权)人：亚德诺半导体国际无限责任公司，
类型：发明
国别省市：爱尔兰;IE