【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法，其特征在于依次包括以下步骤：（１）、大面积硅微米柱阵列的制备：ａ、采用紫外光刻技术在硅片上实现微米点阵图案；ｂ、采用等离子干法刻蚀技术在所述的硅片上制备硅微米柱阵列；（２）、采用纳米组装技术在所述的硅微米柱阵列上大面积均匀生长纳米棒，得到三维有序周期微纳结构阵列；（３）、采用水热合成方法在三维有序周期微纳结构阵列内镶嵌不同形貌的金属纳米颗粒。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵爱武，梅涛，王大朋，倪林，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]
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