【技术实现步骤摘要】
一种耐高温聚酰亚胺薄膜及其制备方法
本专利技术涉及聚酰亚胺薄膜
,尤其涉及一种耐高温聚酰亚胺薄膜及其制备方法。
技术介绍
聚酰亚胺凭借其优异的热稳定性、良好的力学性能和电学性能,被广泛应用于电气电子等领域。随着电气电子行业的不断发展,需要提供具有更好耐热性能的聚酰亚胺薄膜,以适应市场的需求。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题,本专利技术提出了一种耐高温聚酰亚胺薄膜及其制备方法,本专利技术在具有良好耐高温性能的同时,具有良好的机械性能和绝缘性能。本专利技术提出的一种耐高温聚酰亚胺薄膜,其原料包括:二胺单体、二酐单体和填料,其中,填料为氮化硼纳米片和改性纳米二氧化硅。优选地,填料的含量为20-25wt%。优选地,氮化硼纳米片和改性纳米二氧化硅的重量比为1:0.8-1。优选地,氮化硼纳米片的尺寸小于100×100nm,厚度为8-10nm。优选地,改性纳米二氧化硅为3-氨基丙基三乙氧基硅烷改性纳米二氧化硅。优选地,二胺单体为2,2’-二甲基-4,4’-
【技术保护点】
1.一种耐高温聚酰亚胺薄膜,其特征在于,其原料包括:二胺单体、二酐单体和填料,其中,填料为氮化硼纳米片和改性纳米二氧化硅。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种耐高温聚酰亚胺薄膜,其特征在于,其原料包括:二胺单体、二酐单体和填料,其中,填料为氮化硼纳米片和改性纳米二氧化硅。
2.根据权利要求1所述耐高温聚酰亚胺薄膜,其特征在于,填料的含量为20-25wt%。
3.根据权利要求1或2所述耐高温聚酰亚胺薄膜,其特征在于,氮化硼纳米片和改性纳米二氧化硅的重量比为1:0.8-1。
4.根据权利要求1-3任一项所述耐高温聚酰亚胺薄膜,其特征在于,氮化硼纳米片的尺寸小于100×100nm,厚度为8-10nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述耐高温聚酰亚胺薄膜,其特征在于,改性纳米二氧化硅为3-氨基丙基三乙氧基硅烷改性纳米二氧化硅。
6.根据权利要求1-5任一项所述耐高温聚酰亚胺薄膜,其特征在于,二胺单体为2,2’-二甲基-4,4’-二氨基联苯胺。
7.根据权利要求1-6任一项所述耐高温聚酰亚胺薄膜,其特征在于,二酐单体为3,3’,4,4’-联苯四酸酐。
技术研发人员:金文斌,
申请(专利权)人:浙江中科玖源新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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