一种共发射极双IEGT并联压接结构制造技术

一种共发射极双IEGT并联压接结构，包括第一散热器、第一压接式IEGT、第二散热器、第二压接式IEGT、第三散热器、集电极并联母排、双通道驱动器和安装壳；第一散热器、第一压接式IEGT、第二散热器、第二压接式IEGT、第三散热器、集电极并联母排和双通道驱动器设置在安装壳内。本实用新型专利技术全面考虑了并联功率元件的压接特性、驱动特性以及经济性等方面，很好的解决了并联功率元件发射极附近寄生电感感应电动势对驱动电路的干扰，从而实现了并联功率元件在开断过程中的均流，尤其在关断超大短路电路时优势尤为明显，从而获得了功率元件开断能力的累加效果。

【技术实现步骤摘要】
一种共发射极双IEGT并联压接结构
本技术涉及电力电子
，尤其涉及一种共发射极双IEGT并联压接结构。
技术介绍
随着全球可再生能源开发利用规模不断扩大，柔性直流输配电技术得到了极大的发展，而直流断路器是多端直流系统向柔性直流电网发展的必不可少的电气设备。直流断路器在切断电流的过程中，没有电流过零点，严重制约着直流断路器的研制。为解决直流非过零点开断的问题，目前普遍的做法是采用以IEGT/IGBT/IGCT等功率半导体器件为核心开断元件的电力电子开关组件，但单支功率元件的开断能力非常有限，如何利用功率元件有限的开断能力设计出具备超强开断能力的电力电子开关组件，是摆在电力工程师面前的一大难题。
技术实现思路
(一)技术目的为解决
技术介绍
中存在的技术问题，本技术提出一种共发射极双IEGT并联压接结构，并联功率元件压装力完全一致，完全相同的压接效果有助于并联功率元件获得接近一致的关断特性；门极-发射极结构完全对称，且并联功率元件发射极之间电气连接的寄生电感极低，可以避免发射极附近寄生电感感应电动势对驱动电路的干扰本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种共发射极双IEGT并联压接结构，其特征在于，包括第一散热器(1)、第一压接式IEGT(2)、第二散热器(3)、第二压接式IEGT(4)、第三散热器(5)、集电极并联母排(6)、双通道驱动器(7)和安装壳；第一散热器(1)、第一压接式IEGT(2)、第二散热器(3)、第二压接式IEGT(4)、第三散热器(5)、集电极并联母排(6)和双通道驱动器(7)设置在安装壳内；/n第一压接式IEGT(2)设置在第一散热器(1)和第二散热器(3)之间，第一压接式IEGT(2)上设置有集电极C1和发射极E1；集电极C1与第一散热器(1)接触；发射极E1与第二散热器(3)接触；第二压接式IEGT(4)设置...

【技术特征摘要】
1.一种共发射极双IEGT并联压接结构，其特征在于，包括第一散热器(1)、第一压接式IEGT(2)、第二散热器(3)、第二压接式IEGT(4)、第三散热器(5)、集电极并联母排(6)、双通道驱动器(7)和安装壳；第一散热器(1)、第一压接式IEGT(2)、第二散热器(3)、第二压接式IEGT(4)、第三散热器(5)、集电极并联母排(6)和双通道驱动器(7)设置在安装壳内；
第一压接式IEGT(2)设置在第一散热器(1)和第二散热器(3)之间，第一压接式IEGT(2)上设置有集电极C1和发射极E1；集电极C1与第一散热器(1)接触；发射极E1与第二散热器(3)接触；第二压接式IEGT(4)设置在第二散热器(3)和第三散热器(5)之间，第二压接式IEGT(4)上设置有集电极C2和发射极E2；集电极C2与第三散热器(5)接触；发射极E2与第二散热器(3)的远离发射极E1的一面接触；
第一散热器(1)、第一压接式IEGT(2)、第二散热器(3)、第二压接式IEGT(4)和第三散热器(5)沿共发射极双IEGT...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖风良，李伟，宋中建，谢文刚，张志诚，武可，张公一，
申请(专利权)人：山东泰开高压开关有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37