一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构及方法技术

本发明专利技术涉及一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构及方法，属于变压器绕组磁屏蔽技术领域。技术方案：内绕组（1）中部的多个导线饼一（5）之间均设有磁屏蔽层一，磁屏蔽层一（3）的一端与内绕组相邻外绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层一最短，两端的磁屏蔽层一最长；外绕组（2）中部的多个导线饼二（6）之间均设有磁屏蔽层二（4），磁屏蔽层二的一端与外绕组相邻内绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层二最短，两端的磁屏蔽层二最长。本发明专利技术的有益效果：在内绕组和外绕组中部设置磁屏蔽层一和磁屏蔽层二，使进入绕组中部的漏磁通大幅减少，进而大幅减小绕组中部导线的短路发生力，降低变压器的材料成本，降低变压器短路阻抗，减小变压器电压调整率。

【技术实现步骤摘要】
一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构及方法
本专利技术涉及一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构及方法，属于变压器绕组磁屏蔽

技术介绍
随着高压交流输电系统的容量越来越大，系统的短路电流也越来越大，对电力变压器的安全稳定运行构成严重威胁。为了保证电力变压器绕组有足够的短路耐受能力，目前普遍的做法是提高绕组的短路阻抗以减小通过绕组的短路电流，从而提高绕组的短路耐受能力，但这种方法明显增加了变压器的材料成本，也提高了变压器的电压调整率。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构及方法，在内绕组和外绕组中部设置磁屏蔽层，减少了绕组中部的漏磁通密度，从而减小绕组端部导线的短路发生力，解决了
技术介绍
中存在的问题。本专利技术的技术方案是：一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构，包含内绕组、外绕组、磁屏蔽层一和磁屏蔽层二，内绕组由多个导线饼一组成，外绕组由多个导线饼二组成，导线饼一与导线饼二的数量相同；内绕组中部的多个导线饼一之间均设有磁屏蔽层一，磁屏蔽层一的一端与内绕组相邻外绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层一最短，两端的磁屏蔽层一最长；外绕组中部的多个导线饼二之间均设有磁屏蔽层二，磁屏蔽层二的一端与外绕组相邻内绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层二最短，两端的磁屏蔽层二最长；磁屏蔽层一和磁屏蔽层二相对于内绕组和外绕组之间的中心轴轴向对称。所述磁屏蔽层一和磁屏蔽层二均采用具有导电性的材料制成。所述内绕组和外绕组的数量均至少为一个。一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽的方法，采用上述的漏磁场屏蔽结构，包含如下步骤：在内绕组中部的多个导线饼一之间均设有磁屏蔽层一，在外绕组中部的多个导线饼二之间均设有磁屏蔽层二，磁屏蔽层一和磁屏蔽层二覆盖在内绕组和外绕组内纵向漏磁通集中处，在漏磁场中会产生涡流，可以减少进入内绕组和外绕组中部的漏磁通，从而减小内绕组和外绕组中部导线的短路发生力。本专利技术的有益效果是：在内绕组和外绕组中部设置磁屏蔽层一和磁屏蔽层二，使进入绕组中部的漏磁通大幅减少，进而大幅减小绕组中部导线的短路发生力，降低变压器的材料成本，降低变压器短路阻抗，减小变压器电压调整率。附图说明图1为本专利技术结构示意图；图中：内绕组1、外绕组2、磁屏蔽层一3、磁屏蔽层二4、导线饼一5、导线饼二6。具体实施方式以下结合附图，通过实施例对本专利技术作进一步的说明。一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构，包含内绕组1、外绕组2、磁屏蔽层一和磁屏蔽层二，内绕组1由多个导线饼一5组成，外绕组由多个导线饼二6组成，导线饼一与导线饼二的数量相同；内绕组1中部的多个导线饼一之间均设有磁屏蔽层一3，磁屏蔽层一的一端与内绕组相邻外绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层一最短，两端的磁屏蔽层一最长；外绕组2中部的多个导线饼二之间均设有磁屏蔽层二4，磁屏蔽层二的一端与外绕组相邻内绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层二最短，两端的磁屏蔽层二最长；磁屏蔽层一和磁屏蔽层二相对于内绕组1和外绕组2之间的中心轴轴向对称。所述磁屏蔽层一3和磁屏蔽层二4均采用具有导电性的材料制成。所述内绕组和外绕组的数量均至少为一个。一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽的方法，采用上述的漏磁场屏蔽结构，包含如下步骤：在内绕组1中部的多个导线饼一之间均设有磁屏蔽层一，在外绕组2中部的多个导线饼二之间均设有磁屏蔽层二，磁屏蔽层一和磁屏蔽层二覆盖在内绕组和外绕组内纵向漏磁通集中处，在漏磁场中会产生涡流，可以减少进入内绕组和外绕组中部的漏磁通，从而减小内绕组和外绕组中部导线的短路发生力。在本实施例中，内绕组和外绕组数量均为一个，导线饼一和导线饼二的数量均为十六个，磁屏蔽层一3和磁屏蔽层二4的数量均为十一个，十一个磁屏蔽层一的一端均与内绕组相邻外绕组的一侧齐平，另一端呈阶梯状布置；第八个导线饼一与第九个导线饼一之间的第六个磁屏蔽层一3最短，第三个导线饼一与第四个导线饼一之间的第一个磁屏蔽层一3和第十三个导线饼一与第十四个导线饼一之间的第十一个磁屏蔽层一3最长；十一个磁屏蔽层二的一端与外绕组相邻内绕组的一侧齐平，另一端呈阶梯状布置；第八个导线饼二与第九个导线饼二之间的第六个磁屏蔽层二4最短，第三个导线饼二与第四个导线饼二之间的第一个磁屏蔽层二4和第十三个导线饼二与第十四个导线饼二之间的第十一个磁屏蔽层二4最长；磁屏蔽层一和磁屏蔽层二相对于内绕组1和外绕组2之间的中心轴轴向对称。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构，其特征在于：包含内绕组（1）、外绕组（2）、磁屏蔽层一（3）和磁屏蔽层二（4），内绕组（1）由多个导线饼一（5）组成，外绕组由多个导线饼二（6）组成，导线饼一与导线饼二的数量相同；内绕组（1）中部的多个导线饼一之间均设有磁屏蔽层一，磁屏蔽层一的一端与内绕组相邻外绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层一最短，两端的磁屏蔽层一最长；外绕组（2）中部的多个导线饼二之间均设有磁屏蔽层二，磁屏蔽层二的一端与外绕组相邻内绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层二最短，两端的磁屏蔽层二最长；磁屏蔽层一和磁屏蔽层二相对于内绕组（1）和外绕组（2）之间的中心轴轴向对称。/n

【技术特征摘要】
1.一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构，其特征在于：包含内绕组（1）、外绕组（2）、磁屏蔽层一（3）和磁屏蔽层二（4），内绕组（1）由多个导线饼一（5）组成，外绕组由多个导线饼二（6）组成，导线饼一与导线饼二的数量相同；内绕组（1）中部的多个导线饼一之间均设有磁屏蔽层一，磁屏蔽层一的一端与内绕组相邻外绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层一最短，两端的磁屏蔽层一最长；外绕组（2）中部的多个导线饼二之间均设有磁屏蔽层二，磁屏蔽层二的一端与外绕组相邻内绕组的一侧齐平，中间的磁屏蔽层二最短，两端的磁屏蔽层二最长；磁屏蔽层一和磁屏蔽层二相对于内绕组（1）和外绕组（2）之间的中心轴轴向对称。


2.根据权利要求1所述的一种变压器绕组中...

【专利技术属性】
技术研发人员：范洪涛，刘东升，刘力强，张栋，李程，陆广，刘颖，王晓朦，彭光剑，常涛，杨哲，
申请(专利权)人：保定天威保变电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13