一种单模光纤及其制备方法技术

一种单模光纤及其制备方法，裸光纤包括芯层和包层，芯层包括第一芯层、第二芯层、内包层，第一芯层相对折射率差值为0.2％≤Δ

【技术实现步骤摘要】
一种单模光纤及其制备方法
本专利技术涉及一种单模光纤及其制备方法。
技术介绍
众所周知，随着光纤通信技术的快速发展，现有的常规G.652光纤已无法满足400G甚至1T等高速光通信干线传输，长途骨干网建设不断向超长距离、超高速率和超大容量方向发展。作为光纤信号传输的主要指标和症候所在，降低光纤损耗和增大有效面积被业界普遍认为是提高光纤传输容量和增加传输距离的关键因素。目前，业内用于制备低损耗、大有效面积光纤时，大多采用VAD法、PCVD法制作芯棒，而VAD法制作的光纤折射率较难控制，PCVD法由于受衬管尺寸的影响无法提高单根产能。而在调研中发现，通过外部气相沉积法(OVD)制作掺氟芯棒鲜有报道。针对通信光纤的衰减，除SiO2的本征吸收外，掺杂GeO2的吸收和散射是通信光纤衰减的最主要来源，减少芯层GeO2含量是降低光纤衰减的有效手段和主要方向，于此同时，通过合理配比光纤芯层和包层的粘度、降低光纤内应力、较少界面缺陷、降低瑞利散射等因素，来降低光纤衰减。中国专利ZL201310409732公开了一种利用纯硅芯方案制备低损耗光纤的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单模光纤的制备方法，其特征在于：包括如下步骤/n1)在OVD沉积车床上在水平横向设置的靶棒正下方设置垂直喷灯，在靶棒轴向两侧分别设置倾斜喷灯，所述倾斜喷灯的喷射方向与靶棒轴向呈夹角；/n2)将硅源和锗源通入垂直喷灯，在靶棒外沉积第一芯层疏松体，沉积结束后，开启倾斜喷灯将第一芯层疏松体烧结成致密的第一芯层；/n3)先开启垂直喷灯，通入硅源，在第一芯层外先沉积二氧化硅，然后关闭硅源沉积垂直喷灯，开启倾斜喷灯，通入硅源和磷源，开始沉积掺磷的第二芯层疏松体，沉积结束后，开启倾斜喷灯将第二芯层疏松体烧结成致密的第二芯层，并控制第二芯层的烧结密度低于第一芯层的烧结密度；/n4)先开启垂直喷灯，通入...

【技术特征摘要】
1.一种单模光纤的制备方法，其特征在于：包括如下步骤
1)在OVD沉积车床上在水平横向设置的靶棒正下方设置垂直喷灯，在靶棒轴向两侧分别设置倾斜喷灯，所述倾斜喷灯的喷射方向与靶棒轴向呈夹角；
2)将硅源和锗源通入垂直喷灯，在靶棒外沉积第一芯层疏松体，沉积结束后，开启倾斜喷灯将第一芯层疏松体烧结成致密的第一芯层；
3)先开启垂直喷灯，通入硅源，在第一芯层外先沉积二氧化硅，然后关闭硅源沉积垂直喷灯，开启倾斜喷灯，通入硅源和磷源，开始沉积掺磷的第二芯层疏松体，沉积结束后，开启倾斜喷灯将第二芯层疏松体烧结成致密的第二芯层，并控制第二芯层的烧结密度低于第一芯层的烧结密度；
4)先开启垂直喷灯，通入硅源，在第二芯层外先沉积二氧化硅，然后开启倾斜喷灯，通入硅源和氟源，与工作中的垂直喷灯一起沉积掺氟的内包层疏松体，完成沉积后取出靶棒；
5)将步骤4)得到的芯棒置入脱水炉，炉中通入He和Cl2对内包层疏松体脱水；脱水结束后，在1500～1650℃温度范围内烧结成透明母棒；
6)对透明母棒退火，延伸为子棒，对子棒进行校直、抛光，再进行一次退火，得到透明芯棒，将透明芯棒套入掺氟套管内，熔缩形成组合芯棒，再将组合芯棒塞入纯石英套管内，在拉丝炉内熔融拉丝成石英光纤；
7)对石英光纤进行退火；
8...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋海瑞，冯术娟，孙周，徐亮，侯树虎，缪振华，卞新海，韩婷婷，
申请(专利权)人：法尔胜泓昇集团有限公司，江苏法尔胜光通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32