一种可抑制副边串联LCD储能电容反向充电的磁复位正激变换器制造技术

本发明专利技术公开了一种可抑制副边串联LCD储能电容反向充电的磁复位正激变换器，包括正激变换器主电路以及能量转移与传输电路，正激变换器主电路包括高频变压器T、开关管S、二极管D1、二极管D2、电感L1和电容C1，能量转移与传输电路包括二极管D3、电容C2、电感L2、二极管D4。本发明专利技术电路结构简单,可靠性高，保证了电容C2不会反向充电，减小了无功损耗；并且实现了励磁能量转移到负载侧，提高了变压器转换效率；同时，还可消除二极管D1的反向恢复问题。

【技术实现步骤摘要】
一种可抑制副边串联LCD储能电容反向充电的磁复位正激变换器
本专利技术属于开关电源
，具体涉及一种可抑制副边串联LCD储能电容反向充电的磁复位正激变换器。
技术介绍
在众多的隔离型开关电源变换拓扑中，相对于反激变换器，正激变换器的功率大小并不受限于变压器储存能量的能力；相对于半桥、全桥变换器，正激变换器而言，其所用的元器件更少，电路更简单，成本更低廉，可靠性更高。因此，正激变换器电路因其结构相对简单、成本较低、输入输出隔离、工作可靠性高等诸多优点，更适合应用在中小功率电能变换场合，并受到业界高度关注。但对于单管正激变换器而言，因为其工作在正向激磁状态下，其高频变压器磁芯单向磁化，本身没有磁复位功能，致使其极有可能引起磁芯饱和等问题。磁饱和的结果将导致流过开关管的电流猛增，甚至损坏开关管，在很大程度上限制了正激变换器的推广，所以必须添加专门的磁复位电路或者能量转移电路来避免磁芯饱和。磁复位电路的主要工作机理是在每个周期的开关关断时间内将励磁能量进行转移，可以消耗在其他器件上或者返回到输入电源或传输到负载端。现有的正激本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可抑制副边串联LCD储能电容反向充电的磁复位正激变换器，其特征在于：包括正激变换器主电路(1)，以及与正激变换器主电路(1)连接的能量转移与传输电路(2)；其中，所述正激变换器主电路(1)包括高频变压器T、开关管S、二极管D1、二极管D2、电感L1和电容C1，所述高频变压器T原边的同名端为正激变换器主电路(1)的正极电压输入端IN+且与外部电源的正极输出端连接，所述高频变压器T原边的异名端与开关管S的漏极连接，所述开关管S的源极为正激变换器主电路(1)的负极电压输入端IN-且与外部电源的负极输出端连接，所述开关管S的栅极与外部控制器的输出端连接，所述高频变压器T副边的同名端与二极管D2...

【技术特征摘要】
1.一种可抑制副边串联LCD储能电容反向充电的磁复位正激变换器，其特征在于：包括正激变换器主电路(1)，以及与正激变换器主电路(1)连接的能量转移与传输电路(2)；其中，所述正激变换器主电路(1)包括高频变压器T、开关管S、二极管D1、二极管D2、电感L1和电容C1，所述高频变压器T原边的同名端为正激变换器主电路(1)的正极电压输入端IN+且与外部电源的正极输出端连接，所述高频变压器T原边的异名端与开关管S的漏极连接，所述开关管S的源极为正激变换器主电路(1)的负极电压输入端IN-且与外部电源的负极输出端连接，所述开关管S的栅极与外部控制器的输出端连接，所述高频变压器T副边的同名端与二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与二极管D1的阴极和电感L1的一端连接，所述电感L1的另一端与电容C1的一端连接且为正激变换器主电路(1)的正极电压输出端OUT+，所述高频变压器T副边的异名端与二极管D1的阳极和电容C1的另一端连接且为正激变换器主电路(1)的负极电压输出端OUT-，所述正激变换器主电路(1)的负极电压输出端OUT-接地；所述能量转移与传输电路(2)包括二极管D3、电容C2、电感L2和二极管D4，所述二极管D3的阳极与高频变压器T副边的异名端连接，所述二极管D3的阴极与电容C2的第二端连接，所述电容C2的第一端与二极管D2的阳极连接，所述电感L2的一端与二极管D1的阴极连接，其另一端与电容C2的第二端连接，所述二极管D4的阳极与能量转移与传输电路(2)的电容C2的第一端连接，其阴极与电容C2的第二端连接。


2.根据权利要求1所述的可抑制副边串联LCD储能电容反向充电的磁复位正激变换器，其特征在于：所述二极管D1、D2为快恢复二极管。


3.根据权利要求1所述的可抑制副边串联LCD储能电容反向充电的磁复位正激变换器，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘树林，康佳钰，鲜大帅，王成，张海亮，严纪志，
申请(专利权)人：西安科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61