一种香橙砧沃柑脱毒苗栽培方法技术

本发明专利技术公开了一种香橙砧沃柑脱毒苗栽培方法，包括种植地选建、选苗、定植、肥水管理、整型修剪和花果管理，其中，种植地选建包括开挖围园防洪排水沟、纵横排水沟、株间培养槽和行间埋管沟；田头砌输送管连接桩；其中，行间埋管沟内铺设有输送管，输送管的一端连接输送管连接桩；其中，株间培养槽上设有水泥盖板，株间培养槽中部设有水平喷雾管，水平喷雾管的一端对称的连接在输送管上。本发明专利技术提供一种适宜的栽培环境，管理更方便省力的香橙砧沃柑脱毒苗栽培方法。

【技术实现步骤摘要】
一种香橙砧沃柑脱毒苗栽培方法
本专利技术涉及沃柑栽培
，具体涉及一种香橙砧沃柑脱毒苗栽培方法。
技术介绍
本专利技术做出以前，现有的香橙砧沃柑脱毒苗栽培，经常会出现由于管理不当而造成的果实产量低、品质差的现象，并且栽培管理的劳动强度比较高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种适宜的栽培环境，管理更方便省力的香橙砧沃柑脱毒苗栽培方法。为了达到上述目的，本专利技术有如下技术方案：本专利技术是一种香橙砧沃柑脱毒苗栽培方法，包括以下步骤：（1）种植地选建：选择土层深厚、疏松肥沃、水源充足、排灌方便，并且年均温度18℃以上，冬季最低气温0℃以上的山地或水田作为栽培场地，种植前进行深耕、埋杂草、翻晒土壤；建园开挖围园防洪排水沟、纵横排水沟、株间培养槽和行间埋管沟；田头砌输送管连接桩；其中，行间埋管沟深30cm，行间埋管沟内铺设有输送管，输送管的一端连接输送管连接桩；优选地，株间培养槽宽30cm、长90cm、深80cm，株间培养槽上设有水泥盖板，株间培养槽中部设有长度为70cm的水平喷雾管，水平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种香橙砧沃柑脱毒苗栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）种植地选建：选择土层深厚、疏松肥沃、水源充足、排灌方便，并且年均温度18℃以上，冬季最低气温0℃以上的山地或水田作为栽培场地，种植前进行深耕、埋杂草、翻晒土壤；建园开挖围园防洪排水沟、纵横排水沟、株间培养槽和行间埋管沟；田头砌输送管连接桩；其中，行间埋管沟深30cm，行间埋管沟内铺设有输送管，输送管的一端连接输送管连接桩；/n（2）选苗：选择株型良好，根系完整，无病毒的嫁接苗，主干高20～25cm，二级分枝以上且叶色青绿；/n（3）定植：以春植和秋冬植为好，气温回升且降雨较少的阴天定植为宜，株行距2mx3m，每亩栽植110株...

【技术特征摘要】
1.一种香橙砧沃柑脱毒苗栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）种植地选建：选择土层深厚、疏松肥沃、水源充足、排灌方便，并且年均温度18℃以上，冬季最低气温0℃以上的山地或水田作为栽培场地，种植前进行深耕、埋杂草、翻晒土壤；建园开挖围园防洪排水沟、纵横排水沟、株间培养槽和行间埋管沟；田头砌输送管连接桩；其中，行间埋管沟深30cm，行间埋管沟内铺设有输送管，输送管的一端连接输送管连接桩；
（2）选苗：选择株型良好，根系完整，无病毒的嫁接苗，主干高20～25cm，二级分枝以上且叶色青绿；
（3）定植：以春植和秋冬植为好，气温回升且降雨较少的阴天定植为宜，株行距2mx3m，每亩栽植110株，定植前按照苗大小分级，大小苗分开种植方便后期管理，定植时培土并踩实扶直，嫁接口露出土面5cm左右，并把嫁接口上的嫁接膜除掉，培高10cm，直径约50cm宽的土埂，在土埂上盖稻草，栽植后浇足定根水，以土壤水分饱和为准；
（4）肥水管理：
a、幼树肥水：冬春休眠期一次性施入有机质肥作基肥，每株施腐熟好的有机肥3～5kg，在每次枝梢抽生叶片张开时，加施促梢肥，施肥量为每株施腐熟有机肥1～2kg，促发新梢抽长、叶片张大；新梢修剪后，追施2次复合肥，每株0.1～0.2kg；
b、结果树肥水：施肥量根据树龄、树冠大小和挂果量而定，每株施腐熟好的有机肥基肥15～30kg；花前肥以高氮硫酸钾复合肥每株0.1～0.3kg，壮果肥以每株施腐熟有机肥2～3kg；秋梢肥施以高氮硫酸钾复合肥每株...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪素峰，林添成，迟海军，蓝子彬，何峰，韦炳安，
申请(专利权)人：广西广鸣育苗有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45