一种半波整流积分式电流采样保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半波整流积分式电流采样保护电路，包括驱动芯片，驱动芯片连接有单片机，驱动芯片的引脚HVG连接有MOS管M1的栅极，驱动芯片的引脚LVG连接有MOS管M2的栅极，MOS管M1的源极还连接MOS管M2的漏极，MOS管M1的漏极连接400V的直流电，MOS管M1的源极连接有电感L001的一端，电感L001的另一端连接有电容C003的一端，电容C003的另一端连接有负载钠灯的一端；MOS管M2的源极与电感L001的另一端之间连接有电容C004；单片机的引脚LAMP连接有依次排列的电阻R001、电阻R002、二极管D001的负极、二极管D002的负极，单片机还连接有二极管D002的正极；二极管D002的负极连接负载钠灯的另一端。电流采样可以监测后级电路状态，启到保护设备的好处。

【技术实现步骤摘要】
一种半波整流积分式电流采样保护电路
本技术涉及电路
，具体来说，涉及一种半波整流积分式电流采样保护电路。
技术介绍
以往没有电流采样电路的时候，如果设备超功率了，还在正常工作，很容易造成损坏。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种半波整流积分式电流采样保护电路，能够解决上述问题。为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种半波整流积分式电流采样保护电路，包括驱动芯片，所述驱动芯片连接有单片机，所述驱动芯片的引脚HVG连接有MOS管M1的栅极，所述驱动芯片的引脚LVG连接有MOS管M2的栅极，所述MOS管M1的源极还连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述MOS管M1的源极连接有电感L001的一端，所述电感L001的另一端连接有电容C003的一端，所述电容C003的另一端连接有负载钠灯的一端；所述MOS管M2的源极与所述电感L001的另一端之间连接有电容C004；所述单片机的引脚LAM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半波整流积分式电流采样保护电路，包括驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片连接有单片机，所述驱动芯片的引脚HVG连接有MOS管M1的栅极，所述驱动芯片的引脚LVG连接有MOS管M2的栅极，所述MOS管M1的源极还连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述MOS管M1的源极连接有电感L001的一端，所述电感L001的另一端连接有电容C003的一端，所述电容C003的另一端连接有负载钠灯的一端；所述MOS管M2的源极与所述电感L001的另一端之间连接有电容C004；所述单片机的引脚LAMP连接有依次排列的电阻R001、电阻R002、二极管D001、二极管D00...

【技术特征摘要】
1.一种半波整流积分式电流采样保护电路，包括驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片连接有单片机，所述驱动芯片的引脚HVG连接有MOS管M1的栅极，所述驱动芯片的引脚LVG连接有MOS管M2的栅极，所述MOS管M1的源极还连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述MOS管M1的源极连接有电感L001的一端，所述电感L001的另一端连接有电容C003的一端，所述电容C003的另一端连接有负载钠灯的一端；所述MOS管M2的源极与所述电感L001的另一端之间连接有电容C004；所述单片机的引脚LAMP连接有依次排列的电阻R001、电阻R002、二极管D001、二极管D002...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙健，鄂凌松，
申请(专利权)人：北京金晟达生物电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11