一种二次电子发射性能参数测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种二次电子发射性能参数测试装置。本装置包括球形电子收集器，其由外向内依次是：球形收集极、球形抑制极和球形接地极；球形电子收集器固定在真空室内的电子收集器固定装置上，其上方设有入射电子孔，电子枪口由入射电子孔进入球形电子收集器内部，球形电子收集器的下方设有样品台进出孔；样品台升降旋转装置，包括安装在真空室外的磁流体控制器、真空室内的螺杆传动机构及与之连接的齿轮旋转机构，样品台与齿轮旋转机构连接，样品台从球形电子收集器下方开孔处进入其内部；磁流体控制器通过螺杆传动机构及与之连接的齿轮旋转机构驱动样品台上下移动及旋转；样品台一面用于放置待测样品，另一面上固定一次电子收集器。

【技术实现步骤摘要】
一种二次电子发射性能参数测试装置
本技术涉及固体材料表面物理性能测试领域，具体是涉及金属、半导体、绝缘体材料的二次电子发射性能参数的测试装置。
技术介绍
具有一定能量的电子轰击到固体材料表面，使得材料内部电子从材料表面发射出来的现象，称为材料的二次电子发射现象。材料的二次电子发射性能参数包括材料的二次电子发射系数δ、二次电子能谱d(E)和二次电子的空间角分布f(θ)，这些参数主要和入射电子的能量E和角度β有关。轰击材料表面的电子称为一次电子流Ip，一次电子流功率密度和E、电子束斑面积S有关，从材料表面发射的电子称为二次电子流Is，通常材料的二次电子发射系数δ定义为Is与Ip之比。δ小于1表示发生了二次电子的抑制效应，这一效应可以解决航天器表面的微放电问题、环形加速器内表面的电子云问题和高功率微波真空器件的可靠性和寿命问题等。δ大于1表示发生了二次电子的倍增效应，这一效应广泛应用在电子倍增器领域，如双片微通道板探测器利用材料表面的二次电子级联倍增效应，增益可以达到107；随着大型高能物理实验对探测器件，如微通道板型光电倍增管(MCP-PM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二次电子发射性能参数测试装置，其特征在于，包括/n电子束产生系统，通过法兰接口与真空室连接，包括真空室内的电子枪及真空室外的电子枪控制器；/n球形电子收集器，包括三种彼此绝缘的球形结构，由外向内依次是：球形收集极、球形抑制极和球形接地极；球形电子收集器固定在真空室内的电子收集器固定装置上，其上方开孔作为入射电子孔，电子枪口由该入射电子孔进入球形电子收集器内部，球形电子收集器的下方开孔作为样品台进出孔；/n微弱信号测量系统，包括分别与球形收集极、球形抑制极、球形接地极和样品台连接的电流计或电流-电压放大器，用于采集球形收集极、球形抑制极、球形接地极和样品台的电流；/n样品台升降旋转装置，...

【技术特征摘要】
1.一种二次电子发射性能参数测试装置，其特征在于，包括
电子束产生系统，通过法兰接口与真空室连接，包括真空室内的电子枪及真空室外的电子枪控制器；
球形电子收集器，包括三种彼此绝缘的球形结构，由外向内依次是：球形收集极、球形抑制极和球形接地极；球形电子收集器固定在真空室内的电子收集器固定装置上，其上方开孔作为入射电子孔，电子枪口由该入射电子孔进入球形电子收集器内部，球形电子收集器的下方开孔作为样品台进出孔；
微弱信号测量系统，包括分别与球形收集极、球形抑制极、球形接地极和样品台连接的电流计或电流-电压放大器，用于采集球形收集极、球形抑制极、球形接地极和样品台的电流；
样品台升降旋转装置，包括安装在真空室外的磁流体控制器、真空室内的螺杆传动机构及与之连接的齿轮旋转机构，样品台与齿轮旋转机构连接，样品台从球形电子收集器下方开孔处进入其内部；磁流体控制器通过螺杆传动机构及与之连接的齿轮旋转机构驱动样品台上下移动及旋转；样品台一面用于放置待测样品，另一面上固定一次电子收集器；
样品表面电位中和系统，包括表面电位检测装置、消除表面带...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫保军，刘术林，温凯乐，王玉漫，张斌婷，谷建雨，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：新型
国别省市：北京;11