检测设备和检测方法技术

公开了一种检测诸如反射性掩模衬底的衬底上的缺陷的方法以及相关联的设备。所述方法包括使用第一检测辐射来执行检测，第一检测辐射从高次谐波生成源获得并且具有在20nm和150nm之间的第一波长范围内的一个或多个第一波长。还公开了一种方法，该方法包括使用第一检测辐射来进行粗略检测(310)，第一检测辐射具有在第一波长范围内的一个或多个第一波长；以及使用第二检测辐射来执行精细检测(320)，第二检测辐射具有在第二波长范围内的一个或多个第二波长，所述第二波长范围包括比所述第一波长范围的波长短的波长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检测设备和检测方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年1月30日提交的欧洲申请18154116.0的优先权，该欧洲申请的全部内容通过引用方式并入本文。
本专利技术涉及用于执行测量的检测设备和方法。特别地，本专利技术涉及用于检测掩模衬底、掩模版坯件和/或图案化掩模版的检测设备和方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机械。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于集成电路的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或多个管芯)上。施加多个层以限定功能装置和成品的互连，每个层具有特定的图案和材料成分。在光刻过程中，经常需要在掩模版的制造的不同阶段进行掩模版的测量，例如，以监控掩模版的质量。特别地，期望监控掩模版上的缺陷。对于在EUV机制(例如，具有接近约13.5nm的波长)中调整用于图案化和反射辐射的EUV掩模版而言，这特别具有困难。这样的缺陷可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于探测反射性掩模版的衬底上的缺陷的检测方法，包括：/n使用第一检测辐射来执行所述检测，所述第一检测辐射从高次谐波生成源获得并且具有在20nm和150nm之间的第一波长范围内的一个或多个第一波长。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180130 EP 18154116.01.一种用于探测反射性掩模版的衬底上的缺陷的检测方法，包括：
使用第一检测辐射来执行所述检测，所述第一检测辐射从高次谐波生成源获得并且具有在20nm和150nm之间的第一波长范围内的一个或多个第一波长。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述检测步骤包括使用以相对于表面法线成大于10度的入射角入射到所述衬底上的所述第一检测辐射，并且可选地，使用以相对于所述表面法线成大于40度的入射角入射到衬底上的所述第一检测辐射。


3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述一个或多个第一波长包括多个波长。


4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述一个或多个第一波长包括近似为光化波长的波长的整数倍的波长，所述掩模版的衬底已经针对所述光化波长被优化，并且可选地，所述整数为2或3。


5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述第一波长范围在20nm至40nm之间。


6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，针对在所述一个或多个第一波长处的最大光子生成来优化高次谐波生成源的一个或多个高次谐波生成参数；所述一个或多个高次谐波生成参数包括以下各项中的一项或多项：
在所述高次谐波生成源中包含的用于生成所述第一检测辐射的高次谐波生成式发生介质的种类；
高次谐波生成式发生介质的压力；和/或
用于激发高次谐波生成式发生介质的泵浦激光器的波长。


7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述反射性掩模版的衬底包括以下各项中的一项：
裸衬底，
具有施加的多层的掩模版坯件，或
图案化衬底，所述图案化衬底包括吸收层，在所述吸收...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·库马尔，理查德·金塔尼利亚，M·G·M·M·范卡拉埃吉，康斯坦丁·特斯古特金，W·M·J·M·考恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL