一种刚性有机光电子器件气密性的标定方法技术

本发明专利技术公开了一种刚性有机光电子器件气密性的标定方法，包括以下步骤：①将需要测试的有机光电子器件置于封装腔体之中；②根据气密性标定的要求，调节封装腔体中的气体的压强和气体的组分；③把封装好的有机光电子器件置于真空腔体中，该真空腔体中充入根据需要的相应组分的气体，并调节真空腔体中的气体压强，使得封装于有机光电子器件中的气体的压强于真空腔体中的压强差可模拟器件工作环境的情况；④将有机光电子器件置于真空腔体中一定的时间；⑤通过连接于真空腔体中的质谱分析仪分析从有机光电子器件内部渗漏到真空腔体中的相应气体，从而可准确标定其气密性；⑥根据所标定的对不同气体或组分的气密性，优化器件结构、封装材料与封装工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元器件中有机光电子器件
，涉及一种刚性有机光 电子器件气密性的标定方法。
技术介绍
有机光电子器件，如有机电致发光器件(OLED)、光伏电池和场效应管 (OFET ),目前已发展成为多学科交叉的国际前沿课题和高技术竟争的焦点。 当前，阻碍有机光电子器件大规模量产的原因之一，是为提高其寿命和稳定性 的高成本，该方面的成本投入主要用于防止器件对水蒸汽和氧气等气体的入侵 而影响器件的性能。而器件的密封问题(包括封装)及评价体系的重要性就显 得尤为突出。但是，当前无论是国内还是国外，对于有机光电子器件封装气密 性的测试方法和技术，至今还是空白。因此，研究有机光电子器件的封装气密 性对于进一步提高有机光电子器件的寿命和实用化水平具有必要性和迫切性。已有的测量有坤几光电子器件气密性的方法有称重法(WVP法)、钙膜腐蚀 法和传感器法，虽然它们在技术上较易实现且灵敏度较高，但是存在明显的不 足(1)只能测量水蒸汽渗透率，不能测量其它气体；(2)测量速度慢；(3) 无法对器件内部放气进行测量。因此，目前在对有机光电子器件(含OLED)渗 透性的研究仅局限于研究水蒸汽对器件的渗透，而对于其它气体如氧气、二氧 化碳等大气中的气体对器件渗透及性能的影响，或研究很少，或完全是盲区。 另外，器件工作时内部释放出的水蒸汽、氧和其它气体对器件寿命和稳定性的 影响，以及器件制造工艺对器件内放气的影响等问题，也因为缺乏有效的测量 手段而不能有效检测。质谱分析技术是真空科学与
中发展很成熟的气体分压强测量技 术，目前最小可检气体分压强可做到l(T13-10—14Pa,并且能够测量所有种类的气体，测量速度达到毫秒级。将质谱技术用于有机光电子器件的气体渗透率的研 究，除了可以实现水蒸汽对封装材料渗透特性的准确测量外，还可以提供研究 下述问题的手段(1)氧和其它种类的气体对有机光电子器件封装的渗透及对器件寿命和稳定性的影响；(2)有机光电子器件内部各种材料的放气种类、放气速率及其对器件的影响；(3)有机光电子器件的制造工艺及器件本身内部放气率的影响等等。这些新问题的研究，将拓宽有机光电子器件定性问题研究的 视野，有力地推动光电子器件研究的发展。但是，在采用质谱分析技术测量和标定气体的渗透对有机光电子器件的影 响时，如何针对不同的气体对不同封装的有机光电子器件的渗透率进行分析， 从而针对不同的气体对有机光电子器件性能的影响提出具有针对性的改进方 法，而不是仅仅局限于研究某种气体(水蒸汽，氧气，二氧化碳等等)相对于 某种材料与工艺的渗透率的问题。同时，目前已有的气密性标定的方法，针对 某种或几种气体的取样，或存在相当大的难度，或缺乏实际可操作性。因此， 如何准确标定某种或几种气体的渗透率，方能精确地、针对性地测量有机光电 子器件受到不同的气体的影响时器件性能的改变，从而完善有机光电子器件的 结构设计和封装工艺与材料，提高有机光电子器件的寿命。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种刚性有机光电子器件气密性的 标定方法，该方法可以模拟不同的情况不同的气体对有机光电子器件的渗透对 有机光电子器件性能的影响，从而对研究和提高有机光电子器件的寿命提供可 靠的依据。本专利技术所提出的技术问题是这样解决的提供一种刚性有机光电子器件气 密性的标定方法，其特征在于，包括以下步骤① 将需要测试的有机光电子器件置于封装腔体之中；② 根据气密性标定的要求，调节封装腔体中的气体的压强和气体的组分；③ 把封装好的有机光电子器件置于真空腔体中，该真空腔体中充入根据需要的相应组分的气体，并调节真空腔体中的气体压强，使得封装于有机光电子 器件中的气体的压强于真空腔体中的压强差可模拟器件工作环境的情况；④ 将有机光电子器件置于真空腔体中 一定的时间，时间根据具体器件的在具体的工作环境需模拟的时间而定；⑤ 通过连接于真空腔体中的质谱分析仪分析从有机光电子器件内部渗漏到真空腔体中的相应气体，从而可准确标定其气密性；(D根据所标定的对不同气体或组分的气密性，优化器件结构、封装材料与 封装工艺。按照本专利技术所提供的，其特征 在于，所述封装腔体能通入氮气、氧气、二氧化碳、 一氧化)碳、水蒸汽、二氧 化氮、 一氧化氮、；琉化氢、二氧化辟"三氧化^s危、惰性气体、氰化氢和-克氰化 氬中的一种或者几种。按照本专利技术所提供的 ，其特征 在于，所述封装腔体连接有若干气体通道。本专利技术提出了一种新型的标定方法，可以模拟不同的情况下，不同的气体 对有机光电子器件的渗透对有机光电子器件性能的影响，从而对研究和提高有 机光电子器件的寿命提供可靠的依据，该标定方法可以解决不同的气体对不同 的封装结构、材料与工艺的刚性有机光电子器件的影响。本专利技术的标定方法，属于电子元器件
，包括了器件封装系统，高 真空系统，器件检测腔体，质谱仪系统，它可作为检测有机光电子器件，包括 有机电致发光器件(OLED)、光伏电池(OPVCell)和有机场效应管(OFET )的 封装结构、封装材料与工艺对气密性影响的标定方法，首先架构一个气体环境 可变的器件封装腔体，有机光电子器件可在该腔体的不同气体环境中进行封装； 同时，构造一个真空腔体，用于放置需要测试的刚性有机光电子器件，并且封 装腔体和真空的腔体的压强差可任意调节，以模拟不同器件的实际工作情况。最后，通过质语分析方法测试真空腔体中相关气体的含量，达到标定器件的气 密性的目的。该方法能够模拟刚性有机光电子器件的实际工作环境，为准确标定有机光电子器件的气密性提供一种简便、易操作、快捷的方法，为定量测试器件的气密性及提高器件的寿命提供可靠的依据。附图说明图1是本专利技术所提供的有机光电子器件气密性标定方法中所用封装腔体的结构示意图2是本专利技术所提供的有机光电子器件气密性标定方法中所用真空腔体的 结构示意图。1、封装腔体，2、封装腔体真空系统，3、气体管道I， 4、气体管道II， 5、 气体管道m， 6、气体管道IV, 7、气体管道V， 8、真空腔体真空系统，9、真空 腔体，10、质谱仪。 具体实施例方式下面结合附图以及实施例对本专利技术作进一步的说明。本专利技术首先构造一个有机光电子器件的封装腔体(如图1所示)，该腔体中 可通入一种气体或者几种气体的混合物，包括氮气、氧气、二氧化碳、 一氧化 碳、水蒸汽、二氧化氮、 一氧化氮、硫化氢、二氧化硫、三氧化硫、惰性气体、 氰化氲、硫氰化氢，有机光电子器件可在不同的气氛环境下完成封装，封装好 的有机光电子器件中包含有待标定气密性的气体。把封装了相应需要标定的气 体的有机光电子器件置于真空腔体(如图2所示)中，并且封装好的有机光电 子器件的压强与真空腔体的本底压强差可根据实际情况调节，以达到模拟有机 光电子器件真实工作环境的要求。封装了某种气体的有机光电子器件置于真空 容器中，放置一段时间以后，通过质谱分析的方法测量渗漏于真空腔体中的封 装于有机光电子器件中的气体的含量，对相应的气体的渗透率进行准确的标定。实施例一刚性有^L光电子器件的氧气的气密性标定的方法① 将需要测试的有机光电子器件置于图1所示的封装腔体1之中；② 根据实际测试的要求，由图i所示的气体管道3向封装腔体1中通入氧气，并调节的氧气的压强为一个大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刚性有机光电子器件气密性的标定方法，其特征在于，包括以下步骤：　①将需要测试的有机光电子器件置于封装腔体之中；　②根据气密性标定的要求，调节封装腔体中的气体的压强和气体的组分；　③把封装好的有机光电子器件置于真空腔体中，该真空腔体中充入根据需要的相应组分的气体，并调节真空腔体中的气体压强，使得封装于有机光电子器件中的气体的压强与真空腔体中的压强差可模拟器件工作环境的情况；　④将有机光电子器件置于真空腔体中一定的时间；　⑤通过连接于真空腔体中的质谱分析仪分析从有机光电子器件内部渗漏到真空腔体中的相应气体，从而可准确标定其气密性；　⑥根据所标定的对不同气体或组分的气密性，优化器件结构、封装材料与封装工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于军胜，张磊，蒋亚东，李军建，蒋泉，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]