【技术实现步骤摘要】
水平区转移栅倾斜设置的CCD结构
本专利技术涉及CCD领域,特别涉及一种水平区转移栅倾斜设置的CCD结构。
技术介绍
CCD(ChargeCoupledDevice,电荷耦合器件)是一种使用电荷耦合原理的固态半导体成像器件,CCD的基本结构是相邻的金属-氧化物-半导体(MetalOxideSemiconductor,MOS)结构,当合适的波长照射到半导体中,半导体内部便会产生光生电荷。当相邻的MOS结构彼此靠近时,如果在MOS结构上加上合适时序的电压,电荷便能在MOS结构中存贮和转移,最终光生电荷转移到信号读出区域将电荷转化为电压信号并实现信号的放大并供后续信号处理。如图1所示,为现有技术的CCD结构示意图,在CCD中,每个水平区转移栅由于转移栅下势阱的存在而存储电荷包,电荷转移效率定义为一次转移后到达下一个转移栅下势阱中的电荷量与原来势阱中电荷量之比,电荷转移效率是表征CCD性能好坏的重要参数,当给定转移速度时,有效栅宽是电荷转移效率的直接决定因素,有效栅宽越小,电荷转移效率越高。如图2所示,现有技术的H1转移栅沿 ...
【技术保护点】
1.一种水平区转移栅倾斜设置的CCD结构,包括光敏区像元阵列、水平区、输出节点前直流栅、输出节点和片上放大器,所述光敏区像元阵列包括多个光敏区像元,所述输出节点包括输出复位栅、复位漏和浮置扩散节点区域,其特征在于,所述水平区对应每列光敏区像元分别设有至少两个水平区转移栅,至少两个所述水平区转移栅中的一个为承接电极,用于承接对应列的光敏区像元转移来的光生电荷,所述输出节点前直流栅及各水平区转移栅均相对于光敏区像元阵列的垂直方向同向倾斜相同的角度,所述输出节点前直流栅及各水平区转移栅倾斜的角度大于0°,且小于90°。/n
【技术特征摘要】
1.一种水平区转移栅倾斜设置的CCD结构,包括光敏区像元阵列、水平区、输出节点前直流栅、输出节点和片上放大器,所述光敏区像元阵列包括多个光敏区像元,所述输出节点包括输出复位栅、复位漏和浮置扩散节点区域,其特征在于,所述水平区对应每列光敏区像元分别设有至少两个水平区转移栅,至少两个所述水平区转移栅中的一个为承接电极,用于承接对应列的光敏区像元转移来的光生电荷,所述输出节点前直流栅及各水平区转移栅均相对于光敏区像元阵列的垂直方向同向倾斜相同的角度,所述输出节点前直流栅及各水平区转移栅倾斜的角度大于0°,且小于90°。
2.根据权利要求1所述的水平区转...
【专利技术属性】
技术研发人员:王廷栋,刘昌林,廖乃镘,丁劲松,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十四研究所,
类型:发明
国别省市:重庆;50
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