梁膜结构的半导体压力传感器制造技术

目前广泛使用的半导体压力传感器采用硅的平膜结构，其线性度在高输出时较差，精度无法提高。本实用新型专利技术采用了梁与平膜的组合结构，利用梁结构本身线性较好的特点，并保持了平膜结构的优点，从而制造出一种新型的高精度半导体压力传感器。（*该技术在1998年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种梁膜结构的半导体压力传感器，其特征为在硅膜正面的中间部位有一根由正面光刻、浅腐蚀形成的梁条，梁条两边的硅膜成对称形状，为敏电阻设置在梁条的中点处或端点处。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于连忠，鲍敏杭，吴宪平，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]