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双岛-梁-膜结构压力传感器制造技术

技术编号:2562685 阅读:257 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术是一种芯片为双岛——梁——膜结构的半导体压力传感器。碰梁横贯双岛,并将硅膜分为对称的两个部分,力敏元件设置在硅梁上。与传统的膜式结果相比。有将应力二次集中的效果,提高了传感器的灵敏度和线性度。可用于微压测量领域,也可用力和加速度的测量领域。(*该技术在1998年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种芯片为双岛、梁、膜结构的半导体压力传感器,双岛在硅膜背面,其特征为在硅膜正面有一横贯两个硅岛,并将硅膜分为对称两个部分的硅梁,力敏元件设置在岛与岛之间及岛与边界的硅梁上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王言于连忠鲍敏杭
申请(专利权)人:复旦大学
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

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