一种电感耦合钳位积分电流采样保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电感耦合钳位积分电流采样保护电路，包括驱动芯片，驱动芯片连接有单片机，电容C003的另一端连接有负载钠灯的一端；MOS管M2的源极与电感L001的另一端之间连接有电容C004；单片机的引脚LAMP连接有依次排列的电阻R001、电阻R002、二极管D002、电阻R003的一端，单片机还连接有电阻R003的另一端；二极管D002的正极连接有电感L008的初级线圈的一端，初级线圈的另一端接地并连接有次级线圈的一端，次级线圈的另一端连接负载钠灯的另一端；电阻R001的一端与电阻R003的另一端之间连接有二极管D001和电容C001，电阻R001的另一端与电阻R003的另一端之间连接有电容C002。此电流采样电路在原有电路上增加电流采样保护功能，起到保护设备的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种电感耦合钳位积分电流采样保护电路
本技术涉及电路
，具体来说，涉及一种电感耦合钳位积分电流采样保护电路。
技术介绍
以往没有电流采样电路的时候，如果设备超功率了，还在正常工作，很容易造成损坏。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种电感耦合钳位积分电流采样保护电路，能够解决上述问题。为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种电感耦合钳位积分电流采样保护电路，包括驱动芯片，所述驱动芯片连接有单片机，所述驱动芯片的引脚HVG连接有MOS管M1的栅极，所述驱动芯片的引脚LVG连接有MOS管M2的栅极，所述MOS管M1的源极还连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述MOS管M1的源极连接有电感L001的一端，所述电感L001的另一端连接有电容C003的一端，所述电容C003的另一端连接有负载钠灯的一端；所述MOS管M2的源极与所述电感L001的另一端之间连接有电容C004；所述单片机的引本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电感耦合钳位积分电流采样保护电路，包括驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片连接有单片机，所述驱动芯片的引脚HVG连接有MOS管M1的栅极，所述驱动芯片的引脚LVG连接有MOS管M2的栅极，所述MOS管M1的源极还连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述MOS管M1的源极连接有电感L001的一端，所述电感L001的另一端连接有电容C003的一端，所述电容C003的另一端连接有负载钠灯的一端；所述MOS管M2的源极与所述电感L001的另一端之间连接有电容C004；所述单片机的引脚LAMP连接有依次排列的电阻R001、电阻R002、二极管D002、电阻R00...

【技术特征摘要】
1.一种电感耦合钳位积分电流采样保护电路，包括驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片连接有单片机，所述驱动芯片的引脚HVG连接有MOS管M1的栅极，所述驱动芯片的引脚LVG连接有MOS管M2的栅极，所述MOS管M1的源极还连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述MOS管M1的源极连接有电感L001的一端，所述电感L001的另一端连接有电容C003的一端，所述电容C003的另一端连接有负载钠灯的一端；所述MOS管M2的源极与所述电感L001的另一端之间连接有电容C004；所述单片机的引脚LAMP连接有依次排列的电阻R001、电阻R002、二极管D002、电阻R003的一端，所述单片机还连接有所述电阻R003的另一端；所述二极管D002的正极连接有电感...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙健，鄂凌松，
申请(专利权)人：北京金晟达生物电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11