【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种压力传感器，尤其是一种采用多层结构键合密封保护式的主要用于真空测量的电容压力传感器。
技术介绍
由于硅材料具有很好的力学性能，随着半导体工艺的成熟，就有了用硅材料制作传感器的手段。首先，进行研究、制作的是硅压阻式压力传感器。硅压阻式压力传感器具有尺寸小、结构与制作工艺简单、传感灵敏度高等特点，不足之处是传感器的抗干扰能力差，温度影响大。由硅和玻璃键合制作的电容式压力传感器除了与硅压阻式压力传感器具有尺寸小、结构、制作工艺简单、传感灵敏度高等特点外，还具有结构稳定性好、强度高、抗干扰能力强、测量稳定性好、温度影响小，有理想的零压特性和过载保护，过载达20000％不会损坏等特点。硅玻璃电容式压力传感器的电容腔密封是一个问题，原因是要使密封粘接材料同时对玻璃、硅和金属都有很好的粘接性能非常困难、甚至是不可能的。为了解决这个问题，人们选用各种不同的材料来密封引出电极的槽，但效果都不理想。公告号为CN1156681C的专利提供一种静电键合电容腔体的压力传感器及其制作工艺，设有上硅片、玻璃衬底、密封硅片和输出极；上硅片的下表面设电容腔体；玻璃衬底的上抛光面上设...
【技术保护点】
用于真空测量的电容压力传感器，其特征在于设有主硅片，主硅片的下表面为硅膜片，硅膜片上设压力感受膜片，在主硅片的下表面设有电容腔体，在压力感受膜片周边设隔离保护墙，在压力感受膜片一侧的主硅片上设敞开口；玻璃衬底，玻璃衬底的上表 面为抛光面，并与主硅片的下表面键合；密封玻璃，用于密封电容腔体，密封玻璃的下表面与主硅片上的隔离保护墙的表面键合形成密封腔体；保护硅片，保护硅片的上表面与密封玻璃的下表面键合；硅膜片电极，设于主硅片敞开口的硅膜片上， 并由引出线连接形成电容的一个引出电极；电容腔电极，设于玻璃衬...
【技术特征摘要】
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