三维电阻式存储器及允许获得这种存储器的方法技术

本发明专利技术的一个方面是根据前一项权利要求的存储器(CO)，所述存储器包括多个第一电极(EP)，称为扁平电极(EP)，多个扁平电极(EP)中的每个扁平电极(EP)限定平面(P)；第二电极(EV)，称为垂直电极(EV)，该第二电极基本上沿着垂直于由每个扁平电极(EP)限定的平面的轴线(Z)延伸；多个第三电极(EF)，称为浮动电极，多个浮动电极(EF)中的每个浮动电极(EF)位于多个扁平电极(EP)中的扁平电极(EP)与垂直电极(EV)之间；多个绝缘材料的第一层CI，多个扁平电极EP中的每个扁平电极EP通过多个绝缘材料的第一层CI中的绝缘材料的第一层CI与前一个和/或后一个扁平电极隔开，多个第一活性材料的第一层(C1)，活性材料的每个层(C1)隔开多个扁平电极(EP)中的扁平电极(EP)以及其相关联的浮动电极(EF)；第二活性材料的第二层，该第二活性材料的第二层将垂直电极(EV)与多个浮动电极(EF)中的浮动电极(EF)隔开；第一活性材料能够形成选择器(SE)或存储点(PM)，并且第二活性材料能够形成存储点(PM)或选择器(SE)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三维电阻式存储器及允许获得这种存储器的方法
本专利技术的
是存储器的
本专利技术涉及一种三维(下文称为3D)存储器，并且特别地涉及一种其中选择器与每个存储点相关联的3D存储器。本专利技术还涉及一种使得能够获得这种存储器的方法。
技术介绍
在二维(下文称为2D)存储器技术中，与存储点PM的寻址相关的已知问题是泄漏路径的问题。实际上，如图1A中所展示的，当读取电势被施加至行和列以便读取存储点PM的阵列的存储点PM时，电流不仅通过目标存储点PM(即，位于所选择的行和列的交点处——实线箭头)，而且还通过寄生路径(虚线箭头)，这些寄生路径可以改变存储点PM的读取。在2D结构中，通过在存储点PM与寻址列或行之间插入选择器SE，容易减少或甚至消除寄生路径的问题，如图1B所示。选择器SE由活性材料C1/C2的浮动电极EF(即，当存储器处于运行中时，其不连接至任何参考电势)组成，活性材料C1/C2通常根据用于存储点PM和电极EP/EV的活性材料C2/C1来选择。然而，在3D存储器的情况下，这种配置直到现在才落实到位。实际上，在3D存储器的情本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.三维存储器(CO)，其包括：/n-多个第一电极(EP)，称为扁平电极(EP)，多个扁平电极(EP)中的每个扁平电极(EP)限定平面(P)；/n-第二电极(EV)，称为垂直电极(EV)，该第二电极基本上沿着垂直于由每个扁平电极(EP)限定的平面的轴线(Z)延伸；/n-多个第三电极(EF)，称为浮动电极，多个浮动电极(EF)中的每个浮动电极(EF)位于多个扁平电极(EP)中的扁平电极(EP)与垂直电极(EV)之间；/n-多个绝缘材料的第一层CI，多个扁平电极EP中的每个扁平电极EP通过多个绝缘材料的第一层CI中的绝缘材料的第一层CI与前一个和/或后一个扁平电极EP隔开；/n-多个第一活性材料的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 FR 17629391.三维存储器(CO)，其包括：
-多个第一电极(EP)，称为扁平电极(EP)，多个扁平电极(EP)中的每个扁平电极(EP)限定平面(P)；
-第二电极(EV)，称为垂直电极(EV)，该第二电极基本上沿着垂直于由每个扁平电极(EP)限定的平面的轴线(Z)延伸；
-多个第三电极(EF)，称为浮动电极，多个浮动电极(EF)中的每个浮动电极(EF)位于多个扁平电极(EP)中的扁平电极(EP)与垂直电极(EV)之间；
-多个绝缘材料的第一层CI，多个扁平电极EP中的每个扁平电极EP通过多个绝缘材料的第一层CI中的绝缘材料的第一层CI与前一个和/或后一个扁平电极EP隔开；
-多个第一活性材料的第一层(C1)，活性材料的每个层(C1)隔开多个扁平电极(EP)中的扁平电极(EP)以及与其相关联的浮动电极(EF)；
-第二活性材料的第二层，所述第二活性材料的第二层将垂直电极(EV)与多个浮动电极(EF)中的浮动电极(EF)隔开；
第一活性材料能够形成选择器(SE)或存储点(PM)，并且第二活性材料能够形成存储点(PM)或选择器(SE)，存储器的特征在于，多个扁平电极(EP)中的每个扁平电极(EP)包括：
-由第一导电材料制成的第一子层(EP1)；
-由第二导电材料制成的第二子层(EP2)；以及
-由第三导电材料制成的第三子层(EP3)。


2.根据前一权利要求所述的存储器，其特征在于，第一子层(EP1)的近端和第三子层(EP3)的近端比第二子层(EP2)的近端更靠近垂直电极(EV)，以便形成凹陷(RET)，浮动电极(EF)的部分插入所述凹陷(RET)中。


3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，第一子层(EP1)的近端和第三子层(EP3)的近端比第二子层(EP2)的近端更远离垂直电极(EV)，以便形成突起(PROT)。


4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，与所考虑的扁平电极(EP)相关联的浮动电极(EF)的厚度大于扁平电极(EP)的第二子层(EP2)的厚度。


5.用于制造3D存储器的方法，其包括：
-沉积绝缘材料的第一层(CI)的第一步骤(D1)；
-在绝缘材料的第一层(CI)上沉积导电材料的第一层(EP)的第二步骤(D2)；
重复沉积绝缘材料的第一层(CI)的第一步骤(D1)和沉积导电材料的第一层(EP)的第二步骤(D2)，以获得多个绝缘材料的第一层(CI)和多个导电材料的第一层(EP)，该方法还包括：
-在多个绝缘材料的第一层(CI)中和在多个导电材料的第一层(EP)中进行各向异性蚀刻的第一步骤(AG1)；
-选择性蚀刻多个导电材料的第一层(EP)的第一步骤(SG1)；
-共形沉积第一活性材料的第一层(C1)的第四步骤(D4)；
-沉积导电材料的第二层(EF’)的第五步骤(D5)；
-各向异性蚀刻导电材料层(EF’)和第一活性材料层(C1)的第二步骤(AG2)；
-共形沉积第二活性材料的第二层(C2)的第六步骤(D6)；
-沉积导电材料的第三层(EV)的第七步骤(D7)；
该方法的特征在于，在绝缘材料的第一层(CI)上沉积导电材料的第一层(EP)的第二步骤(D2)包括：
-沉积由第一导电材料制成的第一子层(EP1)的步骤(D21)；
-沉积由第二导电材料制成的第二子层(EP2)的步骤(D22)；
-沉积由第三导电材料制成的第三子层(EP3)的步骤(D23)；
在选择性蚀刻多个导电材料的第一层(EP)的第一步骤(SG1)期间，以与蚀刻第二子层(EP2)的材料的速率不同的速率蚀刻第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡里尔·埃尔·哈贾姆，加布里埃尔·莫拉斯，让弗朗索瓦·诺丁，
申请(专利权)人：法国原子能及替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR