确定衬底栅格的测量设备和方法技术

一种确定衬底栅格的测量设备(10)和方法，衬底栅格描述了光刻设备(LA)中曝光衬底(12)之前衬底(12)的变形，光刻设备(LA)配置成在衬底(12)上制造一个或多个特征。获取在衬底(12)上多个第一特征和/或多个第二特征的位置数据。获取所述多个第一特征和/或所述多个第二特征中的至少一个特征的不对称性数据。基于位置数据和不对称性数据确定衬底栅格。将衬底栅格和不对称性数据传递到所述光刻设备LA，用于控制曝光过程的至少一部分以在衬底(12)上制造一个或多个特征。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】确定衬底栅格的测量设备和方法申请的交叉引用本申请要求于2018年1月30日提交的欧洲申请18154053.5和于2018年11月30日提交的美国申请62/773,576的优先权，这些申请的全部内容通过引用并入本文中。
本说明书涉及一种用于确定衬底栅格的测量设备和方法。
技术介绍
光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以例如用于制造诸如集成电路(ICs)的器件。光刻设备可以例如将在图案形成装置(例如，掩模)上的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如具有波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用极紫外(EUV)辐射的光刻设备(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)可用于在衬底上形成更小的特征。低k1光刻可以用于处理尺寸小于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于确定从衬底的测量结果中获取的过程参数测量误差的值的方法，所述衬底经受制造过程并包括具有过程失真的目标，所述过程参数测量误差是所述过程失真的结果，所述方法包括：/n获取对准不对称性数据，所述对准不对称性数据描述用于对准所述衬底的一个或多个对准标记中的不对称性；/n获取使对准不对称性数据与所述过程参数测量误差相关的模型；以及/n使用所述对准不对称性数据和所述模型来获取所述过程参数测量误差的值。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180130 EP 18154053.5;20181130 US 62/773,5761.一种用于确定从衬底的测量结果中获取的过程参数测量误差的值的方法，所述衬底经受制造过程并包括具有过程失真的目标，所述过程参数测量误差是所述过程失真的结果，所述方法包括：
获取对准不对称性数据，所述对准不对称性数据描述用于对准所述衬底的一个或多个对准标记中的不对称性；
获取使对准不对称性数据与所述过程参数测量误差相关的模型；以及
使用所述对准不对称性数据和所述模型来获取所述过程参数测量误差的值。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述过程参数是重叠。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述对准不对称性数据包括当使用具有第一特性的辐射测量时所述一个或多个对准标记的第一测量位置和当使用具有第二特性的辐射测量时所述一个或多个对准标记的第二测量位置之间的差值。


4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述第一特性和所述第二特性之间变化的特性是波长和/或偏振。


5.根据权利要求1所述的方法，包括：根据所述过程参数测量误差来确定用于所述过程参数的测量结果的校正。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述过程参数的测量结果是基于用单个照射特性测量对所述目标执行的测量。


7.根据权利要求1所述的方法，包括执行校准阶段以校准所述模型。


8.根据权利要求7所述的方法，其中使用包括模拟目标和模拟对准标记的模拟训练数据、以及所述模拟目标和模拟对准标记的模拟测量响应来执行所述校准阶段。


9.根据方面8所述的方法，其中所述校准阶段校准所述模型，使得所述模型能够基于所述对准不对称性数据来表征所述过程参数测量误差。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模型包括神经网络。


11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对准不对称性数据还用于确定所述制造过程是否在规格内。


12.根据权利要求11所述的方法，包括基于关于所述制造过程是否在规格内的确定来确定对用于测量所述过程参数的量测动作的修正。


13.根据权利要求1所述的方法，包括减少用于测量所述过程参数的量测动作的获取次数，其中，使用不同的照射特性来执行每次获取。


14.根据权利要求1所述的方法，包括将所述对准不对称性数据与对准不对称性阈值进行比较，并且基于所述比较对所述衬底进行分类。


15.根据方面14所述的方法，其中，对所述衬底进行分类包括基于所述比较来确定所述衬底在规格之内还是规格之外。


16.一种确定衬底栅格的方法，所述衬底栅格描述了在光刻设备中曝光衬底之前衬底的变形，所述光刻设备被配置成在所述衬底上制造一个或多个特征，所述方法包括：
获取在所述衬底上的多个第一特征和/或多个第二特征的位置数据；
获取用于所述多个第一特征和/或所述多个第二特征中的至少一个特征的不对称性数据；
至少基于所述位置数据确定衬底栅格；以及
将所述衬底栅格和不对称性数据传递到所述光刻设备，用于控制曝光过程的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·G·C·比基恩，E·M·赫尔斯埃博，H·J·L·梅根斯，R·J·索哈，张幼平，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL